SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
2N7002ET1G onsemi 2N7002ET1G 0.2500
RFQ
 ECAD 651 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 260MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 240ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.81 nc @ 5 v ± 20V 26.7 pf @ 25 v - 300MW (TJ)
UPA654TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA654TT-E1-A 0.2900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wsof 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v - 88mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 2.7 NC @ 4 v 250 pf @ 10 v -
FDBL9401-F085T6AW onsemi FDBL9401-F085T6AW -
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn FDBL9401 MOSFET (금속 (() 8-HPSOF - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FDBL9401-F085T6awtr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 40 v 58.4A (TA), 240A (TC) 10V 0.67mohm @ 50a, 10V 4V @ 290µA 148 NC @ 10 v +20V, -16V 10000 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 180.7W (TC)
IRF6621TR1PBF Infineon Technologies IRF6621TR1PBF -
RFQ
 ECAD 3577 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Sq MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Sq 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 12A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9.1mohm @ 12a, 10V 2.25V @ 250µA 17.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1460 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 42W (TC)
IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies IPB120N08S404ATMA1 4.1300
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB120 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 80 v 120A (TC) 10V 4.1MOHM @ 100A, 10V 4V @ 120µA 95 NC @ 10 v ± 20V 6450 pf @ 25 v - 179W (TC)
NVB6410ANT4G onsemi NVB6410ANT4G -
RFQ
 ECAD 7906 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NVB641 MOSFET (금속 (() d²pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 76A (TC) 10V 13mohm @ 76a, 10V 4V @ 250µA 120 nc @ 10 v ± 20V 4500 pf @ 25 v - 188W (TC)
BUK7M12-40EX Nexperia USA Inc. BUK7M12-40EX 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5- 리드) BUK7M12 MOSFET (금속 (() LFPAK33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 48A (TC) 10V 12MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1MA 15.8 nc @ 10 v ± 20V 979 pf @ 25 v - 55W (TC)
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon Technologies IAUC70N08S5N074ATMA1 1.8400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC -Q101, Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IAUC70 MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 80 v 70A (TC) 6V, 10V 7.4mohm @ 35a, 10V 3.8V @ 36µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2080 pf @ 40 v - 83W (TC)
PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc. PMZ600UNELYL 0.4100
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 PMZ600 SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 600MA (TC) 620mohm @ 600ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v 21.3 pf @ 10 v 기준 2.7W (TC)
NTTFS4941NTWG onsemi NTTFS4941NTWG -
RFQ
 ECAD 4153 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS4941 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 8.3A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 22.8 nc @ 10 v ± 20V 1619 pf @ 15 v - 840MW (TA), 25.5W (TC)
TPH9R00CQ5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPH9R00CQ5, LQ 2.5500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-MOSX-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 175 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) - Rohs3 준수 1 (무제한) 5,000 n 채널 150 v 108A (TA), 64A (TC) 8V, 10V 9mohm @ 32a, 10V 4.5V @ 1mA 44 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 75 v - 3W (TA), 210W (TC)
STP7NK30Z STMicroelectronics STP7NK30Z -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP7N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 4.5V @ 50µA 13 nc @ 10 v ± 30V 380 pf @ 25 v - 50W (TC)
RF4E110BNTR Rohm Semiconductor RF4E110BNTR 0.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerudfn RF4E110 MOSFET (금속 (() HUML2020L8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 11A (TA) 4.5V, 10V 11.1MOHM @ 11a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 15 v - 2W (TA)
SIB457EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 0.5500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SC-75-6 SIB457 MOSFET (금속 (() PowerPak® SC-75-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 9A (TC) 4.5V 35mohm @ 4.8a, 4.5v 1V @ 250µA 44 NC @ 8 v ± 8V - 2.4W (TA), 13W (TC)
DMN2024U-13 Diodes Incorporated DMN2024U-13 0.0905
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 10V 647 pf @ 10 v - 800MW
BSL302SNH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL302SNH6327XTSA1 -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7.1A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10V 2V @ 30µA 6.6 NC @ 5 v ± 20V 750 pf @ 15 v - 2W (TA)
AUIRFR5410TRL Infineon Technologies auirfr5410trl 2.8900
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AUIRFR5410 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 13A (TC) 10V 205mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 760 pf @ 25 v - 66W (TC)
FQAF70N15 onsemi FQAF70N15 -
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FQAF7 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 150 v 44A (TC) 10V 28mohm @ 22a, 10V 4V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 25V 5400 pf @ 25 v - 130W (TC)
DMG6968UQ-7 Diodes Incorporated DMG6968UQ-7 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG6968 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 8.5 NC @ 4.5 v ± 12V 151 pf @ 10 v - 1.3W (TA)
FDFMA2P857 onsemi FDFMA2P857 -
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 435 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
TPCA8109(TE12L1,V Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8109 (TE12L1, v -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosvi 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn TPCA8109 MOSFET (금속 (() 8-SOP Advance (5x5) - 1 (무제한) 264-TPCA8109 (TE12L1VTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 24A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 12a, 10V 2V @ 500µA 56 NC @ 10 v +20V, -25V 2400 pf @ 10 v - 1.6W (TA), 30W (TC)
PMN15ENEX Nexperia USA Inc. PMN15ENEX 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 6.4A (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 6.4a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 15 v - 667MW (TA), 7.5W (TC)
SQ2351CES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2351CES-T1_GE3 -
RFQ
 ECAD 3292 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) - Rohs3 준수 742-SQ2351CES-T1_GE3TR 1 p 채널 20 v 3.2A (TC) 2.5V, 4.5V 115mohm @ 2.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 12V 330 pf @ 10 v - 2W (TC)
IRFH8337TR2PBF Infineon Technologies IRFH8337TR2PBF -
RFQ
 ECAD 4060 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PQFN (5x6) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 30 v 12A (TA), 35A (TC) 12.8mohm @ 16.2a, 10V 2.35V @ 25µA 10 nc @ 10 v 790 pf @ 10 v -
RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor RE1E002SPTCL 0.3600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 RE1E002 MOSFET (금속 (() EMT3F (SOT-416FL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 250MA (TA) 4V, 10V 1.4ohm @ 250ma, 10V 2.5V @ 1mA ± 20V 30 pf @ 10 v - 150MW (TA)
FQP2N60 Fairchild Semiconductor FQP2N60 0.9000
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 4.7ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 350 pf @ 25 v - 64W (TC)
PJS6405_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6405_S1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6405 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6405_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 72mohm @ 4.6a, 10V 2.1V @ 250µA 5.2 NC @ 10 v ± 20V 417 pf @ 15 v - 2W (TA)
IRF6726MTRPBF International Rectifier IRF6726MTRPBF 1.5100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 Mt MOSFET (금속 (() DirectFet ™ Mt 다운로드 귀 99 8542.39.0001 199 n 채널 30 v 32A (TA), 180A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 32a, 10V 2.35V @ 150µA 77 NC @ 4.5 v ± 20V 6140 pf @ 15 v - 2.8W (TA), 89W (TC)
HUFA75433S3ST Fairchild Semiconductor HUFA75433S3ST 1.1800
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-HUFA75433S3ST 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 64A (TC) 10V 16mohm @ 64a, 10V 4V @ 250µA 117 NC @ 20 v ± 20V 1550 pf @ 25 v - 150W (TC)
PSMN4R0-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN4R0-25YLC, 115 -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 psmn4 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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