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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BSH205G2215 NXP USA Inc. BSH205G2215 -
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 2,950
BSC886N03LSG Infineon Technologies BSC886N03LSG -
RFQ
ECAD 6367 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 13A (TA), 65A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 2100 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 39W (TC)
HUF76113SK8 Fairchild Semiconductor HUF76113SK8 0.5500
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ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-VFSOP (0.091 ", 2.30mm 너비) MOSFET (금속 (() US8 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 6.5a, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 585 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
HUF76129D3ST Fairchild Semiconductor huf76129d3st 0.5200
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ECAD 42 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 20A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1425 pf @ 25 v - 105W (TC)
2SK2934-92-E Renesas Electronics America Inc 2SK2934-92-E 2.1100
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ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK3055(1)-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3055 (1) -az 2.4200
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ECAD 107 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
HAF1002-92L Renesas Electronics America Inc HAF1002-92L 4.5600
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ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
NTE2382 NTE Electronics, Inc NTE2382 4.7900
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ECAD 639 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 2368-NTE2382 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 9.2A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 400 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPP50CN10NGHKSA1 Infineon Technologies IPP50CN10NGHKSA1 -
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ECAD 3009 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 20A (TC) 10V 50mohm @ 20a, 10V 4V @ 20µA 16 nc @ 10 v ± 20V 1090 pf @ 50 v - 44W (TC)
2SJ609 onsemi 2SJ609 0.5500
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ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 544
BUK7506-55A127 NXP USA Inc. BUK7506-55A127 -
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ECAD 8755 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 6000 pf @ 25 v - 300W (TC)
PHM10030DLS115 NXP USA Inc. PHM10030DLS115 0.3600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,500
2SK3140-02-E Renesas Electronics America Inc 2SK3140-02-E 2.7700
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ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSO080P03NS3 G Infineon Technologies BSO080P03NS3 g -
RFQ
ECAD 3987 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() PG-DSO-8 다운로드 적용 적용 수 할 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 6V, 10V 8mohm @ 14.8a, 10V 3.1V @ 150µA 81 NC @ 10 v ± 25V 6750 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
UPA2701TP-E2-AZ Renesas Electronics America Inc UPA2701TP-E2-AZ 1.8500
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ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
IPB039N10N3GE8197ATMA1 Infineon Technologies IPB039N10N3GE8197ATMA1 0.8800
RFQ
ECAD 7149 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 3 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) MOSFET (금속 (() PG-to263-7-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3 n 채널 100 v 160A (TC) 6V, 10V 3.9mohm @ 100a, 10V 3.5V @ 160µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8410 pf @ 50 v - 214W (TC)
2SK3225-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3225-Z-AZ 1.5000
RFQ
ECAD 761 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
IRFS530A Fairchild Semiconductor IRFS530A 0.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 10.7A (TC) 10V 110mohm @ 5.35a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 25 v - 32W (TC)
IRFS520A Fairchild Semiconductor IRFS520A 0.3400
RFQ
ECAD 2724 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 640 n 채널 100 v 7.2A (TC) 10V 200mohm @ 3.6a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 480 pf @ 25 v - 28W (TC)
FDU6644 Fairchild Semiconductor FDU6644 1.4800
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ECAD 41 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 (IPAK) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 204 n 채널 30 v 67A (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 16a, 10V 3V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 16V 3087 pf @ 15 v - 1.6W (TA)
2SK1838S-E Renesas Electronics America Inc 2SK1838S-E 1.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
2SK2341-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2341-AZ 2.1300
RFQ
ECAD 258 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
6HN04MH-TL-E onsemi 6HN04MH-TL-E 0.0700
RFQ
ECAD 150 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
IRFW730BTMNL Fairchild Semiconductor IRFW730BTMNL 0.5900
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ECAD 49 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 400 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.75a, 10V 4V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 73W (TC)
IP111N15N3G Infineon Technologies IP111N15N3G -
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ECAD 5769 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1
2SK2414-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK2414-AZ -
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 174
2SK2552C-T1-A Renesas Electronics America Inc 2SK2552C-T1-A 0.1000
RFQ
ECAD 812 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2SK2485-A Renesas Electronics America Inc 2SK2485-A 4.5200
RFQ
ECAD 368 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSB053N03LPG Infineon Technologies BSB053N03LPG 0.4000
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ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-Wdson MOSFET (금속 (() Mg-Wdson-2, Canpak M ™ 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 17A (TA), 71A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 15 v - 2.3W (TA), 42W (TC)
2SK2515-A Renesas Electronics America Inc 2SK2515-A 3.7800
RFQ
ECAD 246 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고