SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
RFQ
ECAD 9103 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모 쓸모 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 p 채널 20 v 2A (TA) 2.5V, 4.5V 103mohm @ 1a, 4.5v 1.4V @ 1mA 4.5 nc @ 4.5 v ± 12V 365 pf @ 10 v - 850MW (TA)
AOB2140L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2140L 1.8278
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB21 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOB2140LTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 57A (TA), 195a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 9985 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 272W (TC)
AONS36304 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36304 0.3032
RFQ
ECAD 3625 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS363 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aons36304tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 37A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.9V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 42W (TC)
AOK040A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK040A60 6.7519
RFQ
ECAD 6361 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK040 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK040A60 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 70A (TC) 10V 40mohm @ 25a, 10V 3.6V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9320 pf @ 100 v - 500W (TC)
AOT2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2146L 0.9409
RFQ
ECAD 9974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2146 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2146LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 42A (TA), 105A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3830 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 119W (TC)
AOTF2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2144L 1.1829
RFQ
ECAD 6211 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF2144 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOTF2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 46A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 32W (TC)
AOK033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK033V120X2 16.3538
RFQ
ECAD 9615 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOY66920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY66920 0.5595
RFQ
ECAD 6974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOY669 MOSFET (금속 (() TO-251B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOY66920 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 100 v 19.5A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 89W (TC)
AOM033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOM033V120X2 17.9071
RFQ
ECAD 1960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 AOM033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOM033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOD780A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD780A70 0.6229
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD7 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD780A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 7A (TC) 10V 780mohm @ 1.4a, 10V 4.1V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 675 pf @ 100 v - 83W (TC)
AOD66919 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66919 0.6619
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD66 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aod66919tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 156W (TC)
AOT2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2144L 1.0036
RFQ
ECAD 1457 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2144 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 187W (TC)
RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor RH6R025BHTB1 1.8900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RH6R025 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 25A (TA) 6V, 10V 60mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 75 v - 2W (TA), 59W (TC)
DMN6068LK3-13-52 Diodes Incorporated DMN6068LK3-13-52 0.3003
RFQ
ECAD 7529 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6068 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMN6068LK3-13-52 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 10.3 NC @ 10 v ± 20V 502 pf @ 30 v - 2.12W (TA)
DMP2037UFCL-7 Diodes Incorporated DMP2037UFCL-7 0.1254
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerufdfn DMP2037 MOSFET (금속 (() U-DFN1616-6 (k) 다운로드 31-DMP2037UFCL-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 16.5 nc @ 8 v ± 10V 806 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0.1462
RFQ
ECAD 4164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, DSBGA DMN1032 MOSFET (금속 (() x1-dsn1010-4 (유형 b) 다운로드 31-DMN1032UCP4-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 1a, 10V 1.2V @ 250µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 8V 325 pf @ 6 v - 790MW (TA)
DMP3007LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3007LK3Q-13 0.5272
RFQ
ECAD 3561 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP3007 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMP3007LK3Q-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 18.5A (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 17a, 10V 2.8V @ 250µA 64.2 NC @ 10 v ± 20V 2826 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R, LF 0.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C 표면 표면 6-SMD,, 리드 SSM6J808 MOSFET (금속 (() 6TSOP-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 7A (TA) 4V, 10V 35mohm @ 2.5a, 10V 2V @ 100µa 24.2 NC @ 10 v +10V, -20V 1020 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
DMTH41M2SPS-13 Diodes Incorporated DMTH41M2SPS-13 2.8100
RFQ
ECAD 8948 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 225A (TC) 10V 1.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 11085 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 158W (TC)
IPC26N10NRX1SA1 Infineon Technologies IPC26N10NRX1SA1 -
RFQ
ECAD 1997 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모 쓸모 IPC26N 다운로드 쓸모없는 1
NVLJWS022N06CLTAG onsemi NVLJWS022N06CLTAG 0.3079
RFQ
ECAD 3 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 6-powerwdfn NVLJWS022 MOSFET (금속 (() 6-WDFNW (2.05x2.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NVLJWS022N06CLTAGTR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.2A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8a, 10V 2V @ 77µA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 440 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 28W (TC)
SSFL0956 Good-Ark Semiconductor SSFL0956 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 4A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 5.2W (TC)
GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550 1.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 150 v 50A (TC) 10V 25A, 25A, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 75 v - 133W (TC)
SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V - 15 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 2W (TA)
GSFW0202 Good-Ark Semiconductor GSFW0202 0.2200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 10,000 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 230mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 700MW (TA)
IPQC65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies IPQC65R040CFD7XTMA1 7.4950
RFQ
ECAD 3363 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op IPDQ65 MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22 - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 750 n 채널 650 v 64A (TC) 10V 40mohm @ 24.8a, 10V 4.5V @ 1.24ma 97 NC @ 10 v ± 20V 4975 pf @ 400 v - 357W (TC)
GT035N10T Goford Semiconductor GT035N10T 2.4124
RFQ
ECAD 2959 0.00000000 goford 반도체 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 3141-GT035N10T 귀 99 8541.29.0000 50 n 채널 100 v 190a (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 6057 pf @ 50 v - 250W (TC)
SSF2300 Good-Ark Semiconductor SSF2300 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 4.5A 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 10 v - 1.3W
GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308 0.3500
RFQ
ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 n 채널 30 v 780MA (TA) 2.5V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 146 pf @ 15 v - 446MW (TA)
GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor GS2N7002KW 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 350MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고