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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix SQM50034E_GE3 2.4700
RFQ
 ECAD 1155 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM50034 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 3.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 6600 pf @ 25 v - 150W (TC)
SISHA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISHA12ADN-T1-GE3 0.8600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH Sisha12 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 22A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA 45 NC @ 10 v +20V, -16V 2070 pf @ 15 v - 3.5W (TA), 28W (TC)
MSC025SMA120S Microchip Technology MSC025SMA120S 41.0600
RFQ
 ECAD 634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA MSC025 sicfet ((카바이드) d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 691-MSC025SMA120S 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 89A (TC) - - - - - -
RQ5A020ZPTL Rohm Semiconductor RQ5A020ZPTL 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-96 RQ5A020 MOSFET (금속 (() TSMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2A (TA) 1.5V, 4.5V 105mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 1mA 6.5 NC @ 4.5 v ± 10V 770 pf @ 6 v - 700MW (TA)
RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor rq6a050zptr 0.9500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6A050 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 5A (TA) 1.5V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 1mA 35 NC @ 4.5 v ± 10V 2850 pf @ 6 v - 950MW (TA)
RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor rq6e040xntcr 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RQ6E040 MOSFET (금속 (() TSMT6 (SC-95) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 4V, 10V 50mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 v ± 20V 180 pf @ 10 v - 950MW (TA)
RS1E350GNTB Rohm Semiconductor rs1e350gntb 2.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn RS1E MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 35A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 1mA 68 NC @ 10 v ± 20V 4060 pf @ 15 v - 3W (TA)
IRFC048N Infineon Technologies IRFC048N -
RFQ
 ECAD 2345 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모 쓸모 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001577740 쓸모없는 1
IXTA100N15X4 IXYS IXTA100N15X4 10.6400
RFQ
 ECAD 8348 0.00000000 ixys x4 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA100 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 150 v 100A (TC) 10V 11.5mohm @ 50a, 10V 4.5V @ 250µA 74 NC @ 10 v ± 20V 3970 pf @ 25 v - 375W (TC)
2SJ670-TD-E onsemi 2SJ670-TD-E 0.2600
RFQ
 ECAD 974 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
BUK9875-100A/C1115 NXP USA Inc. BUK9875-100A/C1115 -
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
2SJ654 onsemi 2SJ654 0.6300
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BUK7628-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK7628-55A/C1118 0.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
UPA2710GR-E2-A Renesas Electronics America Inc UPA2710GR-E2-A 1.4400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3573-ZK-E1-AZ 2.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
SSI7N60BTU Fairchild Semiconductor SSI7N60BTU 0.3900
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
IPB65R380C6 Infineon Technologies IPB65R380C6 0.9200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 3.5V @ 320µA 39 NC @ 10 v ± 20V 710 pf @ 100 v - 83W (TC)
RJK0651DPB-0T#J5 Renesas Electronics America Inc RJK0651DPB-0T#J5 -
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
MTB3N60E onsemi MTB3N60E -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 550
MTDF1C02HDR2 onsemi mtdf1c02hdr2 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.21.0095 1
UPA2708GR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2708GR-E1-AT 1.9200
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500
2SK3348CNTL-E Renesas Electronics America Inc 2SK3348CNTL-E 0.1500
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
HUF76132S3ST Fairchild Semiconductor HUF76132S3st 0.9800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 75A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 75a, 10V 3V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 25 v - 120W (TC)
IPI80N04S3-04 Infineon Technologies IPI80N04S3-04 -
RFQ
 ECAD 8281 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 370
2SJ328-Z-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ328-Z-AZ 2.7800
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 쓸모 쓸모 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 125
ISL9N310AP3 Fairchild Semiconductor ISL9N310AP3 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 62A (TC) 4.5V, 10V 10ohm @ 62a, 10a 3V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 20V 1800 pf @ 15 v - 70W (TA)
2SK2623-TL-E onsemi 2SK2623-TL-E 0.6300
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BSB012N03LX3GXUMA1 Infineon Technologies BSB012N03LX3GXUMA1 1.0800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
HUF75631SK8 Fairchild Semiconductor HUF75631SK8 0.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 5.5A (TA) 10V 39mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 79 NC @ 20 v ± 20V 1225 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
HUF76143S3 Fairchild Semiconductor HUF76143S3 0.7500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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