전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | irf730strl | - | ![]() | 1415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF730 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 400 v | 5.5A (TC) | 10V | 1ohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 20V | 700 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||
![]() | IXFJ15N100Q | - | ![]() | 6847 | 0.00000000 | ixys | - | 튜브 | 쓸모없는 | IXFJ15 | - | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 30 | - | |||||||||||||||||||
ixft60n65x2hv | 12.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Ultra X2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | IXFT60 | MOSFET (금속 (() | TO-268HV (IXFT) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | -ixft60n65x2hv | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 60A (TC) | 10V | 52mohm @ 30a, 10V | 5V @ 4MA | 108 NC @ 10 v | ± 30V | 6300 pf @ 25 v | - | 780W (TC) | ||
![]() | HAT1072H-EL-E | - | ![]() | 8162 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | HAT1072 | MOSFET (금속 (() | LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 40A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | - | 155 NC @ 10 v | +10V, -20V | 9500 pf @ 10 v | - | 30W (TC) | ||
![]() | IAUS200N08S5N023ATMA1 | 4.8300 | ![]() | 652 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powersmd, 갈매기 날개 | IAUS200 | MOSFET (금속 (() | PG-HSOG-8-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n 채널 | 80 v | 200a (TC) | 6V, 10V | 2.3mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 130µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 7670 pf @ 40 v | - | 200W (TC) | ||
![]() | yjg50n03a | 0.1870 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-yjg50n03atr | 귀 99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | STMFS5C628NLT1G | 3.5300 | ![]() | 3158 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | STMFS5 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 0000.00.0000 | 1,500 | |||||||||||||||||||
![]() | SIHB24N65E-GE3 | 5.9300 | ![]() | 4624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIHB24 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 24A (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10V | 4V @ 250µA | 122 NC @ 10 v | ± 30V | 2740 pf @ 100 v | - | 250W (TC) | |||
![]() | IRFP90N20DPBF | 7.9600 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRFP90 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 200 v | 94A (TC) | 10V | 23mohm @ 56a, 10V | 5V @ 250µA | 270 nc @ 10 v | ± 30V | 6040 pf @ 25 v | - | 580W (TC) | ||
![]() | STI26NM60N | 4.7400 | ![]() | 942 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | STI26N | MOSFET (금속 (() | i2pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 165mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 25V | 1800 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | ||
![]() | irfr13n20dtrl | - | ![]() | 2469 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 200 v | 13A (TC) | 10V | 235mohm @ 8a, 10V | 5.5V @ 250µA | 38 NC @ 10 v | ± 30V | 830 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||
![]() | auirfr3607trl | 1.5381 | ![]() | 8834 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR3607 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001519596 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 75 v | 56A (TC) | 9mohm @ 46a, 10V | 4V @ 100µa | 84 NC @ 10 v | 3070 pf @ 50 v | - | 140W (TC) | |||
![]() | SL03P10-TP | 0.1326 | ![]() | 3704 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SL03 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3L | 다운로드 | 353-SL03P10-TP | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | p 채널 | 100 v | 3A | 4.5V, 10V | 286mohm @ 1a, 10V | 2V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 1010 pf @ 50 v | - | 830MW | ||||
![]() | tpic1505dwr | 1.5800 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | Phk04p02t, 518 | - | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 16 v | 4.66A (TC) | 2.5V, 10V | 120mohm @ 1a, 4.5v | 600mv @ 1ma (유형) | 7.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 528 pf @ 12.8 v | - | 5W (TC) | |||
![]() | IQD016N08NM5ATMA1 | 2.0874 | ![]() | 1989 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 448-IQD016N08NM5ATMA1TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | STD3N40K3 | 1.5100 | ![]() | 88 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh3 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | std3 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.4ohm @ 900ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 165 pf @ 50 v | - | 30W (TC) | ||
![]() | DMP3010LK3Q-13 | 0.9100 | ![]() | 9755 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DMP3010 | MOSFET (금속 (() | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 30 v | 17A (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 250µA | 59.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 6234 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA) | ||
![]() | SI7456DDP-T1-GE3 | 1.6700 | ![]() | 9553 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7456 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 27.8A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10a, 10V | 2.8V @ 250µA | 29.5 nc @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 35.7W (TC) | |||
IRF840BPBF | 1.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF840 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 8.7A (TC) | 10V | 850mohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 527 pf @ 100 v | - | 156W (TC) | ||||
![]() | PMPB50ENEAX | - | ![]() | 7025 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB50 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934070701115 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.1A (TA) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 5.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 271 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | |
![]() | BUK9Y7R2-60E, 115 | 1.4000 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | buk9y7 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TC) | 5V | 5.6mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 35 NC @ 5 v | ± 10V | 5026 pf @ 25 v | - | 167W (TC) | ||
![]() | IRFZ44VZSPBF | 1.1439 | ![]() | 5081 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFZ44 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 57A (TC) | 10V | 12MOHM @ 34A, 10V | 4V @ 250µA | 65 nc @ 10 v | ± 20V | 1690 pf @ 25 v | - | 92W (TC) | ||
![]() | NTMFS4C09NT1G-001 | - | ![]() | 3311 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 9A (TA), 52A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250µA | 22.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1252 pf @ 15 v | - | 760MW (TA) | |||
![]() | IPU60R1K5CEBKMA1 | - | ![]() | 2850 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | IPU60R | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 600 v | 3.1A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 1.1a, 10V | 3.5V @ 90µA | 9.4 NC @ 10 v | ± 20V | 200 pf @ 100 v | - | 28W (TC) | ||
![]() | 2N6788U | - | ![]() | 1196 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 4.5A (TC) | 10V | 300mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TC) | ||||
![]() | FCP20N60 | 5.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP20 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 190mohm @ 10a, 10V | 5V @ 250µA | 98 NC @ 10 v | ± 30V | 3080 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||
![]() | NVB110N65S3F | 6.5800 | ![]() | 2004 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | NVB110 | MOSFET (금속 (() | D²PAK-3 (TO-263-3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 10V | 110mohm @ 15a, 10V | 5V @ 3MA | 58 NC @ 10 v | ± 30V | 2560 pf @ 400 v | - | 240W (TC) | ||
![]() | TSM2312CX RFG | 0.5900 | ![]() | 190 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TSM2312 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 4.9a, 4.5v | 1V @ 250µA | 11.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 500 pf @ 10 v | - | 750MW (TA) | ||
![]() | IRFI744GPBF | - | ![]() | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | IRFI744 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFI744GPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 450 v | 4.9A (TC) | 10V | 630mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 25 v | - | 40W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고