SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXTP36P15P IXYS IXTP36P15P 6.7600
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 ixys p3 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP36 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 150 v 36A (TC) 10V 110mohm @ 18a, 10V 4.5V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR3706TR Infineon Technologies irfr3706tr -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 20 v 75A (TC) 2.8V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 12V 2410 pf @ 10 v - 88W (TC)
IRFI620 Vishay Siliconix IRFI620 -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI620 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFI620 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 4.1A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 30W (TC)
IXTP6N100D2 IXYS IXTP6N100D2 7.9600
RFQ
 ECAD 539 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IXTP6 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 6A (TC) - 2.2ohm @ 3a, 0v - 95 NC @ 5 v ± 20V 2650 pf @ 25 v 고갈 고갈 300W (TC)
IXTH44N30T IXYS IXTH44N30T -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 ixys 도랑 튜브 활동적인 - 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXTH44 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 44A (TC) - - - -
IXFT13N100 IXYS IXFT13N100 -
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 - 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT13 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 12.5A (TC) 10V 900mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR420TRPBF Vishay Siliconix irfr420trpbf 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
STPLED524 STMicroelectronics Spled524 -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Spled524 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 2.2a, 10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 100 v - 45W (TC)
SSR1N60BTM-WS Fairchild Semiconductor SSR1N60BTM-WS 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 900ma (TC) 10V 12ohm @ 450ma, 10V 4V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 30V 215 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 28W (TC)
SI7454DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7454DP-T1-E3 2.0000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7454 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 6V, 10V 34mohm @ 7.8a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
BUK7Y8R7-60EX Nexperia USA Inc. buk7y8r7-60ex 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk7y8 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 87A (TC) 10V 8.7mohm @ 20a, 10V 4V @ 1MA 46 NC @ 10 v ± 20V 3159 pf @ 25 v - 147W (TC)
FDP86363-F085 onsemi FDP86363-F085 3.5500
RFQ
 ECAD 183 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP86363 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 110A (TC) 10V 2.8mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 10000 pf @ 40 v - 300W (TC)
STD1HNC60T4 STMicroelectronics STD1HNC60T4 -
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 stmicroelectronics PowerMesh ™ II 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std1hn MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 15.5 nc @ 10 v ± 30V 228 pf @ 25 v - 50W (TC)
IXTT02N450HV IXYS IXTT02N450HV 33.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXTT02 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 4500 v 200MA (TC) 10V 750ohm @ 10ma, 10V 6.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 256 pf @ 25 v - 113W (TC)
TPIC1505DWR Texas Instruments tpic1505dwr 1.5800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 텍사스 텍사스 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
NTPF082N65S3F onsemi NTPF082N65S3F 7.2800
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NTPF082 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 40A (TC) 10V 82mohm @ 20a, 10V 5V @ 4MA 70 nc @ 10 v ± 30V 3240 pf @ 400 v - 48W (TC)
IRF830ASPBF Vishay Siliconix IRF830ASPBF 2.2000
RFQ
 ECAD 776 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF830 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRF830ASPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 620 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
IRLL014NPBF Infineon Technologies irll014npbf -
RFQ
 ECAD 2042 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001550472 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 2A (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 16V 230 pf @ 25 v - 1W (TA)
STD3LN80K5 STMicroelectronics STD3LN80K5 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD3LN80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 800 v 2A (TC) 10V 3.25ohm @ 1a, 10V 5V @ 100µa 2.63 NC @ 10 v ± 30V 102 pf @ 100 v - 45W (TC)
SSM6K513NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K513NU, LF 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-Mosix-H 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TA) 표면 표면 6-wdfn n 패드 SSM6K513 MOSFET (금속 (() 6-udfnb (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 4a, 10V 2.1v @ 100µa 7.5 NC @ 4.5 v ± 20V 1130 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
NTD5862NT4G onsemi NTD5862NT4G 1.7500
RFQ
 ECAD 8569 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5862 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 98A (TC) 10V 5.7mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 82 NC @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 115W (TC)
IRF7465 Infineon Technologies IRF7465 -
RFQ
 ECAD 8050 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7465 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 150 v 1.9A (TA) 10V 280mohm @ 1.14a, 10V 5.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 330 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
NVB110N65S3F onsemi NVB110N65S3F 6.5800
RFQ
 ECAD 2004 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB NVB110 MOSFET (금속 (() D²PAK-3 (TO-263-3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 30A (TC) 10V 110mohm @ 15a, 10V 5V @ 3MA 58 NC @ 10 v ± 30V 2560 pf @ 400 v - 240W (TC)
CPC5602CTR IXYS Integrated Circuits Division CPC5602CTR 0.9600
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA CPC5602 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 350 v 5MA (TA) 0.35V 14ohm @ 50ma, 350mv - ± 20V 300 pf @ 0 v 고갈 고갈 2.5W (TA)
IPP80P04P4L06AKSA1 Infineon Technologies IPP80P04P4L06AKSA1 -
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80p MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 p 채널 40 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 80a, 10V 2.2V @ 150µA 104 NC @ 10 v +5V, -16V 6580 pf @ 25 v - 88W (TC)
XR46000ESE MaxLinear, Inc. XR46000ESE -
RFQ
 ECAD 9006 0.00000000 Maxlinear, Inc. - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 1.5A (TC) 10V 8ohm @ 750ma, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 30V 170 pf @ 25 v - 20W (TC)
IRF7241TRPBF Infineon Technologies IRF7241TRPBF 0.9700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRF7241 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 p 채널 40 v 6.2A (TA) 4.5V, 10V 41MOHM @ 6.2A, 10V 3V @ 250µA 80 nc @ 10 v ± 20V 3220 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
PHK04P02T,518 Nexperia USA Inc. Phk04p02t, 518 -
RFQ
 ECAD 4284 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 16 v 4.66A (TC) 2.5V, 10V 120mohm @ 1a, 4.5v 600mv @ 1ma (유형) 7.2 NC @ 4.5 v ± 8V 528 pf @ 12.8 v - 5W (TC)
STD3N40K3 STMicroelectronics STD3N40K3 1.5100
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 std3 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 2A (TC) 10V 3.4ohm @ 900ma, 10V 4.5V @ 50µA 11 NC @ 10 v ± 30V 165 pf @ 50 v - 30W (TC)
STI26NM60N STMicroelectronics STI26NM60N 4.7400
RFQ
 ECAD 942 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA STI26N MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 25V 1800 pf @ 50 v - 140W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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