SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
FDFMA2P853 onsemi FDFMA2P853 -
RFQ
 ECAD 4106 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 FDFMA2 MOSFET (금속 (() 6 x 2 (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 1.8V, 4.5V 120mohm @ 3a, 4.5v 1.3V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 8V 435 pf @ 10 v Schottky 분리 (다이오드) 1.4W (TA)
DMN10H220LFVW-7 Diodes Incorporated DMN10H220LFVW-7 0.1376
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN10H220LFVW-7TR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 11A (TC) 4.5V, 10V 222mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 6.7 NC @ 10 v ± 20V 366 pf @ 50 v - 2.4W (TA), 41W (TC)
APT8014L2LLG Microchip Technology APT8014L2LLG 48.2204
RFQ
 ECAD 9076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT8014 MOSFET (금속 (() 264 MAX ™ [L2] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 52A (TC) 140mohm @ 26a, 10V 5V @ 5MA 285 NC @ 10 v 7238 pf @ 25 v -
TP65H150G4LSG-TR Transphorm TP65H150G4LSG-TR 5.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 반죽 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-powertsfn Ganfet ((갈륨) 2-PQFN (8x8) - Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 13A (TC) 10V 180mohm @ 8.5a, 10V 4.8V @ 500µA 8 nc @ 10 v ± 20V 598 pf @ 400 v - 52W (TC)
IRF731 Harris Corporation IRF731 1.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 350 v 5.5A (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 600 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFZ34S Vishay Siliconix IRFZ34S -
RFQ
 ECAD 8353 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFZ34 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFZ34S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 30A (TC) 10V 50mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
AO4488 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4488 -
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 112 NC @ 10 v ± 20V 6800 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
IRLD014PBF Vishay Siliconix irld014pbf 1.5600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) irld014 MOSFET (금속 (() 4-HVMDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *irld014pbf 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 60 v 1.7A (TA) 4V, 5V 200mohm @ 1a, 5V 2V @ 250µA 8.4 NC @ 5 v ± 10V 400 pf @ 25 v - 1.3W (TA)
DMN5L06-7 Diodes Incorporated DMN5L06-7 -
RFQ
 ECAD 1975 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN55 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 280MA (TA) 1.8V, 2.7V 3ohm @ 200ma, 2.7v 1.2V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
FQP19N20L Fairchild Semiconductor FQP19N20L -
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 21A (TC) 5V, 10V 140mohm @ 10.5a, 10V 2V @ 250µA 35 NC @ 5 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 140W (TC)
HUF76429D3ST Fairchild Semiconductor huf76429d3st 0.5300
RFQ
 ECAD 2959 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 404 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1480 pf @ 25 v - 110W (TC)
IPP11N03LA Infineon Technologies IPP11N03LA -
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IP11N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 25 v 30A (TC) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 30a, 10V 2V @ 20µA 11 NC @ 5 v ± 20V 1358 pf @ 15 v - 52W (TC)
RCJ450N20TL Rohm Semiconductor RCJ450N20TL 3.3900
RFQ
 ECAD 67 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB RCJ450 MOSFET (금속 (() lpt 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 200 v 45A (TC) 10V 55mohm @ 22.5a, 10V 5V @ 1MA 80 nc @ 10 v ± 30V 4200 pf @ 25 v - 1.56W (TA), 40W (TC)
BS170-D26Z Fairchild Semiconductor BS170-D26Z 0.1000
RFQ
 ECAD 172 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 귀 99 8541.21.0095 3,406 n 채널 60 v 500MA (TA) 10V 5ohm @ 200ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 10 v - 830MW (TA)
IXFK52N60Q2 IXYS IXFK52N60Q2 -
RFQ
 ECAD 5358 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q2 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK52 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 600 v 52A (TC) 10V 115mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 8mA 198 NC @ 10 v ± 30V 6800 pf @ 25 v - 735W (TC)
IXFN44N80P IXYS ixfn44n80p 34.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 IXFN44 MOSFET (금속 (() SOT-227B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 800 v 39A (TC) 10V 190mohm @ 500ma, 10V 5V @ 8MA 200 nc @ 10 v ± 30V 12000 pf @ 25 v - 694W (TC)
NTNS3164NZT5G onsemi NTNS3164NZT5G 0.4000
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn NTNS3164 MOSFET (금속 (() SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 20 v 361MA (TA) 1.5V, 4.5V 700mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 8V 24 pf @ 10 v - 155MW (TA)
STU2NK100Z STMicroelectronics stu2nk100z 3.3600
RFQ
 ECAD 5444 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU2NK100 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 1000 v 1.85A (TC) 10V 8.5ohm @ 900ma, 10V 4.5V @ 50µA 16 nc @ 10 v ± 30V 499 pf @ 25 v - 70W (TC)
NDD60N550U1-35G onsemi NDD60N550U1-35G -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NDD60 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 8.2A (TC) 10V 550mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 25V 540 pf @ 50 v - 94W (TC)
SPU07N60S5 Infineon Technologies SPU07N60S5 -
RFQ
 ECAD 9609 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu07n MOSFET (금속 (() PG-to251-3-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 4.6a, 10V 5.5V @ 350µA 35 NC @ 10 v ± 20V 970 pf @ 25 v - 83W (TC)
NTD18N06LG onsemi NTD18N06LG -
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD18 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 18A (TA) 5V 65mohm @ 9a, 5V 2V @ 250µA 22 nc @ 5 v ± 15V 675 pf @ 25 v - 2.1W (TA), 55W (TJ)
BUK6E4R0-75C,127 Nexperia USA Inc. buk6e4r0-75c, 127 -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 25A, 10V 2.8V @ 1MA 234 NC @ 10 v ± 16V 15450 pf @ 25 v - 306W (TC)
IRL630S Vishay Siliconix IRL630S -
RFQ
 ECAD 7528 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl630 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL630S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 4V, 5V 400mohm @ 5.4a, 5V 2V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 10V 1100 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 74W (TC)
AOB442 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB442 -
RFQ
 ECAD 6889 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB44 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 21A (TA), 105A (TC) 4.5V, 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.3V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 5600 pf @ 20 v - 3.5W (TA), 150W (TC)
IXFT17N80Q IXYS IXFT17N80Q -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA IXFT17 MOSFET (금속 (() TO-268AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 600mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 v ± 20V 3600 pf @ 25 v - 400W (TC)
IRLU3714PBF Infineon Technologies irlu3714pbf -
RFQ
 ECAD 4038 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 4.5 v ± 20V 670 pf @ 10 v - 47W (TC)
FDP6035AL onsemi FDP6035AL -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP60 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 30 v 48A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 24A, 10V 3V @ 250µA 18 nc @ 5 v ± 20V 1250 pf @ 15 v - 52W (TC)
IXTA1R6N100D2 IXYS IXTA1R6N100D2 3.2300
RFQ
 ECAD 221 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA1 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 1.6A (TC) 10V 10ohm @ 800ma, 0v - 27 NC @ 5 v ± 20V 645 pf @ 25 v 고갈 고갈 100W (TC)
AUIRFS8409 Infineon Technologies AUIRFS8409 -
RFQ
 ECAD 3891 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS8409 MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 195a (TC) 10V 1.2MOHM @ 100A, 10V 3.9V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 14240 pf @ 25 v - 375W (TC)
IPC50N04S5L5R5ATMA1 Infineon Technologies IPC50N04S5L5R5ATMA1 1.0000
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, Optimos ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IPC50N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 25a, 10V 2V @ 13µA 23 nc @ 10 v ± 16V 1209 pf @ 25 v - 42W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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