SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF530S Vishay Siliconix IRF530S -
RFQ
 ECAD 4348 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF530 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF530S 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 14A (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 88W (TC)
IRFU3504Z Infineon Technologies IRFU3504Z -
RFQ
 ECAD 7414 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() IPAK (TO-251AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU3504Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 50µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
64-2042 Infineon Technologies 64-2042 -
RFQ
 ECAD 7675 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF1404 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 75A (TC) 10V 3.7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 150 nc @ 10 v ± 20V 4340 pf @ 25 v - 220W (TC)
IRF630FP STMicroelectronics IRF630FP -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 stmicroelectronics 메쉬 메쉬 ™ ii 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IRF6 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 9A (TC) 10V 400mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 30W (TC)
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K7002KF, LF 0.3300
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 U-mosvii-h 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SSM3K7002 MOSFET (금속 (() S- 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 400MA (TA) 4.5V, 10V 1.5ohm @ 100ma, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 40 pf @ 10 v - 270MW (TA)
MTB15N06VT4 Motorola MTB15N06VT4 0.6400
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 모토로라 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받습니다 2156-MTB15N06VT4-600066 1
BSP295L6327HTSA1 Infineon Technologies BSP295L6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 1.8A (TA) 4.5V, 10V 300mohm @ 1.8a, 10V 1.8V @ 400µA 17 nc @ 10 v ± 20V 368 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
RFD16N05LSM9A onsemi RFD16N05LSM9A 1.1100
RFQ
 ECAD 3799 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFD16N05 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 50 v 16A (TC) 4V, 5V 47mohm @ 16a, 5V 2V @ 250ma 80 nc @ 10 v ± 10V - 60W (TC)
IRFR3708TRRPBF Infineon Technologies irfr3708trrpbf -
RFQ
 ECAD 5439 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR3708 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001575934 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 61A (TC) 2.8V, 10V 12.5mohm @ 15a, 10V 2V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 12V 2417 pf @ 15 v - 87W (TC)
IRLZ44ZL Infineon Technologies IRLZ44ZL -
RFQ
 ECAD 6602 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLZ44ZL 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 51A (TC) 4.5V, 10V 13.5mohm @ 31a, 10V 3V @ 250µA 36 nc @ 5 v ± 16V 1620 pf @ 25 v - 80W (TC)
IRF7413Z Infineon Technologies IRF7413Z -
RFQ
 ECAD 4520 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF7413Z 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 13A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 13a, 10V 2.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFU224 Vishay Siliconix IRFU224 -
RFQ
 ECAD 2961 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFU2 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFU224 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 250 v 3.8A (TC) 10V 1.1ohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 260 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFP354 Vishay Siliconix IRFP354 -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP354 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRFP354 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 450 v 14A (TC) 10V 350mohm @ 8.4a, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 2700 pf @ 25 v - 190W (TC)
FDB8030L onsemi FDB8030L -
RFQ
 ECAD 5374 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB803 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 80A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 170 nc @ 5 v ± 20V 10500 pf @ 15 v - 187W (TC)
CSD17381F4 Texas Instruments CSD17381F4 0.4200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn CSD17381 MOSFET (금속 (() 3- 시코스타 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.1A (TA) 1.8V, 4.5V 109mohm @ 500ma, 8a 1.1V @ 250µA 1.35 nc @ 4.5 v 12V 195 pf @ 15 v - 500MW (TA)
DMNH6021SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPSQ-13 0.7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH6021 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 55A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 19.7 NC @ 10 v ± 20V 1016 pf @ 30 v - 1.6W (TA), 53W (TC)
DMN67D8LV-7 Diodes Incorporated DMN67D8LV-7 0.0788
RFQ
 ECAD 5164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DMN67 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000
2N6800 Microsemi Corporation 2N6800 -
RFQ
 ECAD 7454 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AF af 캔 MOSFET (금속 (() To-39 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 5.75 nc @ 10 v ± 20V - 800MW (TA), 25W (TC)
FDS6162N3 onsemi FDS6162N3 -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS61 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 21A (TA) 2.5V, 4.5V 4.5mohm @ 21a, 4.5v 1.5V @ 250µA 73 NC @ 4.5 v ± 12V 5521 pf @ 10 v - 3W (TA)
IRLI520NPBF Infineon Technologies IRLI520NPBF -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220AB Full-Pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 8.1A (TC) 4V, 10V 180mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 16V 440 pf @ 25 v - 30W (TC)
2N7000 onsemi 2N7000 -
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N7000 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 400MW (TA)
AUIRF7799L2TR International Rectifier AUIRF7799L2TR -
RFQ
 ECAD 5314 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 250 v 375A (TC) 10V 38mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 30V 6714 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 125W (TC)
AUIRFP1405-203 Infineon Technologies AUIRFP1405-203 -
RFQ
 ECAD 5788 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 160A (TC)
PJP60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R190E_T0_00001 1.5046
RFQ
 ECAD 5424 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R190E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.1A (TA), 20A (TC) 10V 196MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 25 v - 2W (TA), 231W (TC)
2SK4021(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK4021 (Q) -
RFQ
 ECAD 5729 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK 2SK4021 MOSFET (금속 (() PW-Mold2 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 200 n 채널 250 v 4.5A (TA) 10V 1ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 1mA 10 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 10 v - 20W (TC)
NE5550279A-T1A-A Renesas Electronics America Inc NE5550279A-T1A-A 3.9100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000
FQP6N50 Fairchild Semiconductor FQP6N50 1.0000
RFQ
 ECAD 5118 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 5.5A (TC) 10V 1.3ohm @ 2.8a, 10V 5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 790 pf @ 25 v - 98W (TC)
IPP100N04S2L03AKSA1 Infineon Technologies IPP100N04S2L03AKSA1 -
RFQ
 ECAD 2849 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP100N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 80a, 10V 2V @ 250µA 230 nc @ 10 v ± 20V 6000 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR420TRPBF Vishay Siliconix irfr420trpbf 1.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR420 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 2.4A (TC) 10V 3ohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
NTD20N06-001 onsemi NTD20N06-001 -
RFQ
 ECAD 2031 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD20 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 20A (TA) 10V 46mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 25 v - 1.88W (TA), 60W (TJ)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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