SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RQ3E100BNTB Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB 0.4300
RFQ
ECAD 103 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn RQ3E100 MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 10A, 10A, 10V 2.5V @ 1mA 22 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 2W (TA)
GSFP0365 Good-Ark Semiconductor GSFP0365 0.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (4.89x5.74) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 4,000 p 채널 30 v 64A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 64.3 NC @ 10 v ± 20V 1360 pf @ 15 v - 56.8W (TC)
NDF06N60ZH onsemi NDF06N60ZH -
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF06 MOSFET (금속 (() TO-220-2 풀 -2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7.1A (TC) 10V 1.2ohm @ 3a, 10V 4.5V @ 100µa 47 NC @ 10 v ± 30V 1107 pf @ 25 v - 35W (TC)
FDC3616N onsemi FDC3616N -
RFQ
ECAD 6707 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP FDC3616 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 FLMP 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 3.7A (TA) 6V, 10V 70mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 1215 pf @ 50 v - 2W (TA)
TK40P03M1(T6RDS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK40P03M1 (T6RDS-Q) -
RFQ
ECAD 6022 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 u-mosvi-h 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TK40P03 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) TK40P03M1T6RDSQ 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 40A (TA) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 20a, 10V 2.3v @ 100µa 17.5 nc @ 10 v ± 20V 1150 pf @ 10 v - -
RS3L140GNGZETB Rohm Semiconductor RS3L140GNGZETB 2.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RS3L MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 14A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 14a, 10V 2.7V @ 500µA 58 NC @ 10 v ± 20V 2980 pf @ 30 v - 1.4W (TA)
NTGS3447PT1G onsemi NTGS3447PT1G -
RFQ
ECAD 8668 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 NTGS34 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 3.4A (TA) 1.8V, 4.5V 4.7a, 4.5V 40mohm 1V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 8V 1053 pf @ 6 v - 700MW (TA)
AOD516_050 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD516_050 -
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD51 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 18A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 33 NC @ 10 v ± 20V 1229 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
IRLU3717PBF Infineon Technologies irlu3717pbf -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4mohm @ 15a, 10V 2.45V @ 250µA 31 NC @ 4.5 v ± 20V 2830 pf @ 10 v - 89W (TC)
HUFA76413D3ST onsemi hufa76413d3st -
RFQ
ECAD 3342 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa76 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 49mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 16V 645 pf @ 25 v - 60W (TC)
IRL640STRL Vishay Siliconix irl640strl -
RFQ
ECAD 7857 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB irl640 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 17A (TC) 4V, 5V 180mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 66 NC @ 5 v ± 10V 1800 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 125W (TC)
STL70N10F3 STMicroelectronics STL70N10F3 -
RFQ
ECAD 7814 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ iii 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn STL70 MOSFET (금속 (() Powerflat ™ (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 82A (TC) 10V 8.4mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3210 pf @ 25 v - 136W (TC)
PHB45NQ10T,118 Nexperia USA Inc. PHB45NQ10T, 118 1.8300
RFQ
ECAD 430 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB45NQ10 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 47A (TC) 10V 25mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 61 NC @ 10 v ± 20V 2600 pf @ 25 v - 150W (TC)
IPD250N06N3GBTMA1 Infineon Technologies IPD250N06N3GBTMA1 -
RFQ
ECAD 8402 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD250N MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 28A (TC) 10V 25mohm @ 28a, 10V 4V @ 11µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 36W (TC)
AO4435L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4435L_101 -
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AO44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 30 v 10.5A (TA) 5V, 20V 14mohm @ 11a, 20V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 25V 1400 pf @ 15 v - 3.1W (TA)
IRFR010 Vishay Siliconix IRFR010 -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR010 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR010 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 50 v 8.2A (TC) 10V 200mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 25 v - 25W (TC)
FDS7088N3 onsemi FDS7088N3 -
RFQ
ECAD 2676 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 FDS70 MOSFET (금속 (() 8- flmp 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 21A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 21a, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 3W (TA)
IXFK210N30X3 IXYS IXFK210N30X3 34.4000
RFQ
ECAD 456 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X3 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK210 MOSFET (금속 (() TO-264 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 300 v 210A (TC) 10V 5.5mohm @ 105a, 10V 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 v ± 20V 24200 pf @ 25 v - 1250W (TC)
SIDR626LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3 3.0400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SIDR626 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8DC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 742-SIDR626LDP-T1-RE3TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45.6A (TA), 2.4A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 v ± 20V 5900 pf @ 30 v - 6.25W (TA), 125W (TC)
DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7 0.1628
RFQ
ECAD 6565 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMS2220 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -DMS2220LFDB-7DITR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 4.5V 95mohm @ 2.8a, 4.5v 1.3V @ 250µA ± 12V 632 pf @ 10 v - 1.4W (TA)
BSS215P H6327 Infineon Technologies BSS215P H6327 -
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ P2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() PG-SOT23-3-5 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 150mohm @ 1.5a, 4.5v 600MV @ 11µA 3.6 NC @ 4.5 v ± 12V 346 pf @ 15 v - 500MW (TA)
CSD18532Q5BT Texas Instruments CSD18532Q5BT 2.9600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD18532 MOSFET (금속 (() 8-vsonp (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 60 v 100A (TA) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 25a, 10V 2.2V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 20V 5070 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 156W (TC)
2SK3902(0)-ZK-E1-AY Renesas Electronics America Inc 2SK3902 (0) -zk-e1-ay -
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000 30A (TC)
AUIRFS4310TRL International Rectifier auirfs4310trl 1.0000
RFQ
ECAD 7915 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 250 nc @ 10 v ± 20V 7670 pf @ 50 v - 300W (TC)
BUK9230-55A/C1118 NXP USA Inc. BUK9230-55A/C1118 0.2900
RFQ
ECAD 31 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 2,500
NTD23N03R-001 onsemi NTD23N03R-001 -
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD23 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 25 v 3.8A (TA), 17.1A (TC) 4V, 5V 45mohm @ 6a, 10V 2V @ 250µA 3.76 NC @ 4.5 v ± 20V 225 pf @ 20 v - 1.14W (TA), 22.3W (TC)
NVMFS5C612NLT1G onsemi NVMFS5C612NLT1G 4.1100
RFQ
ECAD 273 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 36A (TA), 235A (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 50a, 10V 2V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 20V 6660 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 167W (TC)
CTLDM7002A-M621 TR Central Semiconductor Corp CTLDM7002A-M621 TR -
RFQ
ECAD 4103 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powervfdfn MOSFET (금속 (() TLM621 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 280MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.592 NC @ 4.5 v 40V 50 pf @ 25 v - 900MW (TA)
AUIRFB8405-071 International Rectifier AUIRFB8405-071 3.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 국제 국제 * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-AUIRFB8405-071-600047 101
BSP322PL6327HTSA1 Infineon Technologies BSP322PL6327HTSA1 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() PG-SOT223-4-21 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 100 v 1A (TC) 4.5V, 10V 800mohm @ 1a, 10V 1V @ 380µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 372 pf @ 25 v - 1.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고