SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
BSL202SNL6327 Infineon Technologies BSL202SNL6327 0.1600
RFQ
ECAD 9535 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ 2 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() PG-TSOP6-6-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 646 n 채널 20 v 7.5A (TA) 2.5V, 4.5V 22mohm @ 7.5a, 4.5v 1.2V @ 30µA 8.7 NC @ 4.5 v ± 12V 1147 pf @ 10 v - 2W (TA)
IRLU3715 Infineon Technologies IRLU3715 -
RFQ
ECAD 2581 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRLU3715 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 20 v 54A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1060 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 71W (TC)
RCD100N19TL Rohm Semiconductor RCD100N19TL 1.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RCD100 MOSFET (금속 (() CPT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 190 v 10A (TC) 4V, 10V 182mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 52 NC @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 25 v - 850MW (TA), 20W (TC)
BUK95150-55A,127 NXP USA Inc. BUK95150-55A, 127 -
RFQ
ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 13A (TC) 4.5V, 10V 137mohm @ 13a, 10V 2V @ 1mA ± 10V 339 pf @ 25 v - 53W (TC)
PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc. PXN7R7-25QLJ 0.5600
RFQ
ECAD 639 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() mlpak33 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 25 v 11.8A (TA), 32A (TC) 4.5V, 10V 7.7mohm @ 11.8a, 10V 2.2V @ 250µA 16.6 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 12.5 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
IPP80R360P7XKSA1 Infineon Technologies IPP80R360P7XKSA1 2.8400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP80R360 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 13A (TC) 10V 360mohm @ 5.6a, 10V 3.5V @ 280µA 30 nc @ 10 v ± 20V 930 pf @ 500 v - 84W (TC)
CMS10N10Q8-HF Comchip Technology CMS10N10Q8-HF -
RFQ
ECAD 7858 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC - 641-CMS10N10Q8-HF 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 10A (TA) 4.5V, 10V 25.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1519 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
DMG7401SFGQ-13 Diodes Incorporated DMG7401SFGQ-13 -
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMG7401 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMG7401SFGQ-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 9.8A (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 25V 2987 pf @ 15 v - 940MW (TA)
SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay Siliconix SUP50N03-5M1P-GE3 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SUP50 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 5.1mohm @ 22a, 10V 2.5V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 2780 pf @ 15 v - 2.7W (TA), 59.5W (TC)
NVMFS5844NLT1G onsemi NVMFS5844NLT1G -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS5844 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 11.2A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.3V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1460 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 107W (TC)
RUM002N05T2L Rohm Semiconductor Rum002N05T2L 0.4200
RFQ
ECAD 938 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 Rum002 MOSFET (금속 (() VMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 50 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 2.2ohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 1mA ± 8V 25 pf @ 10 v - 150MW (TA)
RM40P40LD Rectron USA RM40P40LD 0.2600
RFQ
ECAD 1155 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40P40LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 40 v 40A (TC) 10V 14mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 2960 pf @ 20 v - 80W (TC)
AOD425_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD425_001 -
RFQ
ECAD 6526 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD42 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9A (TA), 50A (TC) 5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 25V 2200 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 71W (TC)
IPB25N06S3L-22 Infineon Technologies IPB25N06S3L-22 -
RFQ
ECAD 5746 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB25 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 25A (TC) 5V, 10V 21.3mohm @ 17a, 10V 2.2V @ 20µA 47 NC @ 10 v ± 16V 2260 pf @ 25 v - 50W (TC)
IPI126N10N3G Infineon Technologies IPI126N10N3G 1.0000
RFQ
ECAD 3945 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 58A (TC) 6V, 10V 12.6MOHM @ 46A, 10V 3.5V @ 46µA 35 NC @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 94W (TC)
BUK7Y59-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK7Y59-60E, 115 -
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 0000.00.0000 1
NVMFS4C03NWFT1G onsemi NVMFS4C03NWFT1G 2.1200
RFQ
ECAD 8989 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NVMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 31.4A (TA), 143A (TC) 4.5V, 10V 2.1MOHM @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 45.2 NC @ 10 v ± 20V 3071 pf @ 15 v - 3.71W (TA), 77W (TC)
LSIC1MO120G0025 Littelfuse Inc. LSIC1MO120G0025 43.3900
RFQ
ECAD 8991 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 LSIC1MO120 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 100A (TC) 20V 32mohm @ 50a, 20V 4V @ 30MA 265 NC @ 20 v +22V, -6V 495 pf @ 800 v - 500W (TC)
IXTY1R6N50D2 IXYS IXTY1R6N50D2 3.0700
RFQ
ECAD 16 0.00000000 ixys 고갈 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IXTY1 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 70 n 채널 500 v 1.6A (TC) - 2.3ohm @ 800ma, 0v - 23.7 NC @ 5 v ± 20V 645 pf @ 25 v 고갈 고갈 100W (TC)
AUIRLR014N International Rectifier auirlr014n -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 55 v 10A (TC) 140mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 7.9 NC @ 5 v ± 16V 265 pf @ 25 v - 28W (TC)
CSD18532NQ5BT Texas Instruments CSD18532NQ5BT 2.9700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD18532 MOSFET (금속 (() 8-vson-clip (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 250 n 채널 60 v 100A (TA) 6V, 10V 3.4mohm @ 25a, 10V 3.4V @ 250µA 64 NC @ 10 v ± 20V 5340 pf @ 30 v - 3.1W (TA), 156W (TC)
IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies IPP65R150CFDAAKSA1 6.2800
RFQ
ECAD 6246 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP65R150 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 22.4A (TC) 10V 150mohm @ 9.3a, 10V 4.5V @ 900µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2340 pf @ 100 v - 195.3W (TC)
2SK2624LS-CD11 onsemi 2SK2624LS-CD11 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
APTM20UM09SG Microsemi Corporation APTM20UM09SG -
RFQ
ECAD 9799 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 J3 모듈 MOSFET (금속 (() 기준 기준 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 200 v 195a (TC) 10V 9mohm @ 74.5a, 10V 5V @ 4MA 217 NC @ 10 v ± 30V 12300 pf @ 25 v - 780W (TC)
SPP80N10L Infineon Technologies SPP80N10L -
RFQ
ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
FQH70N10 onsemi FQH70N10 -
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH7 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 23mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3300 pf @ 25 v - 214W (TC)
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated DMP3013SFK-7 0.2393
RFQ
ECAD 8872 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - DMP3013 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 10.5A (TA) - - - - - -
AUIRFS4610 International Rectifier AUIRFS4610 -
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 73A (TC) 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
AON6912ALS Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6912ALS -
RFQ
ECAD 8709 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. * 대부분 쓸모없는 AON6912 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
TSM060N03ECP Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP 0.7524
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 TSM060 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM060N03ECPTR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 70A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1210 pf @ 25 v - 54W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고