SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXFH40N30Q IXYS IXFH40N30Q -
RFQ
ECAD 1537 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH40 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 IXFH40N30Q-NDR 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 300 v 40A (TC) 10V 80mohm @ 500ma, 10V 4V @ 4MA 140 NC @ 10 v ± 20V 3100 pf @ 25 v - 300W (TC)
SI6443DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6443DQ-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 9713 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6443 MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.3A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 8.8A, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 20V - 1.05W (TA)
NTP8G206NG onsemi NTP8G206NG -
RFQ
ECAD 2223 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP8G2 Ganfet ((갈륨) TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 17A (TC) 8V 180mohm @ 11a, 8v 2.6V @ 500µA 9.3 NC @ 4.5 v ± 18V 760 pf @ 480 v - 96W (TC)
IRL3715LPBF Infineon Technologies IRL3715LPBF -
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 54A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 26a, 10V 3V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1060 pf @ 10 v - 3.8W (TA), 71W (TC)
BSC012N06NSATMA1 Infineon Technologies BSC012N06NSATMA1 4.0200
RFQ
ECAD 4419 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSC012 MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 36A (TA), 306A (TC) 6V, 10V 1.2mohm @ 50a, 10V 3.3V @ 147µA 143 NC @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 214W (TC)
STD25N10F7 STMicroelectronics STD25N10F7 1.3900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics DeepGate ™, Stripfet ™ vii 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD25 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 25A (TC) 10V 35mohm @ 12.5a, 10V 4.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 920 pf @ 50 v - 40W (TC)
FQPF17N40T onsemi FQPF17N40T -
RFQ
ECAD 9121 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF17 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 9.5A (TC) 10V 270mohm @ 4.75a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 2300 pf @ 25 v - 56W (TC)
IPS65R1K4C6 Infineon Technologies IPS65R1K4C6 -
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ C6 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 3.2A (TC) 1.4ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 100µA 10.5 nc @ 10 v ± 20V 225 pf @ 100 v - 28W (TC)
LSS050P03FP8TB1 Rohm Semiconductor LSS050P03FP8TB1 -
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-LSS050P03FP8TB1TR 쓸모없는 2,500 -
IXTA26P10T IXYS IXTA26P10T 3.1814
RFQ
ECAD 3031 0.00000000 ixys Trenchp ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA26 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 100 v 26A (TC) 10V 90mohm @ 13a, 10V 4.5V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 15V 3820 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFR9210PBF-BE3 Vishay Siliconix IRFR9210PBF-BE3 0.7655
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9210 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 742-irfr9210pbf-be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 200 v 1.9A (TC) 10V 3ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 8.9 NC @ 10 v ± 20V 170 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
RM90N40DF Rectron USA RM90N40DF 0.4100
RFQ
ECAD 8078 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM90N40DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 5400 pf @ 20 v - 65W (TC)
SCT3105KRC14 Rohm Semiconductor SCT3105KRC14 21.7600
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 SCT3105 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 24A (TC) 18V 137mohm @ 7.6a, 18V 5.6v @ 3.81ma 51 NC @ 18 v +22V, -4V 574 pf @ 800 v - 134W
BUK968R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK968R3-40E, 118 -
RFQ
ECAD 3854 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk96 MOSFET (금속 (() D2PAK - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 75A (TC) 5V, 10V 6.4mohm @ 20a, 10V 2.1v @ 1ma 20.9 NC @ 5 v ± 10V 2600 pf @ 25 v - 96W (TC)
CSD23202W10 Texas Instruments CSD23202W10 0.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-UFBGA, DSBGA CSD23202 MOSFET (금속 (() 4-DSBGA (1x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 2.2A (TA) 1.5V, 4.5V 53mohm @ 500ma, 4.5v 900MV @ 250µA 3.8 NC @ 4.5 v -6V 512 pf @ 6 v - 1W (TA)
H7N0308CF-E Renesas Electronics America Inc H7N0308cf-e 1.0000
RFQ
ECAD 1740 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated DMT32M5LPS-13 0.3373
RFQ
ECAD 8186 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT32 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2MOHM @ 30A, 10V 3V @ 1mA 68 NC @ 10 v ± 20V 3944 pf @ 25 v - 100W (TC)
SQ3418AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix SQ3418AEEV-T1_BE3 0.9300
RFQ
ECAD 4843 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 SQ3418 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 1 (무제한) 742-sq3418aeev-t1_be3tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 8A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 12.4 NC @ 10 v ± 20V 675 pf @ 20 v - 5W (TC)
IPD320N20N3GATMA1 Infineon Technologies IPD320N20N3GATMA1 3.4000
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD320 MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 34A (TC) 10V 32MOHM @ 34A, 10V 4V @ 90µA 29 NC @ 10 v ± 20V 2350 pf @ 100 v - 136W (TC)
PJC7428_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7428_R1_00001 0.4100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7428 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7428_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 350MW (TA)
IPW60R120P7 Infineon Technologies IPW60R120P7 -
RFQ
ECAD 7406 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 26A (TC) 10V 120mohm @ 8.2a, 10V 4V @ 410µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1544 pf @ 400 v - 95W (TC)
IPN70R2K1CEATMA1 Infineon Technologies IPN70R2K1CEATMA1 0.2707
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN70R2 MOSFET (금속 (() PG-SOT223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 2.1ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 70µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 163 pf @ 100 v - 5W (TC)
SIHK075N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix SIHK075N60E-T1-GE3 6.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerbsfn MOSFET (금속 (() PowerPak®10 x 12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 29A (TC) 10V 80mohm @ 13a, 10V 5V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 30V 2582 pf @ 100 v - 167W (TC)
IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPB073N15N5ATMA1 5.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™ -5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IPB073 MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 150 v 114A (TC) 8V, 10V 7.3mohm @ 57a, 10V 4.6V @ 160µA 61 NC @ 10 v ± 20V 4700 pf @ 75 v - 214W (TC)
STFU23N80K5 STMicroelectronics STFU23N80K5 5.3000
RFQ
ECAD 3582 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ K5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STFU23 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 800 v 16A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 5V @ 100µa 33 NC @ 10 v ± 30V 1000 pf @ 100 v - 35W (TC)
AUIRFS3306 Infineon Technologies AUIRFS3306 -
RFQ
ECAD 1499 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001517554 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 4.2MOHM @ 75A, 10V 4V @ 150µA 125 nc @ 10 v ± 20V 4520 pf @ 50 v - 230W (TC)
CPH3431-TL-E onsemi CPH3431-TL-E 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 3,000
IXFR30N110P IXYS ixfr30n110p -
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 극성 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFR30 MOSFET (금속 (() ISOPLUS247 ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1100 v 16A (TC) 10V 400mohm @ 15a, 10V 6.5V @ 1mA 235 NC @ 10 v ± 30V 13600 pf @ 25 v - 320W (TC)
IRL3705ZS Infineon Technologies IRL3705ZS -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRL3705Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v ± 16V 2880 pf @ 25 v - 130W (TC)
PH6030DLBX Nexperia USA Inc. ph6030dlbx -
RFQ
ECAD 2813 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고