SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRF8714PBF Infineon Technologies IRF8714PBF -
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001555772 귀 99 8541.29.0095 95 n 채널 30 v 14A (TA) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 14a, 10V 2.35V @ 25µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1020 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
DMP4013LFGQ-7-52 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-7-52 0.2970
RFQ
 ECAD 8974 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP4013 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 31-DMP4013LFGQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 2,000 p 채널 40 v 10.3A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 68.6 NC @ 10 v ± 20V 3426 pf @ 20 v - 1W (TA)
RJK03E3DNS-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03E3DNS-WS#J5 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
DMN4036LK3-13 Diodes Incorporated DMN4036LK3-13 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN4036 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 8.5A (TA) 4.5V, 10V 36mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 9.2 NC @ 10 v ± 20V 453 pf @ 20 v - 2.12W (TA)
IQE018N06NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6CGSCATMA1 1.1992
RFQ
 ECAD 9800 0.00000000 인피온 인피온 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IQE018N06NM6CGSCATMA1TR 6,000
NTD5407NT4G onsemi NTD5407NT4G -
RFQ
 ECAD 2647 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD54 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.6A (TA), 38A (TC) 5V, 10V 26mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1000 pf @ 32 v - 2.9W (TA), 75W (TC)
FDG329N Fairchild Semiconductor FDG329N 0.1700
RFQ
 ECAD 383 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 324 pf @ 10 v - 420MW (TA)
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-AZ 1.8100
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263, TO-220SMD - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 2156-2SJ604-Z-AZ 귀 99 8541.29.0095 1 p 채널 60 v 45A (TC) 4V, 10V 30mohm @ 23a, 10V 2.5V @ 1mA 63 NC @ 10 v ± 20V 3300 pf @ 10 v - 1.5W (TA), 70W (TC)
FDU6696 Fairchild Semiconductor FDU6696 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 30 v 13A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 5 v ± 16V 1715 pf @ 15 v - 1.6W (TA), 52W (TC)
RFP15N12 Harris Corporation RFP15N12 1.0600
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 120 v 15A (TC) 10V 150mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1700 pf @ 25 v - 75W (TC)
IRFI644GPBF Vishay Siliconix IRFI644GPBF 2.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 IRFI644 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFI644GPBF 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 7.9A (TC) 10V 280mohm @ 4.7a, 10V 4V @ 250µA 68 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 40W (TC)
AOW298 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW298 -
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA AOW29 MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 785-1379-5 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 9A (TA), 58A (TC) 10V 14.5mohm @ 20a, 10V 4.1V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 50 v - 2.1W (TA), 100W (TC)
IPA60R600P7XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600P7XKSA1 1.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R600 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6A (TC) 10V 600mohm @ 1.7a, 10V 4V @ 80µa 9 NC @ 10 v ± 20V 363 pf @ 400 v - 21W (TC)
APT50M65LFLLG Microchip Technology APT50M65LFLLG 28.4300
RFQ
 ECAD 2340 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA APT50M65 MOSFET (금속 (() TO-264 [L] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 67A (TC) 10V 65mohm @ 33.5a, 10V 5V @ 2.5MA 141 NC @ 10 v ± 30V 7010 pf @ 25 v - 694W (TC)
IRFIBF20G Vishay Siliconix irfibf20g -
RFQ
 ECAD 3824 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 irfibf20 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *irfibf20g 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 1.2A (TC) 10V 8ohm @ 720ma, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 20V 490 pf @ 25 v - 30W (TC)
IPDQ65R099CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1 3.5088
RFQ
 ECAD 3833 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, CoolMOS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 22-powerbsop op MOSFET (금속 (() PG-HDSOP-22-1 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 750 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 99mohm @ 9.7a, 10V 4.5V @ 480µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1942 pf @ 400 v - 186W (TC)
RFD4N06LSM9A onsemi RFD4N06LSM9A -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RFD4N MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4A (TC) 5V 600mohm @ 1a, 5V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 10V - 30W (TC)
NP82N055NUG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N055NUG-S18-ay 1.9800
RFQ
 ECAD 350 0.00000000 Renesas Electronics America Inc 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 175 ° C 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() TO-262 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 82A (TC) 6MOHM @ 41A, 10V 4V @ 250µA 160 nc @ 10 v ± 20V 9600 pf @ 25 v - 1.8W (TA), 143W (TC)
AOD502 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD502 -
RFQ
 ECAD 2623 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 알파모 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD50 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 25 v 15A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 2.4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1187 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
AO6424A Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6424A -
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 AO642 MOSFET (금속 (() 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2N65G UMW 2N65G 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 음 음 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 2,500 n 채널 650 v 2A (TJ) 10V 5.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 30V 311 pf @ 25 v - -
FDU068AN03L Fairchild Semiconductor FDU068AN03L 0.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 17A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 5.7mohm @ 35a, 10V 2.5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2525 pf @ 15 v - 80W (TC)
DMN1014UFDF-7 Diodes Incorporated DMN1014UFDF-7 0.1069
RFQ
 ECAD 6708 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN1014 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 12 v 8A (TA) 2.5V, 4.5V 16mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 6.4 NC @ 4.5 v ± 8V 515 pf @ 6 v - 700MW (TA)
IPA70R450P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R450P7SXKSA1 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA70R450 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 10A (TC) 10V 450mohm @ 2.3a, 10V 3.5V @ 120µA 13.1 NC @ 400 v ± 16V 424 pf @ 400 v - 22.7W (TC)
FDD5N50FTF_WS onsemi fdd5n50ftf_ws -
RFQ
 ECAD 8922 0.00000000 온세미 unifet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD5 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 3.5A (TC) 10V 1.55ohm @ 1.75a, 10V 5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 650 pf @ 25 v - 40W (TC)
ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated zxmn3a02x8ta 1.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ZXMN3 MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10V 1V @ 250µA 26.8 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
MMFTN620KDW Diotec Semiconductor MMFTN620KDW 0.0648
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-mmftn620kdwtr 8541.21.0000 3,000 n 채널 350ma 200MW
SPP80N10L Infineon Technologies SPP80N10L -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 spp80n MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 100 v 80A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 58a, 10V 2V @ 2MA 240 NC @ 10 v ± 20V 4540 pf @ 25 v - 250W (TC)
FQH70N10 onsemi FQH70N10 -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FQH7 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 100 v 70A (TC) 10V 23mohm @ 35a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3300 pf @ 25 v - 214W (TC)
AUIRFS4610 International Rectifier AUIRFS4610 -
RFQ
 ECAD 4130 0.00000000 국제 국제 자동차, AEC-Q101, Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 100 v 73A (TC) 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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