SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IXFH230N10T IXYS IXFH230N10T 9.8400
RFQ
 ECAD 110 0.00000000 ixys Hiperfet ™, 트렌치 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH230 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 100 v 230A (TC) 10V 4.7mohm @ 500ma, 10V 4.5V @ 1mA 250 nc @ 10 v ± 20V 15300 pf @ 25 v - 650W (TC)
IXTH2N150L IXYS IXTH2N150L 14.5800
RFQ
 ECAD 286 0.00000000 ixys 선의 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 ixth2 MOSFET (금속 (() TO-247 (ixth) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1500 v 2A (TC) 20V 15ohm @ 1a, 20V 8.5V @ 250µA 72 NC @ 20 v ± 30V 1470 pf @ 25 v - 290W (TC)
STQ1HNK60R-AP STMicroelectronics stq1hnk60r-ap 0.6700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STQ1HNK60 MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 400MA (TC) 10V 8.5ohm @ 500ma, 10V 3.7V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 30V 156 pf @ 25 v - 3W (TC)
IRF9Z34NSTRLPBF Infineon Technologies irf9z34nstrlpbf 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF9Z34 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 55 v 19A (TC) 10V 100mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 20V 620 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 68W (TC)
FCH041N65EFLN4 onsemi FCH041N65EFLN4 -
RFQ
 ECAD 3352 0.00000000 온세미 FRFET®, SUPERFET® II 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 FCH041 MOSFET (금속 (() TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 650 v 76A (TC) 10V 41mohm @ 38a, 10V 5V @ 7.6MA 298 NC @ 10 v ± 20V 12560 pf @ 100 v - 595W (TC)
NTD4858NT4G onsemi NTD4858NT4G 0.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD4858 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 11.2A (TA), 73A (TC) 4.5V, 10V 6.2MOHM @ 30A, 10V 2.5V @ 250µA 19.2 NC @ 4.5 v ± 20V 1563 pf @ 12 v - 1.3W (TA), 54.5W (TC)
IRFS4610 Infineon Technologies IRFS4610 -
RFQ
 ECAD 9160 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFS4610 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 73A (TC) 10V 14mohm @ 44a, 10V 4V @ 100µa 140 NC @ 10 v ± 20V 3550 pf @ 50 v - 190W (TC)
SPP04N50C3HKSA1 Infineon Technologies SPP04N50C3HKSA1 -
RFQ
 ECAD 7417 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SPP04N MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 560 v 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 3.9V @ 200µA 22 nc @ 10 v ± 20V 470 pf @ 25 v - 50W (TC)
IRL3705ZSTRL Infineon Technologies IRL3705ZSTRL -
RFQ
 ECAD 4004 0.00000000 인피온 인피온 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 75A (TC) 8mohm @ 52a, 10V 3V @ 250µA 60 nc @ 5 v 2880 pf @ 25 v -
IRL3102STRLPBF Infineon Technologies irl3102Strlpbf -
RFQ
 ECAD 5395 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 20 v 61A (TC) 4.5V, 7V 13mohm @ 37a, 7v 700mv @ 250µa (최소) 58 NC @ 4.5 v ± 10V 2500 pf @ 15 v - 89W (TC)
BUK7628-55A,118 NXP USA Inc. BUK7628-55A, 118 -
RFQ
 ECAD 3586 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB buk76 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 28mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 1165 pf @ 25 v - 99W (TC)
SL03P10-TP Micro Commercial Co SL03P10-TP 0.1326
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SL03 MOSFET (금속 (() SOT-23-3L 다운로드 353-SL03P10-TP 귀 99 8541.21.0095 1 p 채널 100 v 3A 4.5V, 10V 286mohm @ 1a, 10V 2V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1010 pf @ 50 v - 830MW
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7460DP-T1-E3 2.2000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® SO-8 SI7460 MOSFET (금속 (() PowerPak® SO-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 11A (TA) 4.5V, 10V 9.6mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V - 1.9W (TA)
IPD60R600E6 Infineon Technologies IPD60R600E6 -
RFQ
 ECAD 2415 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ E6 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 63W (TC)
APT10M11JVRU2 Microchip Technology APT10M11JVRU2 31.4600
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT10M11 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 100 v 142A (TC) 10V 11mohm @ 71a, 10V 4V @ 2.5MA 300 NC @ 10 v ± 30V 8600 pf @ 25 v - 450W (TC)
DMTH6010LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPSWQ-13 0.3784
RFQ
 ECAD 5331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH6010 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (Q 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 31-DMTH6010LPSWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 15.5A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 41.3 NC @ 10 v ± 20V 2090 pf @ 30 v - 2.9W (TA), 75W (TC)
STI34N65M5 STMicroelectronics STI34N65M5 5.5100
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ v 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-262-3 2 팩 팩, i²pak STI34N MOSFET (금속 (() I2PAKFP (TO-281) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 28A (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10V 5V @ 250µA 62.5 nc @ 10 v ± 25V 2700 pf @ 100 v - 190W (TC)
AOB600A70L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB600A70L 1.2660
RFQ
 ECAD 3294 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB600 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 700 v 8.5A (TC) 10V 600mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA 15.5 nc @ 10 v ± 20V 870 pf @ 100 v - 104W (TC)
APT1003RSLLG Microchip Technology APT1003RSLLG 9.9500
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Power MOS 7® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT1003 MOSFET (금속 (() D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1000 v 4A (TC) 3ohm @ 2a, 10V 5V @ 1MA 34 NC @ 10 v 694 pf @ 25 v -
AO3403 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3403 0.4700
RFQ
 ECAD 173 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-SMD, SOT-23-3 변형 AO34 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 2.6A (TA) 2.5V, 10V 115mohm @ 2.6a, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 12V 315 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
IRF1404STRRPBF Infineon Technologies IRF1404STRRPBF -
RFQ
 ECAD 2212 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF1404 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001562994 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 162A (TC) 10V 4mohm @ 95a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v ± 20V 7360 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 200W (TC)
SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISH402DN-T1-GE3 0.9400
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8SH SISH402 MOSFET (금속 (() PowerPak® 1212-8SH 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 19A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 19a, 10V 2.2V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 20V 1700 pf @ 15 v - 3.8W (TA), 52W (TC)
FDI3652 onsemi FDI3652 -
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA FDI3652 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 100 v 9A (TA), 61A (TC) 6V, 10V 16MOHM @ 61A, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 2880 pf @ 25 v - 150W (TC)
IRFR120 Vishay Siliconix IRFR120 -
RFQ
 ECAD 8110 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR120 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 7.7A (TC) 10V 270mohm @ 4.6a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 360 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
AOT416L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT416L_001 -
RFQ
 ECAD 1922 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. SDMOS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT41 TO-220 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 50 -
IRFS3607TRLPBF Infineon Technologies IRFS3607TRLPBF 1.5800
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFS3607 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 80A (TC) 10V 9mohm @ 46a, 10V 4V @ 100µa 84 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 140W (TC)
IXFA34N65X2-TRL IXYS IXFA34N65X2-TRL -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Ultra X2 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXFA34 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - 영향을받지 영향을받지 238-IXFA34N65X2-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 34A (TC) 10V 100mohm @ 17a, 10V 5V @ 2.5MA 56 NC @ 10 v ± 30V 3230 pf @ 25 v - 540W (TC)
IRFR2307ZPBF Infineon Technologies IRFR2307ZPBF -
RFQ
 ECAD 5422 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 75 v 42A (TC) 10V 16mohm @ 32a, 10V 4V @ 100µa 75 NC @ 10 v ± 20V 2190 pf @ 25 v - 110W (TC)
TSM850N06CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX 0.2725
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM850 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM850N06CXTR 귀 99 8541.29.0095 12,000 n 채널 60 v 2.3A (TA), 3A (TC) 4.5V, 10V 85mohm @ 2.3a, 10V 2.5V @ 250µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 529 pf @ 30 v - 1W (TA), 1.7W (TC)
IPP60R099P7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099P7XKSA1 5.2900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 31A (TC) 10V 99mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 530µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1952 pf @ 400 v - 117W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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