전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDP8442-F085 | 1.2700 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-FDP8442-F085-600039 | 1 | n 채널 | 40 v | 23A (TA), 80A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 235 NC @ 10 v | ± 20V | 12200 pf @ 25 v | - | 254W (TC) | |||||
![]() | FDD8451 | 0.3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 830 | n 채널 | 40 v | 9A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 9a, 10V | 3V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 990 pf @ 20 v | - | 30W (TC) | ||||||
![]() | TSM2311CX RFG | - | ![]() | 3331 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 4a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 640 pf @ 6 v | - | 900MW (TA) | |||
![]() | IPS060N03LGAKMA1 | - | ![]() | 2062 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 2400 pf @ 15 v | - | 56W (TC) | ||||
![]() | irli530npbf | - | ![]() | 6365 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB Full-Pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 12A (TC) | 4V, 10V | 100mohm @ 9a, 10V | 2V @ 250µA | 34 NC @ 5 v | ± 16V | 800 pf @ 25 v | - | 41W (TC) | |||
![]() | PHB110NQ08T, 118 | 1.0400 | ![]() | 750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 290 | n 채널 | 75 v | 75A (TC) | 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 113.1 NC @ 10 v | ± 20V | 4860 pf @ 25 v | - | 230W (TC) | ||||||
![]() | SIE806DF-T1-E3 | - | ![]() | 7943 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-Polarpak® (L) | SIE806 | MOSFET (금속 (() | 10-Polarpak® (L) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 250µA | 250 nc @ 10 v | ± 12V | 13000 pf @ 15 v | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||
![]() | Buz11_R4941 | - | ![]() | 3036 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Buz11 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 50 v | 30A (TC) | 10V | 40mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||
![]() | IRF7456TRPBF | - | ![]() | 9277 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF7456 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 20 v | 16A (TA) | 2.8V, 10V | 6.5mohm @ 16a, 10V | 2V @ 250µA | 62 NC @ 5 v | ± 12V | 3640 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||
![]() | jantx2n6802u | - | ![]() | 1113 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | 군사, MIL-PRF-19500/557 | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-CLCC | MOSFET (금속 (() | 18-ULCC (9.14x7.49) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 2.5A (TC) | 10V | 1.6ohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | - | 800MW (TA), 25W (TC) | ||||
![]() | PMPB50ENEX | 0.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB50 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.9A (TA) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 5.1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10 nc @ 10 v | ± 20V | 271 pf @ 15 v | - | 1.9MW (TA) | ||
![]() | SCTWA90N65G2V | 37.5200 | ![]() | 9611 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | sicfet ((카바이드) | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-SCTWA90N65G2V | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 119A (TC) | 18V | 24mohm @ 50a, 18V | 5V @ 1MA | 157 NC @ 18 v | +22V, -10V | 3380 pf @ 400 v | - | 565W (TC) | ||
![]() | ixfv18n90p | - | ![]() | 5467 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, Polarp2 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3,-탭 | IXFV18 | MOSFET (금속 (() | Plus220 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 18A (TC) | 10V | 600mohm @ 500ma, 10V | 6.5V @ 1mA | 97 NC @ 10 v | ± 30V | 5230 pf @ 25 v | - | 540W (TC) | |||
![]() | IPP096N03L g | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IPP096N | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 30 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9.6MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 42W (TC) | |||
![]() | MCH6336-S-TL-E | - | ![]() | 6172 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 6-SMD,, 리드 | MCH63 | - | 6mcph | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | - | 5A (TJ) | - | - | - | - | ||||||||
![]() | AON2701L#A. | - | ![]() | 7564 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | Aon27 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | p 채널 | 20 v | 3A (TA) | 1.8V, 4.5V | 120mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 v | ± 8V | 700 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.5W (TA) | |||
![]() | FQPF7N40 | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF7 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 4.6A (TC) | 10V | 800mohm @ 2.3a, 10V | 5V @ 250µA | 22 nc @ 10 v | ± 30V | 780 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||
![]() | auirf9z34n | - | ![]() | 3569 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101, Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 55 v | 19A (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | |||
![]() | IRF150P221XKMA1 | - | ![]() | 9963 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Strongirfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IRF150 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 150 v | 186A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 100a, 10V | 4.6V @ 264µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 75 v | - | 341W (TC) | ||
![]() | BSS84LT7G | 0.3900 | ![]() | 6003 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS84 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,500 | p 채널 | 50 v | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 250µA | 2.2 NC @ 10 v | ± 20V | 36 pf @ 5 v | - | 225MW (TA) | ||
![]() | 2N6660JTXL02 | - | ![]() | 2234 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 2N6660 | MOSFET (금속 (() | TO-205AD (TO-39) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | 60 v | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2V @ 1mA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||
![]() | TSM4NC50CP | 0.8190 | ![]() | 6074 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | TSM4 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-tsm4nc50cptr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 500 v | 4A (TC) | 10V | 2.7ohm @ 1.7a, 10V | 3V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 453 pf @ 50 v | - | 83W (TC) | ||
![]() | IXFK150N10 | - | ![]() | 4455 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK150 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 10V | 12MOHM @ 75A, 10V | 4V @ 8MA | 360 NC @ 10 v | ± 20V | 9000 pf @ 25 v | - | 500W (TC) | ||
![]() | PhD16N03T, 118 | - | ![]() | 8498 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD16 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13.1A (TC) | 10V | 100mohm @ 13a, 10V | 4V @ 1MA | 5.2 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 30 v | - | 32.6W (TC) | ||
![]() | SI4408DY-T1-E3 | 2.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4408 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 14A (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 21a, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 32 NC @ 4.5 v | ± 20V | - | 1.6W (TA) | ||||
![]() | FDD6670AS | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD667 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 76A (TA) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 13.8a, 10V | 3V @ 1mA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 1580 pf @ 15 v | - | 70W (TA) | |||
![]() | buz73ae3046xk | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buz73 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 200 v | 5.5A (TC) | 10V | 600mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | |||
![]() | BSZ42DN25NS3GATMA1 | 1.4100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ42DN25 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 250 v | 5A (TC) | 10V | 425mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 13µA | 5.5 nc @ 10 v | ± 20V | 430 pf @ 100 v | - | 33.8W (TC) | ||
![]() | 2SB817D | 1.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-2SB817D-488 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | fqd1n60ctm | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD1N60 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 1A (TC) | 10V | 11.5ohm @ 500ma, 10V | 4V @ 250µA | 6.2 NC @ 10 v | ± 30V | 170 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 28W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고