SIC
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단일 단일, MOSFETS (44971)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
IRFP32N50KPBF Vishay Siliconix IRFP32N50KPBF 9.1100
RFQ
 ECAD 165 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP32 MOSFET (금속 (() TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) *IRFP32N50KPBF 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 500 v 32A (TC) 10V 160mohm @ 32a, 10V 5V @ 250µA 190 NC @ 10 v ± 30V 5280 pf @ 25 v - 460W (TC)
IRFB11N50A Vishay Siliconix IRFB11N50A -
RFQ
 ECAD 4577 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRFB11 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFB11N50A 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 500 v 11A (TC) 10V 520mohm @ 6.6a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 30V 1423 pf @ 25 v - 170W (TC)
STF7N52K3 STMicroelectronics STF7N52K3 1.7300
RFQ
 ECAD 977 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF7N MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 525 v 6A (TC) 10V 850mohm @ 3a, 10V 4.5V @ 50µA 33 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 100 v - 25W (TC)
IXFV26N50P IXYS ixfv26n50p -
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Polarht ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3,-탭 IXFV26 MOSFET (금속 (() Plus220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 26A (TC) 10V 230mohm @ 13a, 10V 5.5V @ 4mA 60 nc @ 10 v ± 30V 3600 pf @ 25 v - 400W (TC)
MMFTP3008K-AQ Diotec Semiconductor MMFTP3008K-AQ -
RFQ
 ECAD 8820 0.00000000 diotec 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2796-MMFTP3008K-AQTR 8541.21.0000 1 p 채널 30 v 360MA (TA) 1.8V, 4.5V 2.5ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.22 NC @ 4.5 v ± 10V 50 pf @ 10 v - 500MW (TA)
PHB20N06T,118 Nexperia USA Inc. PHB20N06T, 118 -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PHB20N06 MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 20.3A (TC) 10V 75mohm @ 10a, 10V 4V @ 1MA 11 NC @ 10 v ± 20V 483 pf @ 25 v - 62W (TC)
PJP7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJP7NA60_T0_00001 0.6033
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP7 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP7NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 145W (TC)
IRFC8721ED Infineon Technologies IRFC8721ED -
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001570724 쓸모없는 0000.00.0000 1 -
SI4427BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4427BDY-T1-GE3 0.8363
RFQ
 ECAD 1982 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4427 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.7A (TA) 10V 10.5mohm @ 12.6a, 10V 1.4V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 12V - 1.5W (TA)
IPA60R600C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600C6XKSA1 1.1203
RFQ
 ECAD 6754 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA60R600 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 600 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.4a, 10V 3.5V @ 200µA 20.5 nc @ 10 v ± 20V 440 pf @ 100 v - 28W (TC)
IRFUC20 Vishay Siliconix IRFUC20 -
RFQ
 ECAD 9823 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA IRFUC20 MOSFET (금속 (() TO-251AA 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFUC20 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 600 v 2A (TC) 10V 4.4ohm @ 1.2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 350 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
IRFBE30STRR Vishay Siliconix irfbe30strr -
RFQ
 ECAD 9364 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRFBE30 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 800 v 4.1A (TC) 10V 3ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 78 NC @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 25 v - 125W (TC)
SIHA15N65E-GE3 Vishay Siliconix SiHA15N65E-ge3 3.1800
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Vishay Siliconix 이자형 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 SIHA15 MOSFET (금속 (() TO-220 팩 풀 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 v ± 30V 2460 pf @ 100 v - 34W (TC)
NTMS4404NR2 onsemi NTMS4404NR2 -
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 11.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 24 v - 830MW (TA)
FDS4465-F085 onsemi FDS4465-F085 -
RFQ
 ECAD 9201 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS44 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 13.5A (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 120 nc @ 4.5 v ± 8V 8237 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FDP6030BL Fairchild Semiconductor FDP6030BL 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FDP60 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 귀 99 8542.39.0001 1 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 17 nc @ 5 v ± 20V 1160 pf @ 15 v - 60W (TC)
AUIRF7799L2TR International Rectifier AUIRF7799L2TR -
RFQ
 ECAD 5314 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 MOSFET (금속 (() DirectFet ™ ™ 메트릭 L8 다운로드 0000.00.0000 1 n 채널 250 v 375A (TC) 10V 38mohm @ 21a, 10V 5V @ 250µA 165 NC @ 10 v ± 30V 6714 pf @ 25 v - 4.3W (TA), 125W (TC)
IPP50R520CPHKSA1 Infineon Technologies IPP50R520CPHKSA1 -
RFQ
 ECAD 6623 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP50R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 550 v 7.1A (TC) 10V 520mohm @ 3.8a, 10V 3.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 680 pf @ 100 v - 66W (TC)
EPC2252 EPC EPC2252 1.8600
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 EPC Egan® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 Ganfet ((갈륨) 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0040 2,500 n 채널 80 v 8.2A (TA) 11mohm @ 11a, 5V 2.5V @ 2.5MA 4.3 NC @ 5 v +6V, -4V 576 pf @ 50 v - -
UPA2350T1G(2)-E4-A Renesas Electronics America Inc UPA2350T1G (2) -E4 -A 0.4800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 5,000
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP80 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 80A (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 1V @ 250µA 136 NC @ 5 v ± 16V 4850 pf @ 25 v - 300W (TC)
APT40M35JVFR Microsemi Corporation APT40M35JVFR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Microsemi Corporation MOS V® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MOSFET (금속 (() ISOTOP® 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 400 v 93A (TC) 10V 35mohm @ 46.5a, 10V 4V @ 5MA 1065 NC @ 10 v ± 30V 20160 pf @ 25 v - 700W (TC)
IPP60R099C6XKSA1 Infineon Technologies IPP60R099C6XKSA1 7.5300
RFQ
 ECAD 1337 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R099 MOSFET (금속 (() PG-to220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 37.9A (TC) 10V 99mohm @ 18.1a, 10V 3.5v @ 1.21ma 119 NC @ 10 v ± 20V 2660 pf @ 100 v - 278W (TC)
TK155A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK155A65Z, S4X 3.1400
RFQ
 ECAD 7428 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 dtmosvi 튜브 활동적인 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TK155A65 MOSFET (금속 (() TO-220SIS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 18A (TA) 10V 155mohm @ 9a, 10V 4V @ 730µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1635 pf @ 300 v - 40W (TC)
AON6266_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6266_101 -
RFQ
 ECAD 2324 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn Aon62 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 30A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1340 pf @ 30 v - 38W (TC)
IRLM110ATF onsemi IRLM110ATF -
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IRLM11 MOSFET (금속 (() SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 100 v 1.5A (TC) 5V 440mohm @ 750ma, 5V 2V @ 250µA 8 nc @ 5 v ± 20V 235 pf @ 25 v - 2.2W (TC)
SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4122DY-T1-GE3 2.3500
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4122 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 27.2A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 25V 4200 pf @ 20 v - 3W (TA), 6W (TC)
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated DMG4407SSS-13 0.6300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4407 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.9A (TA) 6V, 10V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250µA 20.5 nc @ 10 v ± 25V 2246 pf @ 15 v - 1.45W (TA)
IRLL1503 Infineon Technologies irll1503 -
RFQ
 ECAD 6701 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 30 v 75A (TA) 3.3mohm @ 140a, 10V 4V @ 250µA 200 nc @ 10 v 5730 pf @ 25 v - -
IXFK27N80 IXYS IXFK27N80 -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 ixys Hiperfet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-264-3, TO-264AA IXFK27 MOSFET (금속 (() TO-264AA (IXFK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 IXFK27N80-NDR 귀 99 8541.29.0095 25 n 채널 800 v 27A (TC) 10V 300mohm @ 13.5a, 10V 4.5V @ 8mA 400 NC @ 10 v ± 20V 9740 pf @ 25 v - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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