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JANTX1N5301UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5301ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 3482 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5301ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5300UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5300ur-1/tr 40.8000
RFQ
ECAD 7469 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5300ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5307UR-1/TR Microchip Technology 1N5307ur-1/tr 22.0050
RFQ
ECAD 9736 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5307 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5307ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTXV1N5284UR-1 Microchip Technology jantxv1n5284ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 8719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5284 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5290UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5290ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4711 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5290 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5290ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
CDS5309-1/TR Microchip Technology CDS5309-1/TR -
RFQ
ECAD 9701 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5309-1/TR 50
1N5287/TR Microchip Technology 1N5287/tr 18.7950
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5287/tr 100 100V 363µA 1V
1N5306E3 Microchip Technology 1N5306E3 18.7600
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-1n5306E3 귀 99 8541.10.0080 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTXV1N5309-1 Microchip Technology jantxv1n5309-1 50.1300
RFQ
ECAD 7822 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTXV1N5284-1/TR Microchip Technology jantxv1n5284-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 1769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5284-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
CD5312 Microchip Technology CD5312 19.2450
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD531 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5312 귀 99 8541.10.0040 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5295UR-1 Microchip Technology 1N5295UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5295 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
CDLL5292 Microchip Technology CDLL5292 25.0950
RFQ
ECAD 3232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 682µA 1.13V
1N5308UR-1 Microchip Technology 1N5308UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 3749 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
CDLL7049/TR Microchip Technology CDLL7049/TR 68.3250
RFQ
ECAD 3760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7049/tr 100
JANTXV1N5297-1/TR Microchip Technology jantxv1n5297-1/tr 36.6150
RFQ
ECAD 1123 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5297-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTX1N5283UR-1 Microchip Technology jantx1n5283ur-1 38.7600
RFQ
ECAD 5241 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
CDLL5295 Microchip Technology CDLL5295 25.0950
RFQ
ECAD 1116 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
JANTX1N5313UR-1 Microchip Technology jantx1n5313ur-1 36.0000
RFQ
ECAD 4062 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5313 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.73MA 2.75V
CDLL25V Microchip Technology CDLL25V 28.3200
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL25 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL25V 1
JANTX1N5308UR-1 MACOM Technology Solutions jantx1n5308ur-1 27.7400
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Macom 기술 솔루션 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
1N5302 Microchip Technology 1N5302 18.6000
RFQ
ECAD 9252 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5302 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5302 1 100V 1.65MA 1.6V
CDS5306UR-1 Microchip Technology CDS5306UR-1 -
RFQ
ECAD 9408 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5306UR-1 50
CD5310 Microchip Technology CD5310 19.2450
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD531 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5310 귀 99 8541.10.0040 1 100V 3.63MA 2.35V
1N5310UR-1 Microchip Technology 1N5310UR-1 22.0350
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTXV1N5293UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5293ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 4413 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5293ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
1N5299/TR Microchip Technology 1N5299/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5299/tr 100 100V 1.32MA 1.45V
JANKCA1N5295 Microchip Technology Jankca1n5295 -
RFQ
ECAD 4722 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5295 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANS1N5310UR-1 Microchip Technology JANS1N5310UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 3162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTXV1N5301-1 Microchip Technology jantxv1n5301-1 36.4050
RFQ
ECAD 2719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고