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JAN1N5297UR-1 Microchip Technology Jan1n5297ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 9188 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5297 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JAN1N5289UR-1 Microchip Technology Jan1n5289ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5299UR-1/TR Microchip Technology 1N5299UR-1/TR 21.9800
RFQ
ECAD 9195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 1.32MA 1.45V
JANKCA1N5301 Microchip Technology jankca1n5301 -
RFQ
ECAD 6555 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5301 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
JAN1N5303-1 Microchip Technology JAN1N5303-1 31.5150
RFQ
ECAD 8776 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5303 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
1N5285/TR Microchip Technology 1N5285/tr 18.6900
RFQ
ECAD 1726 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5285/tr 100 100V 297µA 1V
CDLL5310/TR Microchip Technology CDLL5310/tr 25.2900
RFQ
ECAD 1607 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5310/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.63MA 2.35V
CDLL5295/TR Microchip Technology CDLL5295/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5295/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
1N5301 Microchip Technology 1N5301 18.6000
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5301 1 100V 1.54MA 1.55V
JANTXV1N5301UR-1 Microchip Technology jantxv1n5301ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
1N5309/TR Microchip Technology 1N5309/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5309/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTXV1N5303UR-1 Microchip Technology jantxv1n5303ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
CDLL5294/TR Microchip Technology CDLL5294/tr 25.2900
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5294/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 825µA 1.2V
1N7049UR-1 Microchip Technology 1N7049UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
1N5306UR-1 Microchip Technology 1N5306UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
1N5313-1E3/TR Microchip Technology 1N5313-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1e3/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
1N5294UR-1 Microchip Technology 1N5294UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
CDLL5286 Microchip Technology CDLL5286 25.3350
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
JANS1N5293UR-1 Microchip Technology JANS1N5293UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANHCA1N5311 Microchip Technology JANHCA1N5311 -
RFQ
ECAD 5265 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5311 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
J506 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J506 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 994 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J506 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 1.1V
J500 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J500 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J500 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 400MV
J503 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J503 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 971 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J503 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 700MV
CDLL7050 Microchip Technology CDLL7050 68.1450
RFQ
ECAD 2783 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7050 1
SST507 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SST507 SOT-23 3L ROHS 7.7200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST507 350MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 50V 2.16MA 2.8V
JANTX1N5307-1 MACOM Technology Solutions jantx1n5307-1 -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 Macom 기술 솔루션 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5307 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.54MA 2V
JAN1N5292UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5292UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5292UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
1N5290 Solid State Inc. 1N5290 2.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Solid State Inc. - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5290 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 2383-1n5290 귀 99 8541.10.0080 10
JANS1N5312-1 Microchip Technology JANS1N5312-1 99.8700
RFQ
ECAD 4370 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5297-1E3/TR Microchip Technology 1N5297-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5297-1e3/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고