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JAN1N5314UR-1/TR Microchip Technology JAN1N5314UR-1/TR 36.8400
RFQ
ECAD 1944 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5314 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5314UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANS1N5307-1 Microchip Technology JANS1N5307-1 99.8700
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5307 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
JANTXV1N5287-1/TR Microchip Technology jantxv1n5287-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 2802 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5287-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5300-1 Microchip Technology jantxv1n5300-1 36.4050
RFQ
ECAD 9300 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5300 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CDLL257/TR Microchip Technology CDLL257/TR 28.5000
RFQ
ECAD 7656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL25 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL257/TR 100 50V 11.1MA 7.2v
JANTX1N5310UR-1 MACOM Technology Solutions jantx1n5310ur-1 27.4700
RFQ
ECAD 58 0.00000000 Macom 기술 솔루션 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
JANHCA1N5303 Microchip Technology JANHCA1N5303 -
RFQ
ECAD 9669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5303 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
CD5286B Microchip Technology CD5286B 19.2450
RFQ
ECAD 9360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 주사위 CD528 - 주사위 - 영향을받지 영향을받지 150-CD5286B 1 100V 330µA 1V
CDLL5296 Microchip Technology CDLL5296 25.0950
RFQ
ECAD 1891 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.001ma 1.29V
CDS5313UR-1/TR Microchip Technology CDS5313UR-1/TR -
RFQ
ECAD 7850 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS53 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5313UR-1/TR 50
J510 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J510 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 993 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J510 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 1.9V
JANTX1N5304UR-1 Microchip Technology jantx1n5304ur-1 38.2650
RFQ
ECAD 3069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTXV1N5291UR-1/TR Microchip Technology jantxv1n5291ur-1/tr 40.4100
RFQ
ECAD 1065 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5291 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5291ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANS1N5298-1 Microchip Technology JANS1N5298-1 116.6200
RFQ
ECAD 498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5301UR-1 Microchip Technology 1N5301UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL5304 Microchip Technology CDLL5304 25.0950
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5312UR-1E3/TR Microchip Technology 1N5312UR-1E3/tr 22.1600
RFQ
ECAD 6557 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) - 귀 99 8541.10.0050 100 100V 4.29ma 2.6v
JANS1N5303-1/TR Microchip Technology JANS1N5303-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 7421 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5303-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JAN1N5305-1 Microchip Technology JAN1N5305-1 24.2700
RFQ
ECAD 7069 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5305 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.2MA 1.85V
JANS1N5294UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5294UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5294ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
1N5307-1 Microchip Technology 1N5307-1 18.7800
RFQ
ECAD 5283 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5307 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.64ma 2V
CD5286 Microchip Technology CD5286 19.2450
RFQ
ECAD 3385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD528 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5286 귀 99 8541.10.0040 1 100V 330µA 1V
1N7049-1 Microchip Technology 1N7049-1 7.1700
RFQ
ECAD 4052 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
CDLL5299E3/TR Microchip Technology CDLL5299E3/TR 25.4850
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5299E3/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.32MA 1.45V
JANTX1N5295-1 Microchip Technology JANTX1N5295-1 -
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
JANTXV1N5290-1 Microchip Technology jantxv1n5290-1 36.4050
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
1N5283 Solid State Inc. 1N5283 7.2500
RFQ
ECAD 730 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-1n5283 귀 99 8541.10.0080 10
JAN1N5286-1/TR Microchip Technology Jan1n5286-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5286-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
CDLL7048 Microchip Technology CDLL7048 68.1450
RFQ
ECAD 4378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDLL70 - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL7048 1
JAN1N5314-1/TR Microchip Technology Jan1n5314-1/tr 29.0400
RFQ
ECAD 9782 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5314-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고