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JANS1N5283UR-1 Microchip Technology JANS1N5283UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 7674 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5283 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANS1N5289-1 Microchip Technology JANS1N5289-1 99.8700
RFQ
ECAD 8084 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANS1N5292-1 Microchip Technology JANS1N5292-1 99.8700
RFQ
ECAD 2700 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5292 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5302UR-1 Microchip Technology JANS1N5302UR-1 131.4000
RFQ
ECAD 7048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
CDLL5290 Microchip Technology CDLL5290 25.0950
RFQ
ECAD 3244 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 517µA 1.05V
CDLL5309 Microchip Technology CDLL5309 25.3350
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 3.3ma 2.25V
CDLL5313 Microchip Technology CDLL5313 25.0950
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 4.73MA 2.75V
1N5302UR-1 Microchip Technology 1N5302UR-1 22.1850
RFQ
ECAD 8748 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5302 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.65MA 1.6V
1N5312-1 Microchip Technology 1N5312-1 18.6000
RFQ
ECAD 2733 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5312 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 4.29ma 2.6v
1N5314-1 Microchip Technology 1N5314-1 18.8100
RFQ
ECAD 7911 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTX1N5309UR-1 Microchip Technology jantx1n5309ur-1 30.0300
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5309 500MW do-213ab (Melf, LL41) - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 jantx1n5309ur-1ms 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANS1N5297-1 Microchip Technology JANS1N5297-1 99.8700
RFQ
ECAD 1043 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
1N5309 Microchip Technology 1N5309 18.7800
RFQ
ECAD 9788 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTX1N5308-1 Microchip Technology JANTX1N5308-1 33.9900
RFQ
ECAD 3325 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5308 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANTX1N5309-1 Microchip Technology jantx1n5309-1 36.4050
RFQ
ECAD 4349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5309 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CDLL5295/TR Microchip Technology CDLL5295/tr 25.2900
RFQ
ECAD 3393 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5295/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 902µA 1.25V
1N5301 Microchip Technology 1N5301 18.6000
RFQ
ECAD 9245 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5301 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5301 1 100V 1.54MA 1.55V
CDLL5294/TR Microchip Technology CDLL5294/tr 25.2900
RFQ
ECAD 7225 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5294/tr 귀 99 8541.10.0050 1 100V 825µA 1.2V
1N5306UR-1 Microchip Technology 1N5306UR-1 21.8250
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
1N7049UR-1 Microchip Technology 1N7049UR-1 9.3000
RFQ
ECAD 6154 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 1N7049 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1
JANS1N5293UR-1 Microchip Technology JANS1N5293UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 5298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5293 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5288-1/TR Microchip Technology JANS1N5288-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 2375 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5288-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 429µA 1.05V
CDLL5286 Microchip Technology CDLL5286 25.3350
RFQ
ECAD 2324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL52 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 100V 330µA 1V
1N5313-1E3/TR Microchip Technology 1N5313-1E3/tr 22.0200
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1e3/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
JANS1N5309-1/TR Microchip Technology JANS1N5309-1/TR 100.0200
RFQ
ECAD 3136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5309-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
CL20M45 Diotec Semiconductor CL20M45 0.1637
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 배터리 배터리, LED 충전기 표면 표면 DO-214AA, SMB CL20 1W DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-CL20M45TR 8541.10.0000 3,000 90V 23MA 3V
JANTX1N5293-1/TR Microchip Technology jantx1n5293-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 1285 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANHCA1N5287 Microchip Technology JANHCA1N5287 -
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5287 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANTXV1N5303UR-1 Microchip Technology jantxv1n5303ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5303 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.76MA 1.65V
JANTXV1N5301UR-1 Microchip Technology jantxv1n5301ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 2981 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5301 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.54MA 1.55V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고