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JANKCA1N5299 Microchip Technology Jankca1n5299 -
RFQ
ECAD 8264 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5299 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
JANHCA1N5314 Microchip Technology JANHCA1N5314 -
RFQ
ECAD 7147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5314 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTXV1N5292UR-1 Microchip Technology jantxv1n5292ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 7027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5292 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
J507 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J507 TO-92 2L 7.3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J507 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 1.3V
1N5289-1 Microchip Technology 1N5289-1 21.6600
RFQ
ECAD 3269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5289 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
1N5285 Microchip Technology 1N5285 18.4950
RFQ
ECAD 7271 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5285 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5285 1 100V 297µA 1V
JAN1N5300UR-1 Microchip Technology Jan1n5300ur-1 36.6900
RFQ
ECAD 5195 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5300 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.43MA 1.5V
CDLL5301/TR Microchip Technology CDLL5301/TR 25.2900
RFQ
ECAD 4186 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5301/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 1.54MA 1.55V
JANHCA1N5291 Microchip Technology JANHCA1N5291 -
RFQ
ECAD 5972 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5291 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
JANTXV1N5298-1 Microchip Technology jantxv1n5298-1 -
RFQ
ECAD 9153 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5298 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
JANTX1N5287UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5287ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 7056 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5287ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
CDS5297UR-1/TR Microchip Technology CDS5297UR-1/TR -
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5297UR-1/TR 50
JANKCA1N5306 Microchip Technology jankca1n5306 -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5306 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JAN1N5297-1/TR Microchip Technology Jan1n5297-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 7031 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5297 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5297-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.1ma 1.35V
JANTX1N5304UR-1/TR Microchip Technology jantx1n5304ur-1/tr 38.4300
RFQ
ECAD 8234 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5304 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5304ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
JANTXV1N5286-1/TR Microchip Technology jantxv1n5286-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 3527 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5286-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
1N5291-1/TR Microchip Technology 1N5291-1/tr 21.8400
RFQ
ECAD 8232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5291 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5291-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
1N5300 Microchip Technology 1N5300 18.6000
RFQ
ECAD 4307 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5300 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5300 1 100V 1.43MA 1.5V
1N5310UR-1 Microchip Technology 1N5310UR-1 22.0350
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
CD5310 Microchip Technology CD5310 19.2450
RFQ
ECAD 1014 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD531 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5310 귀 99 8541.10.0040 1 100V 3.63MA 2.35V
JANTXV1N5306UR-1 Microchip Technology jantxv1n5306ur-1 40.2450
RFQ
ECAD 7138 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5306 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
CDLL5305/TR Microchip Technology CDLL5305/TR 25.2900
RFQ
ECAD 1012 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5305/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 2.2MA 1.85V
JANS1N5310UR-1 Microchip Technology JANS1N5310UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 3162 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5310 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.63MA 2.35V
SST501 SOT-23 3L Linear Integrated Systems, Inc. SST501 SOT-23 3L 4.1911
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST501 350MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 500MV
JANS1N5308UR-1 Microchip Technology JANS1N5308UR-1 130.1550
RFQ
ECAD 9993 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5308 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.97MA 2.15V
JANKCA1N5298 Microchip Technology Jankca1n5298 -
RFQ
ECAD 8769 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5298 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.21MA 1.4V
1N5297 Solid State Inc. 1N5297 2.2500
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5297 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-1n5297 귀 99 8541.10.0080 10
JANTXV1N5306-1 Microchip Technology jantxv1n5306-1 36.4050
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5306 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 2.42MA 1.95V
JANTXV1N5314-1 Microchip Technology jantxv1n5314-1 60.1950
RFQ
ECAD 1282 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
JAN1N5295-1/TR Microchip Technology Jan1n5295-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 6316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5295 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5295-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고