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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
3QHTF21-76.270-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-76.270-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 76.27 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-76.270-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 109.5575M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 109.5575M-TCHSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 9832 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 109.5575 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG109.5575M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
535BC150M000DGR Skyworks Solutions Inc. 535BC150M000DGR 9.8132
RFQ
 ECAD 2065 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI535 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 535BC 150MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 7ppm - - 75MA
EG-2121CA 133.0000M-LGPAB EPSON EG-2121CA 133.0000M-LGPAB 19.5450
RFQ
 ECAD 6669 0.00000000 엡슨 EG-2121CA 대부분 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 그래서 (톱) 133 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - 20MA
QTM216E-24.000MCE-T QST QTM216E-24.000MCE-T 0.7333
RFQ
 ECAD 3578 0.00000000 QST QTM216E 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.032 "(0.81mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS (EMI) 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 8541.60.0060 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - - -
3QHTF22-19.1328-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-19.1328-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.1328 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-19.1328-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AC-21-25S-20.000000 SiTime SIT8208AC-21-25S-20.000000 3.2400
RFQ
 ECAD 2073 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 20ppm - -
SIT1602BC-33-XXS-12.000000 SiTime SIT1602BC-33-XXS-122.000000 1.1500
RFQ
 ECAD 3884 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
25QHTF57-10.6244-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-10.6244-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10.6244 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-10.6244-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF21-30.400-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-30.400-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30.4 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-30.400-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF32-70.002-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-70.002-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 70.002 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-70.002-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
3QHTF22-123.123456-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-123.123456-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 123.123456 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF2233.123456-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
ASFLMPC-68.000MHZ-LR-T Abracon LLC ASFLMPC-68.000MHz-LR-T -
RFQ
 ECAD 8512 0.00000000 Abracon LLC ASFLMP, Pure Silicon ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 68MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS - - - 22MA
KOVSP20MDNFCCT KYOCERA AVX Kovsp20Mdnfcct 80.9900
RFQ
 ECAD 4225 0.00000000 Kyocera avx 코프 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.567 "LX 0.370"W (14.40mm x 9.40mm) 0.449 "(11.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 OCXO 20MHz CMOS, TTL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.60.0080 200 - - 결정 ± 100ppb - - -
FNC500117 Diodes Incorporated FNC500117 1.3570
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Saronix-Ecera ™ FN 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) xo (표준) 125.003125 MHz CMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 결정 -
SIT3372AI-4E2-28NY148.350000 SiTime SIT3372AI-4E2-28NY148.350000 13.2900
RFQ
 ECAD 9298 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.35 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
SG-8101CB 1.2864M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 1.2864M-TCHSA0 1.8746
RFQ
 ECAD 8396 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 1.2864 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB1.2864M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SG-8018CB 19.9500M-TJHPA0 EPSON SG-8018CB 19.9500M-TJHPA0 0.6363
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.95 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB19.9500M-TJHPA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3.5MA 결정 ± 50ppm - - 3.5MA
3QHTF53-18.4323-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-18.4323-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.4323 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-18.4323-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 125.0006M-TCHSA0 EPSON SG-8101CG 125.0006M-TCHSA0 2.0796
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 125.0006 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG125.0006M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT3373AI-4B9-30NB245.760000 SiTime SIT3373AI-4B9-30NB245.760000 11.2100
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 245.76 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 10ppm -
12.90322 Geyer Electronic America, Inc. 12.90322 0.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Geyer Electronic America, Inc. KXO-V94T 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz CMOS 3.3v 다운로드 2482-12.9032tr 1 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 50ppm - - -
FCO5C020828A3CBY00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO5C020828A3CBY00 0.6105
RFQ
 ECAD 3692 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-5C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20.8286 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco5c020828a3cby00tr 귀 99 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - -
SIT9365AI-1E3-28E25.000000 SiTime SIT9365AI-1E3-28E25.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 25MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 50ppm - -
25QHTF21-153.600-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-153.600-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 153.6 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-153.600-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-2E9-30NC148.425750 SiTime SIT3372AC-2E9-30NC148.425750 10.9200
RFQ
 ECAD 1053 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 148.42575 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm - - -
SIT3372AI-2B9-33NB140.000000 SiTime SIT3372AI-2B9-33NB140.000000 11.2100
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 140MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 10ppm - -
18QHTF22-13.42422-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-13.42422-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.42422 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-13.42422-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
MQF326P33-63.000-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. MQF326P33-63.000-1.0/-40+85 35.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 63MHz PECL 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-MQF326P33-63.000-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 활성화/비활성화 40ma 결정 ± 1ppm - - 18MA (유형)
SG-8101CA 83.765880M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 83.765880M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 7850 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 83.76588 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA83.765880M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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