SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
VT-860-FFE-507D-26M0000000 Microchip Technology VT-860-FFE-507D-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-860 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 26 MHz 사인파를 사인파를 3V - 영향을받지 영향을받지 150-VT-860-FFE-507D-26M0000000 귀 99 8542.39.0001 100 - 2.3ma 결정 ± 500ppb ± 12ppm - -
SIT8208AC-8F-25E-65.000000X SiTime SIT8208AC-8F-25E-65.000000X 4.5616
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT5156AI-FK-28E0-19.440000 SiTime SIT5156AI-FK-28E0-19.440000 51.5800
RFQ
 ECAD 9658 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 19.44 MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53MA MEMS ± 500ppb - - 51MA
580N19205CTT CTS-Frequency Controls 580N19205CTT 16.6347
RFQ
 ECAD 7769 0.00000000 cts- 제어 주파수 580 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 580 19.2 MHz 사인파를 사인파를 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-580N19205CTTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 6MA 결정 ± 500ppb - - -
SIT1602BI-13-30E-60.000000 SiTime SIT1602BI-13-30E-60.000000 1.2900
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CA 11.1300M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 11.1300M-TBGPA0 1.6842
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 11.13 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-sg-8101ca11.1300m-tbgpa0tr 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3372AC-1B2-25NC163.840000 SiTime SIT3372AC-1B2-25NC163.840000 13.0000
RFQ
 ECAD 3402 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 163.84 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 50ppm - -
510FBA156M250AAGR Skyworks Solutions Inc. 510FBA156M250AAGR 4.0966
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 510FBA 156.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 25ppm - - 18MA
SG-8101CE 81.9000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 81.9000M-TBGPA0 0.7449
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 81.9 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE81.9000M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3372AC-2B3-28NG10.240000 SiTime SIT3372AC-2B3-28NG10.240000 9.9000
RFQ
 ECAD 5633 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 10.24 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
25QHTF53-13.57375-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-13.57375-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 13.57375 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-13.57375-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
ASTMUPCFL-33-24.000MHZ-EJ-E-T Abracon LLC astmupcfl-33-24.000mhz-ej-et -
RFQ
 ECAD 4612 0.00000000 Abracon LLC astmupc 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 36MA MEMS ± 20ppm - 31MA
CHT50C4807MMT CTS-Frequency Controls CHT50C4807MMT 2.1210
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 cts- 제어 주파수 CHT50 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz HCMOS, TTL 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 150ppm - - 10µA
511ABA212M500BAGR Skyworks Solutions Inc. 511ABA212M500BAGR 4.4379
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.050 "(1.28mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 511aba 212.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 43MA 결정 ± 25ppm - - 18MA
511ABA200M000AAGR Skyworks Solutions Inc. 511ABA200M000AAG 4.4819
RFQ
 ECAD 5599 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI511 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 511aba 200MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 43MA 결정 ± 25ppm - - 18MA
510JCB132M400AAG Skyworks Solutions Inc. 510JCB132M400AAG 6.1524
RFQ
 ECAD 9532 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI510 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 510JCB 132.4 MHz LVD 1.8V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 200 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 20ppm - - 18MA
SG-8018CB 21.5385M-TJHSA0 EPSON SG-8018CB 21.5385M-TJHSA0 0.6363
RFQ
 ECAD 1980 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 21.5385 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CB21.5385M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SIT3373AC-4E2-28NH280.550000 SiTime SIT3373AC-4E2-28NH280.550000 13.0100
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 280.55 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 170ppm -
SIT3372AI-4E2-33NY153.600000 SiTime SIT3372AI-4E2-33NY153.600000 13.2900
RFQ
 ECAD 6427 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 153.6 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
633E148A5I3T CTS-Frequency Controls 633E148A5I3T 3.4039
RFQ
 ECAD 7080 0.00000000 cts- 제어 주파수 633 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 148.3516 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 25ppm - -
3QHTF22-22.375-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-22.375-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 22.375 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-22.375-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9375AE-01P3-2510-161.132813E SiTime SIT9375AE-01P3-2510-161.132813E 5.6506
RFQ
 ECAD 5496 0.00000000 시민 SIT9375 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9375 161.132813 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9375AE-01P3-2510-161.132813etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 42.5MA MEMS ± 50ppm - - -
FCO3C025804A3CCU00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited FCO3C025804A3CCU00 0.5902
RFQ
 ECAD 9611 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-3C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.8048 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-FCO3C025804A3CCU00tr 귀 99 3,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - -
VMQF326T33-121.500-1.0/-40+85 Mercury United Electronics, Inc. VMQF326T33-121.500-1.0/-40+85 35.7500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 121.5 MHz CMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 2425-VMQF326T33-121.500-1.0/-40+85 귀 99 8541.60.0060 3 진폭 진폭 29ma (유형) 결정 ± 1ppm ± 8ppm - 18MA (유형)
SIT8209AI-G2-28S-98.304000Y SiTime SIT8209AI-G2-28S-98.304000Y -
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 시민 SIT8209 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 98.304 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 25ppm - - 70µA
NX52V25002 Diodes Incorporated NX52V25002 4.2780
RFQ
 ECAD 9140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 Saronix-Ecera ™ NX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) xo (표준) 312.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 결정 -
3QHTF21-174.800-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21-174.800-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 174.8 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF21-174.800-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 29ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AI-1E3-28NY614.000000 SiTime SIT3373AI-1E3-28NY614.000000 8.5500
RFQ
 ECAD 5934 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 614 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 745ppm -
SG-8018CG 24.9750M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 24.9750M-TJHSA0 0.5606
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.975 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG24.9750M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
18QHTF57-50.0267-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-50.0267-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50.0267 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-50.0267-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24MA 결정 ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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카트 목록 (0 항목)
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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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