SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드
SIT3372AC-2B9-30NE98.304000 SiTime SIT3372AC-2B9-30NE98.304000 10.9200
RFQ
ECAD 5573 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 98.304 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 60ppm - -
18QHTF22-27.0625-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-27.0625-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.0625 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-27.0625-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF57-3.0732-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-3.0732-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.0732 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-3.0732-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-1E3-25NH14.400000 SiTime SIT3372AC-1E3-25NH14.400000 9.9000
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 14.4 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
25QHTF57-24.450-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-24.450 -OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.45 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-24.450 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CB 99.1440M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 99.1440M-TCHSA0 1.8746
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 99.144 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB99.1440M-TCHSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
25QHTF57-42.07789-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-42.07789-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 42.07789 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-42.07789-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AI-1E3-33NE500.000000 SiTime SIT3373AI-1E3-33NE500.000000 10.2000
RFQ
ECAD 7091 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 500MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 45ppm -
3QHTF53-18.0024-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53-18.0024-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.0024 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF53-18.0024-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF32-73.6363-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-73.6363-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 73.6363 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-73.6363-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BC-73-33N-7.372800 SiTime SIT1602BC-73-33N-7.372800 1.2600
RFQ
ECAD 7203 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
18QHTF21-19.53125-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-19.53125-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.53125 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-19.53125-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT8208AI-32-33S-38.400000 SiTime SIT8208AI-32-33S-38.400000 3.1700
RFQ
ECAD 5036 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9365AC-1E2-25N212.500000 SiTime SIT9365AC-1E2-25N212.500000 13.0100
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 212.5 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
25QHTF57-2.1809-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-2.1809-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.1809 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-2.1809-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF57-3.6846-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-3.6846-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.6846 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-3.6846-PD 귀 99 8541.60.0030 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF57-41.665-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-41.665-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 41.665 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-41.665-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT1602BI-22-33S-24.000000 SiTime SIT1602BI-22-33S-24.000000 1.4100
RFQ
ECAD 8324 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
25QHTF21-30.700-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-30.700-PD 20.2500
RFQ
ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30.7 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-30.700-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT5357AI-FN-33N0-100.000000 SiTime SIT5357AI-FN-33N0-100.000000 76.5200
RFQ
ECAD 5626 0.00000000 시민 SIT5357, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 100MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 250ppb - -
SIT8208AI-23-18S-66.666660 SiTime SIT8208AI-23-18S-66.666660 2.5000
RFQ
ECAD 8551 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 50ppm - -
SIT8225AI-83-33E-25.000625 SiTime SIT8225AI-83-33E-25.000625 1.8700
RFQ
ECAD 5473 0.00000000 시민 SIT8225 조각 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.000625 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 50ppm - - 31MA
SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 SiTime SIT5156AI-FA-28VT-38.880000 44.2900
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 vctcxo SIT5156 38.88 MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 57ma MEMS ± 1ppm ± 6.25ppm - -
SG-8101CG 38.7000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 38.7000M-TBGPA0 2.0796
RFQ
ECAD 2407 0.00000000 엡슨 SG-8101CG 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 38.7 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG38.7000M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NB155.520000 10.9200
RFQ
ECAD 4403 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 155.52 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 10ppm - -
SG-8101CA 15.6250M-TBGPA0 EPSON SG-8101CA 15.6250M-TBGPA0 1.6842
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 15.625 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA15.6250M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT1602BC-71-25E-40.000000 SiTime SIT1602BC-71-25E-40.000000 1.4800
RFQ
ECAD 9315 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz HCMOS, LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.2MA MEMS ± 20ppm - -
25QHTF21-40.296-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-40.296-PD 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40.296 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-40.296-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
25QHTF22-100.300-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-100.300-OE 20.2500
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100.3 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-100.300-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CA 35.4689M-TJHSA0 EPSON SG-8018CA 35.4689M-TJHSA0 0.7121
RFQ
ECAD 3995 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.4689 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CA35.4689M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고