RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (651585)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
25QHTF32-82.944-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		82.944 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-82.944-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF53-39.2385-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		39.2385 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF53-39.2385-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF57-130.440-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		130.44 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-130.440-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF22-31.45728-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		31.45728 MHz	LVCMOS	2.5V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-31.45728-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SIT3373AC-2B9-33NG256.000000	10.9200	RFQ	3982	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		256 MHz	LVD	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 35ppm	± 110ppm	-
SIT9003AC-13-28ED-24.00000Y	1.1948	RFQ	3538	시민	SIT9003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SIT9003	24 MHz	lvcmos, lvttl	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	4.1ma	MEMS	± 50ppm	-	-	2.2µA
570FBC000169DGR	16.3345	RFQ	1582	Skyworks Solutions Inc.	SI570	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)		표면 표면	8-smd,, 없음	xo (표준)	570FBC	125MHz	LVD	2.5V	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	250	활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능)	108ma	결정	± 20ppm	-	-
QVMQF574T33-2.5B-24.5536	35.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-30 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.102 "(2.60mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	vctcxo		24.5536 MHz	CMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF574T33-2.5B-24.5536	귀 99	8541.60.0050	3	활성화/비활성화	24MA (유형)	결정	± 2.5ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
18QHTF53-2.304-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		2.304 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-2.304-OE	귀 99	8541.60.0030	5	활성화/비활성화	21ma	결정	± 50ppm	-	-
SIT9003AI-13-33DB-25.00000T	1.3720	RFQ	3872	시민	SIT9003	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SIT9003	25MHz	lvcmos, lvttl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	-	4.1ma	MEMS	± 50ppm	-	± 0.25%, 센터 스프레드	4.3µA
SG-8101CE 38.7000M-TBGSA0	0.7449	RFQ	1903	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	38.7 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CE38.7000M-TBGSA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	대기 (다운 전원)	6.8ma (유형)	결정	± 15ppm	-	-	1.1µA
AMPMEDD-33.33333333T3	-	RFQ	6487	Abracon LLC	AMPM	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	4-vdfn	xo (표준)		33.3333 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3,000	대기 (다운 전원)	1.3MA (유형)	MEMS	± 25ppm	-		160µA
ECS-3953M-480-AU-TR	2.1600	RFQ	1	ECS Inc.	ECS-3953M-AU	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		48MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 100ppm	-	-	-
SG-8018CB 15.6250M-TJHSA0	0.6363	RFQ	6586	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		15.625 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CB15.6250M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3.5MA	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
SIT1602BC-33-33N-74.175824	1.1500	RFQ	3142	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		74.175824 MHz	HCMOS, LVCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	-	4.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-
SIT1602BI-73-XXN-66.600000	1.2900	RFQ	4724	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		66.6 MHz	HCMOS, LVCMOS	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-	4.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-
SIT9001AC-34-33D5-200.00000Y	-	RFQ	3432	시민	SIT9001	조각	쓸모없는	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SIT9001	200MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1473-SIT9001AC-34-33D5-200.00000Y	귀 99	8542.39.0001	1	-	34ma	MEMS	± 100ppm	-	-1.00%, 00 확산
SIT1602BI-32-25S-24.000000	1.5000	RFQ	5079	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24 MHz	HCMOS, LVCMOS	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기 (다운 전원)	4.2MA	MEMS	± 25ppm	-	-
SIT3373AI-1B2-25NZ245.760000	13.2900	RFQ	6408	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		245.76 MHz	lvpecl	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 25ppm	± 1570ppm	-
SIT9120AI-2C1-XXS74.250000	5.5200	RFQ	9290	시민	SIT9120	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		74.25 MHz	LVD	2.25V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	대기 (다운 전원)	55MA	MEMS	± 20ppm	-	-
SG-8101CA 14.747720M-TCHPA0	1.6842	RFQ	5385	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	14.74772 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CA14.747720M-TCHPA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 20ppm	-	-	3.5MA
SIT3373AC-4B9-28NE256.000000	10.9200	RFQ	2091	시민	SIT3373, 7 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO		256 MHz	HCSL	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	-		MEMS	± 35ppm	± 60ppm	-
SIT3822AI-1D2-33EB491.520000T	-	RFQ	5303	시민	SIT3822	조각	쓸모없는	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	VCXO	SIT3822	491.52 MHz	lvpecl	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1473-SIT3822AI-1D2-33EB491.520000T	귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	69ma	MEMS	± 25ppm	-	-
SIT9365AC-4B2-30E106.250000	13.0000	RFQ	1812	시민	SIT9365, 6 플랫폼 ™	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C		0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.035 "(0.90mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	xo (표준)		106.25 MHz	HCSL	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화		MEMS	± 25ppm	-	-
AMPMDGA-66.6666T	-	RFQ	8110	Abracon LLC	AMPM	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.035 "(0.89mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		66.6666 MHz	CMOS	1.71V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	1.3MA (유형)	MEMS	± 50ppm	-		-
SIT1602BC-12-33S-33.333330	1.3800	RFQ	4980	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.33333 MHz	HCMOS, LVCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기 (다운 전원)	4.5MA	MEMS	± 25ppm	-	-
3QHTF22-3.5795-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		3.5795 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF22-3.5795-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
SG-8018CE 39.8459M-TJHSA0	0.5909	RFQ	9555	엡슨	SG-8018CE	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.041 "(1.05mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		39.8459 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	8.1ma	결정	± 50ppm	-		3.5MA
SIT8008AC-83-33E-26.000000Y	0.6000	RFQ	2	시민	SIT8008	대부분	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26 MHz	HCMOS, LVCMOS	3.3v	다운로드					귀 99	8542.39.0001	500	활성화/비활성화	4.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-	4MA
3QHTF57-14.46406-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.46406 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF57-14.46406-PD	귀 99	8541.60.0050	5	대기 (다운 전원)	22MA	결정	± 50ppm	-	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (651585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²