SIC
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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3372AI-1E2-28NH15.360000 SiTime SIT3372AI-1E2-28NH15.360000 13.2900
RFQ
 ECAD 7556 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 15.36 MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
25QHTF32-49.760-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32-49.760 -OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.76 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF32-49.760 -OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF22-97.000-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-97.000-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 97 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-97.000-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
DSC1103CE1-266.7000T Microchip Technology DSC1103CE1-266.7000T -
RFQ
 ECAD 2143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 266.7 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
25QHTF57-48.416-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-48.416-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48.416 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-48.416-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF21-45.000-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-45.000-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 45MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-45.000-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
ASGTX-P-12.288MHZ-1-T2 Abracon LLC ASGTX-P-1288MHZ-1-T2 -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Abracon LLC ASGTX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 70 ° C - 0.354 "L x 0.276"W (9.00mm x 7.00mm) 0.088 "(2.24mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 vctcxo 12.288 MHz lvpecl 3.135V ~ 3.465V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 - 60ma 결정 ± 1ppm - -
25QHTF21-5.9995-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21-5.9995-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 5.9995 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF21-5.9995-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 21ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8018CG 66.1400M-TJHSA0 EPSON SG-8018CG 66.1400M-TJHSA0 0.5606
RFQ
 ECAD 7136 0.00000000 엡슨 SG-8018 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.14 MHz CMOS 1.62V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8018CG66.1400M-TJHSA0 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.1ma 결정 ± 50ppm - - 1.1µA
SIT9120AC-1B2-25S75.000000 SiTime SIT9120AC-1B2-25S75.000000 5.3500
RFQ
 ECAD 5708 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 69ma MEMS ± 25ppm - -
SG-8101CA 12.345678M-TBGSA0 EPSON SG-8101CA 12.345678M-TBGSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 12.345678 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA12.345678M-TBGSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
SG-8101CE 31.1250M-TBGSA0 EPSON SG-8101CE 31.1250M-TBGSA0 0.7449
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 31.125 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE31.1250M-TBGSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 1.1µA
FCO3C044307A3CBY00 Fuji Crystal (Hong Kong) Electronics Co., Limited fco3c044307a3cby00 0.5902
RFQ
 ECAD 1646 0.00000000 후지 후지 (크리스탈) 전자 공동, 제한 FCO-3C 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 44.307 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4972-fco3c044307a3cby00tr 귀 99 3,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - -
3QHTF22-2.750-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-2.750-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2.75 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-2.750-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
25QHTF57-27.255-OE Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57-27.255-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 27.255 MHz LVCMOS 2.5V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF57-27.255-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3372AC-4E2-28NY74.250000 SiTime SIT3372AC-4E2-28NY74.250000 13.0100
RFQ
 ECAD 3730 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 74.25 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 770ppm - -
AX5DAF1-125.0000T Abracon LLC AX5DAF1-125.0000T -
RFQ
 ECAD 6499 0.00000000 Abracon LLC ClearClock ™ AX5 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 125MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 80ma 결정 ± 20ppm - 70ma
3QHTF32-131.085-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32-131.085-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 131.085 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF32-131.085-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 28ma 결정 ± 50ppm - -
SIT5000AI-GE-33N0-40.000000Y SiTime SIT5000AI-GE-33N0-40.000000Y 2.1533
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
531KB250M000DG Skyworks Solutions Inc. 531KB250M000DG 28.0666
RFQ
 ECAD 2234 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI531 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 531KB 250MHz CML 1.8V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 108ma 결정 ± 20ppm - - 75MA
25QHTF53-119.466-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-119.466-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 119.466 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-119.466-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 28ma 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CE 33.8000M-TBGPA0 EPSON SG-8101CE 33.8000M-TBGPA0 0.7449
RFQ
 ECAD 5157 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 33.8 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CE33.8000M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SG-210STF 24.0000ML0 EPSON SG-210Stf 24.0000ml0 1.2300
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 엡슨 SG-210stf 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz CMOS 1.6V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 2.2MA 결정 ± 50ppm - 2.7µA
25QHTF53-64.080-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53-64.080-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 64.08 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF53-64.080-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 26MA 결정 ± 50ppm - -
SG-8101CG 35.2520M-TBGPA0 EPSON SG-8101CG 35.2520M-TBGPA0 2.0796
RFQ
 ECAD 7609 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 35.252 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CG35.2520M-TBGPA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 6.8ma (유형) 결정 ± 15ppm - - 3.5MA
SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 SiTime SIT3372AC-2E9-25NU35.328000 10.9200
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 35.328 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm - -
DSC1103CL5-150.0000T Microchip Technology DSC1103CL5-150.0000T -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 150MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 10ppm - - 95µA
SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 SiTime SIT3373AC-1B2-25NC364.800000 10.8900
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 364.8 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
SIT8208AI-8F-18E-12.288000Y SiTime SIT8208AI-8F-18E-1288000Y 4.1097
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-8F-18E-10.000000Y SiTime SIT8208AI-8F-18E-10.000000Y 4.1097
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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