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발진기 (651585)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT9120AC-2B2-33E133.333300 SiTime SIT9120AC-2B2-33E133.333300 5.3500
RFQ
 ECAD 7438 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 133.3333 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 55MA MEMS ± 25ppm - -
TSM32-H50CQ33RT-11.000M-TR Transko Electronics, Inc. TSM32-H50CQ33RT-11.000M-TR 1.4000
RFQ
 ECAD 1487 0.00000000 Transko Electronics, Inc. TSM32 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 11 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2492-TSM32-H50CQ33RT-11.000M-TR 귀 99 8542.39.0000 3,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - -
SIT3808AC-D2-33SB-11.289600 SiTime SIT3808AC-D2-33SB-11.289600 6.9800
RFQ
 ECAD 6221 0.00000000 시민 SIT3808 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO SIT3808 11.2896 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 25ppm - -
SIT8208AI-31-33E-25.005625 SiTime SIT8208AI-31-33E-25.005625 3.3000
RFQ
 ECAD 7016 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.005625 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 20ppm - -
570CAC002290DG Skyworks Solutions Inc. 570CAC002290DG 14.6930
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. SI570 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 xo (표준) 114 MHz CMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 863-570CAC002290DG 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 98ma 결정 ± 50ppm - - 75MA
SIT8008BI-12-XXN-1.843200 SiTime SIT8008BI-12-XXN-1.843200 1.4000
RFQ
 ECAD 1172 0.00000000 시민 SIT8008B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 1.8432 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - - -
SIT3372AI-2B9-30NH74.250000 SiTime SIT3372AI-2B9-30NH74.250000 9.2900
RFQ
 ECAD 4133 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.25 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 160ppm - -
QMQF326P25-2.0A-12.552 Mercury United Electronics, Inc. QMQF326P25-2.0A-12552 34.7500
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. Quikxo 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 TCXO 12.552 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-QMQF326P25-2.0A-12552 귀 99 8541.60.0050 3 - 28MA (유형) 결정 ± 2ppm - -
SIT9365AC-2B1-30E200.000000 SiTime SIT9365AC-2B1-30E200.000000 13.7100
RFQ
 ECAD 7712 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 200MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 MEMS ± 20ppm - -
3QHTF22-14.3325-PD Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-14.3325-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.3325 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-14.3325-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF21-24.444-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21-24.444-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF21 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.444 MHz LVCMOS 1.8V - rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF21-24.444-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF57-14.970-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-14.970-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14.97 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-14.970-OE 귀 99 8541.60.0050 5 활성화/비활성화 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9120AC-1B1-25E25.000000 SiTime SIT9120AC-1B1-25E25.000000 5.7100
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 20ppm - -
3QHTF22-3.832-OE Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22-3.832-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 3QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.832 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-3QHTF22-3.832-OE 귀 99 8541.60.0030 5 활성화/비활성화 21ma 결정 ± 50ppm - -
SIT9365AI-2E3-33N25.000000 SiTime SIT9365AI-2E3-33N25.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 9231 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 25MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CA 50.0367M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 50.0367M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 50.0367 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA50.0367M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
SIT3372AC-2E9-28NE74.175820 SiTime SIT3372AC-2E9-28NE74.175820 10.9200
RFQ
 ECAD 5145 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 74.17582 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT9001AIL23-25E1-125.00000T SiTime Sit9001ail23-25E1-125.00000t -
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 시민 SIT9001 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9001 125MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9001AIL23-25E1-125.00000T 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - -
SG-8101CB 75.2500M-TCHSA0 EPSON SG-8101CB 75.2500M-TCHSA0 1.8746
RFQ
 ECAD 2452 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 75.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CB75.2500M-TCHSA0TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
18QHTF32-60.2353-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32-60.2353-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF32 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60.2353 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF32-60.2353-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 24ma 결정 ± 50ppm - -
581L24CX2DTT CTS-Frequency Controls 581L24CX2DTT 16.8594
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 cts- 제어 주파수 581 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.079 "(2.00mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 24.576 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 110-581L24CX2DTTTR 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 9.5MA 결정 ± 280ppb - - -
18QHTF57-49.8701-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57-49.8701-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF57 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 49.8701 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF57-49.8701-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
18QHTF53-40.260-PD Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53-40.260-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF53 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40.26 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF53-40.260-PD 귀 99 8541.60.0060 5 대기 (다운 전원) 23MA 결정 ± 50ppm - -
SIT3373AI-2E2-28NX432.000000 SiTime SIT3373AI-2E2-28NX432.000000 13.2900
RFQ
 ECAD 4311 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 432 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 370ppm -
18QHTF22-75.475-OE Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22-75.475-OE 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 18QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75.475 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-18QHTF22-75.475-OE 귀 99 8541.60.0060 5 활성화/비활성화 26MA 결정 ± 50ppm - -
520M14725CTR CTS-Frequency Controls 520M14725ctr 1.9416
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 cts- 제어 주파수 520 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 520 14.7456 MHz 사인파를 사인파를 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-520M14725ctr 귀 99 8541.60.0080 3,000 - 2MA 결정 ± 2.5ppm - - -
25QHTF22-17.070-PD Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22-17.070-PD 20.2500
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Mercury United Electronics, Inc. 25QHTF22 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 17.07 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2425-25QHTF22-17.070-PD 귀 99 8541.60.0050 5 대기 (다운 전원) 22MA 결정 ± 50ppm - -
SIT9365AC-2B3-28N153.600000 SiTime SIT9365AC-2B3-28N153.600000 9.9000
RFQ
 ECAD 9053 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 153.6 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm - -
TG2016SMN 52.0000M-ECGNNM0 EPSON TG2016SMN 52.0000M-ECGNNM0 1.9478
RFQ
 ECAD 5900 0.00000000 엡슨 TG2016SMN 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.029 "(0.73mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO TG2016SMN 52MHz 사인파를 사인파를 1.7V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-TG2016SMN52.0000M-ECGNNM0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 - 2.1ma 결정 ± 500ppb - - -
SG-8101CA 12.3500M-TCHSA0 EPSON SG-8101CA 12.3500M-TCHSA0 1.6842
RFQ
 ECAD 2286 0.00000000 엡슨 SG-8101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SG-8101 12.35 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 114-SG-8101CA12.3500M-TCHSA0TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 대기 (다운 전원) 6.8ma (유형) 결정 ± 20ppm - - 1.1µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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