RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

발진기 (651585)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	등급	크기 / 치수	높이- 최대 (좌석)	장착 장착	패키지 / 케이스	유형	기본 기본 번호	빈도	산출	전압 - 공급	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	기능	현재 -공급 (max)	기본 기본	주파수 주파수	절대 절대 범위 (apr)	스펙트럼 스펙트럼 스프레드	짐
SIT1602BC-82-18S-60.000000	1.4700	RFQ	3570	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		60MHz	HCMOS, LVCMOS	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	대기 (다운 전원)	4.1ma	MEMS	± 25ppm	-	-
SG-8018CE 14.8750M-TJHSA0	0.5909	RFQ	7214	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.875 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CE14.8750M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	3.5MA	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
VMQF326T25-40.000-1.0/-40+85	35.7500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo		40MHz	CMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	2 (1 년)	영향을받지 영향을받지	2425-VMQF326T25-40.000-1.0/-40+85	귀 99	8541.60.0060	3	진폭 진폭	20MA (유형)	결정	± 1ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
581L49105CTT	17.6460	RFQ	5854	cts- 제어 주파수	581	테이프 & tr (TR)	활동적인	-20 ° C ~ 70 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.079 "(2.00mm)	표면 표면	8-smd,, 없음	TCXO		49.152 MHz	HCMOS	3.3v	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	110-581L49105CTTTR	귀 99	8541.60.0080	1,000	-	9.5MA	결정	± 500ppb	-	-	-
SIT1602BI-73-28E-74.250000	1.2900	RFQ	6492	시민	SIT1602B	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		74.25 MHz	HCMOS, LVCMOS	2.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.5MA	MEMS	± 50ppm	-	-
25QHTF22-134.000-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		134 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF22-134.000-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	28ma	결정	± 50ppm	-	-
SIT5156AECFK-25VT-20.000000	60.4700	RFQ	3634	시민	SIT5156, 5 플랫폼 ™	조각	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.042 "(1.06mm)	표면 표면	10-smd,, 없음	vctcxo	SIT5156	20MHz	사인파를 사인파를	2.5V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1	-	57ma	MEMS	± 500ppb	± 6.25ppm	-	-
3QHTF21-49.4433-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		49.4433 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-49.4433-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	23MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF21-133.262-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		133.262 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-133.262-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	28ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHM53D2.0-66.700	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		66.7 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM53D2.0-66.700	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-2.00%,, 스프레드
25QHTF57-14.7465 -OE	20.2500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		14.7465 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-14.7465-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
QVMQF326D25-2.0A-16.366667	34.7500	RFQ	250	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.067 "(1.70mm)	표면 표면	6-SMD,, 없음	vctcxo		16.366667 MHz	LVD	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-QVMQF326D25-2.0A-16.366667	귀 99	8541.60.0050	3	활성화/비활성화	23MA (유형)	결정	± 2ppm	± 8ppm	-	18MA (유형)
SIT8924BIR71-30E-32.000000	8.0800	RFQ	7818	시민	SIT8924B	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	AEC-Q100	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SIT8924	32 MHz	lvcmos, lvttl	3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8542.39.0001	1	활성화/비활성화	4.8ma	MEMS	± 20ppm	-	-	4.5MA
18QHTF22-10.720444-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF22	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		10.720444 MHz	LVCMOS	1.8V	-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF22-10.720444-OE	귀 99	8541.60.0050	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
3QHTF21-65.500-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		65.5 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-65.500-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	26MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF53-74.963397-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		74.963397 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF53-74.963397-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	26MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF32-50.1067-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF32	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.039 "(1.00mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		50.1067 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF32-50.1067-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	24ma	결정	± 50ppm	-	-
3QHM572d0.5-34.4347	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		34.4347 MHz	CMOS (EMI)	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHM572d0.5-34.4347	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.50%, 50 스프레드
ECS-3225SMV-192-GP-TR	2.0796	RFQ	2432	ECS Inc.	ECS-3225SMV Multivolt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		19.2 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	10MA	결정	± 5ppm	-	-	10µA
SG-8018CE 15.0000M-TJHPAB	1.5998	RFQ	8894	엡슨	SG-8018	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8018	15MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CE15.0000M-TJHPAB	귀 99	8541.60.0080	1	활성화/비활성화	6.8ma	결정	± 50ppm	-	-	3.5MA
3QHTF21-156.257813-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	3QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		156.257813 MHz	LVCMOS	3.3v	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-3QHTF21-156.257813-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	29ma	결정	± 50ppm	-	-
25qhm572d0.25-52.000	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	Quikxo	조각	활동적인	-45 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	SSXO		52MHz	CMOS (EMI)	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25qhm572d0.25-52.000	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화		결정	± 50ppm	-	-0.25%, 하향 확산
SG-8018CA 153.0000M-TJHSA0	0.7121	RFQ	2831	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		153 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CA153.0000M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA
25QHTF57-32.106-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		32.106 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF57-32.106-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
18QHTF57-20.3964-OE	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	18QHTF57	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		20.3964 MHz	LVCMOS	1.8V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-18QHTF57-20.3964-OE	귀 99	8541.60.0060	5	활성화/비활성화	22MA	결정	± 50ppm	-	-
25QHTF53-26.66666-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF53	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		26.66666 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF53-26.66666-PD	귀 99	8541.60.0060	5	대기 (다운 전원)	23MA	결정	± 50ppm	-	-
SG-8101CG 16.5120M-TBGPA0	2.0796	RFQ	5932	엡슨	SG-8101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm)	0.055 "(1.40mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)	SG-8101	16.512 MHz	CMOS	1.8V ~ 3.3V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8101CG16.5120M-TBGPA0TR	귀 99	8541.60.0080	1,000	활성화/비활성화	6.8ma (유형)	결정	± 15ppm	-	-	3.5MA
CA50C33E7NMT	1.5641	RFQ	6203	cts- 제어 주파수	CA50	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	AEC-Q200	0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm)	0.051 "(1.30mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		33.333 MHz	HCMOS, TTL	1.8V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	1,000	활성화/비활성화	25MA	결정	± 150ppm	-	-	10µA
25QHTF21-3.883-PD	20.2500	RFQ	500	Mercury United Electronics, Inc.	25QHTF21	조각	활동적인	-40 ° C ~ 85 ° C	-	0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm)	0.031 "(0.80mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		3.883 MHz	LVCMOS	2.5V	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	2425-25QHTF21-3.883-PD	귀 99	8541.60.0030	5	대기 (다운 전원)	21ma	결정	± 50ppm	-	-
SG-8018CE 24.6710M-TJHSA0	0.5909	RFQ	3768	엡슨	SG-8018	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 105 ° C	-	0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm)	0.047 "(1.20mm)	표면 표면	4-SMD,, 없음	xo (표준)		24.671 MHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	114-SG-8018CE24.6710M-TJHSA0	귀 99	8542.39.0001	1,000	대기 (다운 전원)	8.1ma	결정	± 50ppm	-	-	1.1µA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

발진기 (651585)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²