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| S41X083130GP | 0.0269 | | 5300 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083130GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 13 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
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| 4611x-104-161/241L | 0.1600 | | 3737 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.098 "L x 0.098"W (27.89mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 11-sip | 4611X | ± 100ppm/° C | 11-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 500 | 160, 240 | 이중 이중 | 18 | - | - | 11 | 200MW | ||
 | RP164PJ332CS | - | | 6492 | 0.00000000 | 삼성 삼성 역학 | RP | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 5,000 | 3.3k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | EXB-38V4R7JV | 0.1300 | | 9 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | EXB-38 | ± 200ppm/° C | 1206 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 4.7 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
| Y4942V0128BB9L | 72.3120 | | 2498 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | 300190 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.575 "LX 0.160"W (14.61mm x 4.06mm) | 0.413 "(10.49mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | 방사형 방사형 | - | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 33k, 100k | 전압 전압 | 2 | - | - | 3 | 300MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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