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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | MNR04M0APJ000 | - | | 2885 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 점퍼 | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | - | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 0.0 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | Y0076V0091BB9L | 38.8740 | | 3654 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | VHD144 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.398 "LX 0.185"W (10.11mm x 4.70mm) | 0.525 "(13.33mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 500 | 전압 전압 | 2 | ± 0.1% | ± 0.1ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
 | RAVF104DJT8R20 | 0.0066 | | 3049 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 300ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 8.2 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | TC164-FR-073K57L | 0.0163 | | 7941 | 0.00000000 | Yageo | TC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | TC164-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 3.57K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | YC162-FR-07196RL | 0.0168 | | 2387 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 196 년 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
| YC162-FR-075K62L | 0.0168 | | 2393 | 0.00000000 | Yageo | YC162 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0606,, | YC162-FR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.62k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
| 752241222GPTR13 | 1.3713 | | 8066 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 752 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "L x 0.080"W (16.89mm x 2.03mm) | 0.100 "(2.53mm) | 표면 표면 | 24-DRT | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 2.2k | 버스 | 22 | - | - | 24 | 80MW | |||
 | 4308m-101-333LF | 0.8242 | | 9350 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300m | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.784 "L x 0.085"W (19.91mm x 2.16mm) | 0.250 "(6.35mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4308m | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 33k | 버스 | 7 | - | 50ppm/° C | 8 | 250MW | ||
 | 766143154GP | 1.2910 | | 1445 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.65mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 766-143-R150KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 56 | 150K | 외딴 | 7 | - | - | 14 | 160MW | ||
| exb-u34300jv | 0.0458 | | 7840 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | Exb-U34 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.063 "L x 0.063"W (1.60mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 0606,, | ± 200ppm/° C | 0606 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 30 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||
 | 766161510GP | 1.2910 | | 2715 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 766-161-R51p | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 51 | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||
| RT2476B7TR7 | - | | 4330 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | - | - | - | - | - | ||||||
 | YC122-JR-132K2L | 0.0046 | | 8046 | 0.00000000 | Yageo | YC | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | 1 (무제한) | 13-YC122-JR-132K2L | 귀 99 | 8533.21.0010 | 50,000 | 2.2k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||
 | S41X083274GP | 0.0269 | | 1428 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083274GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 270K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
| S41X083113FP | 0.0311 | | 9699 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 0804 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X083113FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 11k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||
| Y0094V0103QT0L | 42.9472 | | 4328 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | VSR144 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.02% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.320 "(8.13mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 8ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 2K, 3K | 전압 전압 | 2 | - | ± 1.5ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
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| RT2468B7 | - | | 4353 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | Clearone ™ | 대부분 | 쓸모없는 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM | 0.354 "LX 0.118"W (9.00mm x 3.00mm) | 0.053 "(1.34mm) | 표면 표면 | 27-lbga | ± 200ppm/° C | 27-BGA (9x3) | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1 | 150 | 이중 이중 | 18 | - | - | 27 | 50MW | ||||
 | S42C163112JP | 0.1518 | | 9396 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163112JPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 1.1k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | 742C083102JP | 0.2400 | | 359 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||
 | WA04Y683_JTL | - | | 5054 | 0.00000000 | Walsin Technology Corporation | WA04Y | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | - | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 미터), 오목합니다 | ± 200ppm/° C | 0404 | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4639-WA04Y683_JTLTR | 귀 99 | 1 | 68K | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||
 | MNR15ERRPJ512 | - | | 8960 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MNR | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.026 "(0.65mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.1k | 버스 | 8 | - | - | 10 | 31MW | |||
| Exb-U243R6JX | 0.0145 | | 8336 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | EXB-U24 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | -200/+600ppm/° C | 0404 | 다운로드 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 3.6 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||
 | TC124-JR-0727RL | 0.0134 | | 8556 | 0.00000000 | Yageo | TC124 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | TC124-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
 | 4306R-101-100 | 0.6342 | | 9734 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300R | 튜브 | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.584 "L x 0.085"W (14.83mm x 2.16mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 6-sip | 4306R | ± 250ppm/° C | 6-sip | 다운로드 | rohs 비준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 35 | 10 | 버스 | 5 | - | 50ppm/° C | 6 | 200MW | ||
 | YC324-FK-072K37L | 0.0697 | | 5110 | 0.00000000 | Yageo | YC324 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 | YC324-FK | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 2.37k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 125MW | ||
 | 4608x-102-152LF | 0.5900 | | 8303 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608x | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 200 | 1.5K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 300MW | ||
| 766161272GP | 1.2910 | | 7670 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 766 | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "LX 0.154"W (9.90mm x 3.90mm) | 0.069 "(1.75mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 766-161-R2.7KP | 귀 99 | 8533.21.0010 | 49 | 2.7k | 버스 | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||
| 4608H-102-823LF | 0.1927 | | 3624 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600H | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.350 "(8.89mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608H | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 500 | 82k | 외딴 | 4 | - | 50ppm/° C | 8 | 500MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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