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| exb-24v751jx | 0.0120 | | 5225 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | exb-24 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | exb24v751jx | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 750 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | |
 | 742C163103JP | 0.4700 | | 783 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 742 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | 742C163 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 10k | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | VSSR2001102GTF | 1.1847 | | 6460 | 0.00000000 | Vishay Dale ale | vssr | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "LX 0.154"W (8.66mm x 3.91mm) | 0.069 "(1.76mm) | 표면 표면 | 20-SSOP (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 100ppm/° C | 20-ssop | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,500 | 1K | 버스 | 19 | - | - | 20 | 100MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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