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 | ACASA100122001P100 | 0.2700 | | 6779 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | aca- 전문가 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 50ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K, 2K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
 | exb-24v222jx | 0.1100 | | 25 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.018 "(0.45mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | exb-24 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2.2k | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 62.5MW | ||
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| AF164-FR-0780K6L | 0.0643 | | 8739 | 0.00000000 | Yageo | AF164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 80.6k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | |||
 | S41X043110FP | 0.0283 | | 3882 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) | 0.016 "(0.40mm) | 표면 표면 | 0404 (1010 metric), 볼록 | ± 200ppm/° C | 0404 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S41X043110FPR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 11 | 외딴 | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||
| Y1719V0008BT0L | 98.2728 | | 9698 | 0.00000000 | vpg 저항 포일 | 300198z | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 1.200 "L x 0.245"W (30.48mm x 6.22mm) | 0.413 "(10.49mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -6 리드 | ± 0.2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0060 | 25 | 10k | 전압 전압 | 4 | ± 0.005% | ± 0.1ppm/° C | 6 | 300MW | ||||
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 | YC164-JR-0727RL | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | Yageo | YC164 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200, DDRAM, SDRAM | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | YC164-JR | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 27 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||
| RMK33N108KB | 20.7354 | | 6789 | 0.00000000 | Vishay Sfernice | * | 쟁반 | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 716-RMK33N108KB | 귀 99 | 8533.21.0020 | 100 | |||||||||||||||||||
 | 4610x-101-390LF | 0.1067 | | 9433 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.998 "L x 0.098"W (25.35mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4610x | ± 250ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 39 | 버스 | 9 | - | - | 10 | 200MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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