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 | RF064PJ333CS | 0.0776 | | 6767 | 0.00000000 | 삼성 삼성 역학 | RF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.055 "L x 0.024"W (1.40mm x 0.60mm) | 0.013 "(0.33mm) | 표면 표면 | 0502 (1406 메트릭), 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 20,000 | 33k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | |||
 | Y1365V0189BT9R | 19.8500 | | 6204 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | SMN | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) | 0.073 "(1.86mm) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,500 | 400, 1K | 외딴 | 4 | ± 0.01% | ± 0.5ppm/° C | 8 | 100MW | ||||
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| EXB-S8V162J | 0.1351 | | 4566 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | exb | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "L x 0.087"W (5.08mm x 2.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 2009, 오목한, 오목한 측면 터미널 | Exb-S8 | ± 200ppm/° C | 2009 년 년 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 2,500 | 1.6k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||
 | 4310m-101-472LF | 0.7598 | | 6918 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4300m | 튜브 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.984 "L x 0.085"W (24.99mm x 2.16mm) | 0.250 "(6.35mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | 4310m | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 250 | 4.7k | 버스 | 9 | - | 50ppm/° C | 10 | 250MW | ||
 | RAVF164DFT100K | 0.0150 | | 6492 | 0.00000000 | Stackpole Electronics Inc | RAVF | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | AEC-Q200 | 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100k | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||
 | S42C163330GP | 0.1813 | | 1974 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | S4X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "L x 0.063"W (6.40mm x 1.60mm) | 0.024 "(0.60mm) | 표면 표면 | 2506, 오목한, 긴 측면 터미널 | ± 200ppm/° C | 2506 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 60-S42C163330GPTR | 귀 99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 33 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||
 | crb2a4e7r5jt | - | | 8646 | 0.00000000 | Kyocera avx | CRB, Kyocera | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) | 0.020 "(0.50mm) | 표면 표면 | 0804,,, 긴 측면 터미널 | -100/ +600ppm/ ° C | 0804 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 7.5 | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 62.5MW | ||||
 | CSC08A011K00GEK | 0.8383 | | 1402 | 0.00000000 | Vishay Dale | CSC | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.098"W (20.07mm x 2.49mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | CSC1.0KN | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 1K | 버스 | 7 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 200MW | ||
 | ACASA100122001P100 | 0.2700 | | 6779 | 0.00000000 | Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 | aca- 전문가 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 0.5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 | ± 50ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 1K, 2K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||
| Y0006V0001BT9L | 36.2404 | | 3871 | 0.00000000 | Vishay 저항기 포일 (Vishay Precision Group의 부서) | 300144 | 대부분 | 활동적인 | ± 0.1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 전압 전압 (TCR 일치) | 0.295 "L x 0.100"W (7.49mm x 2.54mm) | 0.320 "(8.13mm) | 구멍을 구멍을 | 방사형 -3 리드 | ± 2ppm/° C | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 25 | 10k | 전압 전압 | 2 | ± 0.01% | ± 0.5ppm/° C | 3 | 100MW | ||||
 | 4816P-1-430LF | 0.5698 | | 3153 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4800p | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 1ohm | -55 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q200 | 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) | 0.094 "(2.40mm) | 표면 표면 | 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) | 4816p | ± 250ppm/° C | 16-SOM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 43 | 외딴 | 8 | - | - | 16 | 160MW | ||
 | 770103331p | 0.7800 | | 273 | 0.00000000 | cts 저항성 제품 | 770 | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "L x 0.098"W (25.40mm x 2.50mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 10-sip | ± 100ppm/° C | 10-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 770-103-R330P | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 330 | 외딴 | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||
 | 4608X-102-684LF | 0.0985 | | 9996 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | 4608x | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 680K | 외딴 | 4 | - | - | 8 | 300MW | ||
 | 4609X-101-822LF | 0.6200 | | 27 | 0.00000000 | Bourns Inc. | 4600x | 대부분 | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.898 "L x 0.098"W (22.81mm x 2.49mm) | 0.200 "(5.08mm) | 구멍을 구멍을 | 9-SIP | 4609X | ± 100ppm/° C | 9-SIP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 4609x101822LF | 귀 99 | 8533.21.0010 | 200 | 8.2k | 버스 | 8 | - | - | 9 | 200MW | |
 | MSP08A03100KFEJ | 4.2178 | | 5698 | 0.00000000 | Vishay Dale | MSP | 튜브 | 활동적인 | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.790 "L x 0.090"W (20.07mm x 2.29mm) | 0.195 "(4.95mm) | 구멍을 구멍을 | 8-sip | ± 100ppm/° C | 8-sip | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8533.21.0050 | 28 | 100k | 외딴 | 4 | - | ± 50ppm/° C | 8 | 300MW |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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