SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 응용 응용 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 온도 온도 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 저항 (옴) 회로 회로 저항 저항 저항 저항 비율 저항-드리프트-비율 핀 핀 요소 요소 전원
ACASA1003E1003P100 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components ACASA1003E1003P100 1.5600
RFQ
ECAD 811 0.00000000 Vishay beyschlag/draloric/bc 구성 요소 aca- 정밀도 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.25% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 25ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 1,000 100k 외딴 4 ± 0.05% ± 7.5ppm/° C 8 100MW
768163270G CTS Resistor Products 768163270G -
RFQ
ECAD 3759 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 768-163-R27 귀 99 8533.21.0010 43 27 외딴 8 - - 16 200MW
Y1747V0191AA9U VPG Foil Resistors Y1747V0191AA9U 48.1140
RFQ
ECAD 5025 0.00000000 vpg 저항 포일 smnz 튜브 활동적인 ± 0.05% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) 0.073 "(1.86mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0010 25 1K 외딴 4 ± 0.05% ± 1ppm/° C 8 100MW
CRA04S04375K0JTD Vishay Dale CRA04S04375K0JTD -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 Vishay Dale CRA04 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0020 10,000 75K 외딴 2 - - 4 62.5MW
ORNTV50022002T3 Vishay Dale Thin Film ORNTV50022002T3 2.5200
RFQ
ECAD 3447 0.00000000 Vishay Dale ale ornv 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C 전압 전압 (TCR 일치) 0.194 "L x 0.157"W (4.93mm x 3.99mm) 0.068 "(1.73mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 25ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 300 20K, 50K 전압 전압 5 ± 0.05% ± 5ppm/° C 8 100MW
4308R-102-123 Bourns Inc. 4308R-102-123 0.7443
RFQ
ECAD 4803 0.00000000 Bourns Inc. 4300R 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.784 "L x 0.085"W (19.91mm x 2.16mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4308R ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 4308R-2-123 귀 99 8533.21.0050 25 12k 외딴 4 - 50ppm/° C 8 300MW
MDP160333K0GE04 Vishay Dale MDP160333K0GE04 5.2722
RFQ
ECAD 4186 0.00000000 Vishay Dale MDP 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.850 "L x 0.250"W (21.59mm x 6.35mm) 0.155 "(3.94mm) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm) ± 100ppm/° C 16-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0060 25 33k 외딴 8 - - 16 250MW
4816P-1-105 Bourns Inc. 4816P-1-105 0.5698
RFQ
ECAD 5157 0.00000000 Bourns Inc. 4800p 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.094 "(2.40mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C 16-SOM 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 118-4816P-1-105TR 귀 99 8533.21.0020 2,000 1m 외딴 8 - 50ppm/° C 16 160MW
4608X-101-103 Bourns Inc. 4608x-101-103 -
RFQ
ECAD 8599 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 대부분 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 4608x-1-103 귀 99 8533.21.0050 200 10k 버스 7 - - 8 200MW
RSK33N40KF Vishay Sfernice RSK33N40KF 9.2645
RFQ
ECAD 7160 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-RSK33N40KF 귀 99 8533.21.0020 100
741C083514J CTS Resistor Products 741C083514J -
RFQ
ECAD 6219 0.00000000 cts 저항성 제품 741 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 741C083 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 510K 외딴 4 - - 8 63MW
NOMC16031003AT1 Vishay Dale Thin Film NOMC16031003AT1 2.2016
RFQ
ECAD 8143 0.00000000 Vishay Dale ale nomc 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.1% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "L x 0.154"W (9.91mm x 3.91mm) 0.063 "(1.60mm) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 25ppm/° C 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0010 1,000 100k 외딴 8 ± 0.025% ± 5ppm/° C 16 100MW
RAVF104DJT750R Stackpole Electronics Inc RAVF104DJT750R 0.0066
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Stackpole Electronics Inc RAVF 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 750 외딴 4 - - 8 62.5MW
RP102PJ1R8CS Samsung Electro-Mechanics rp102pj1r8cs -
RFQ
ECAD 5499 0.00000000 삼성 삼성 역학 RP 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "L x 0.039"W (1.00mm x 1.00mm) 0.018 "(0.46mm) 표면 표면 0404 (1010 metric), 볼록 ± 300ppm/° C 0404 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 10,000 1.8 외딴 2 - - 4 62.5MW
YC324-JK-0713KL YAGEO YC324-JK-0713KL 0.0585
RFQ
ECAD 9618 0.00000000 Yageo YC324 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.200 "L x 0.126"W (5.08mm x 3.20mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 2012, 볼록, 볼록 측면 터미널 YC324-JK ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 4,000 13k 외딴 4 - - 8 125MW
YC248-FR-07210KL YAGEO YC248-FR-07210KL 0.0663
RFQ
ECAD 7746 0.00000000 Yageo YC248 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.157 "L x 0.063"W (4.00mm x 1.60mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 1606, 볼록, 긴 측면 터미널 YC248-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 210K 외딴 8 - - 16 62.5MW
RACF164DJT360R Stackpole Electronics Inc RACF164DJT360R -
RFQ
ECAD 6194 0.00000000 Stackpole Electronics Inc racf 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C AEC-Q200 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.030 "(0.75mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 오목한, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 360 외딴 4 - - 8 62.5MW
767141563GPTR13 CTS Resistor Products 767141563GPTR13 1.1757
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 cts 저항성 제품 767 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 2,000 56K 버스 13 - - 14 100MW
4608X-AP2-472LF Bourns Inc. 4608x-AP2-472LF 0.7300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.798 "L x 0.098"W (20.27mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 8-sip 4608x ± 100ppm/° C 8-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 4.7k 외딴 4 - - 8 300MW
AF164-FR-07562KL YAGEO AF164-FR-07562KL 0.0676
RFQ
ECAD 1030 0.00000000 Yageo AF164 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C DDRAM, SDRAM 0.126 "L x 0.063"W (3.20mm x 1.60mm) 0.028 "(0.70mm) 표면 표면 1206 (3216 메트릭), 볼록, 긴 측면 터미널 ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 5,000 562K 외딴 4 - - 8 62.5MW
4306R-101-272 Bourns Inc. 4306R-101-272 0.6342
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 Bourns Inc. 4300R 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.584 "L x 0.085"W (14.83mm x 2.16mm) 0.195 "(4.95mm) 구멍을 구멍을 6-sip 4306R ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 rohs 비준수 적용 적용 수 할 영향을받습니다 4306R-1-272 귀 99 8533.21.0050 35 2.7k 버스 5 - 50ppm/° C 6 200MW
TC124-FR-0730R1L YAGEO TC124-FR-0730R1L 0.0297
RFQ
ECAD 4604 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-FR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 30.1 외딴 4 - - 8 62.5MW
TC124-JR-07150RL YAGEO TC124-JR-07150RL 0.1300
RFQ
ECAD 6549 0.00000000 Yageo TC124 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q200, DDRAM, SDRAM 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.020 "(0.50mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 TC124-JR ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 150 외딴 4 - - 8 62.5MW
4606X-AP2-221LF Bourns Inc. 4606x-AP2-221LF 0.1236
RFQ
ECAD 4051 0.00000000 Bourns Inc. 4600x 테이프 & t (TB) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.598 "L x 0.098"W (15.19mm x 2.49mm) 0.200 "(5.08mm) 구멍을 구멍을 6-sip 4606x ± 100ppm/° C 6-sip 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0050 1,000 220 외딴 3 - - 6 300MW
TA33-3KB Vishay Sfernice TA33-3KB 12.6714
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 Vishay Sfernice * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 716-TA33-3KB 귀 99 8533.21.0020 100
753163103GP CTS Resistor Products 753163103GP 2.0285
RFQ
ECAD 1939 0.00000000 cts 저항성 제품 753 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.245 "L x 0.080"W (6.22mm x 2.03mm) 0.100 "(2.53mm) 표면 표면 16-DRT ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 60-753163103GP 귀 99 8533.21.0020 250 10k 외딴 8 - - 16 80MW
Y1747V0196QT0R VPG Foil Resistors Y1747V0196QT0R 26.0875
RFQ
ECAD 7433 0.00000000 vpg 저항 포일 smnz 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 0.02% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.157"W (5.00mm x 3.99mm) 0.073 "(1.86mm) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ± 0.2ppm/° C - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8533.21.0010 1,000 500, 2k 외딴 4 ± 0.01% ± 1ppm/° C 8 100MW
CAT10-682J4LF Bourns Inc. CAT10-682J4LF 0.0141
RFQ
ECAD 7925 0.00000000 Bourns Inc. CAT10 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "L x 0.039"W (2.00mm x 1.00mm) 0.022 "(0.55mm) 표면 표면 0804,,, 긴 측면 터미널 CAT10 ± 250ppm/° C 0804 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0020 10,000 6.8k 외딴 4 - - 8 62.5MW
768161393GP CTS Resistor Products 768161393GP 1.2132
RFQ
ECAD 5993 0.00000000 cts 저항성 제품 768 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.440 "L x 0.220"W (11.18mm x 5.59mm) 0.071 "(1.80mm) 표면 표면 16-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 100ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 43 39K 버스 15 - - 16 100MW
767141330GP CTS Resistor Products 767141330GP 1.1988
RFQ
ECAD 4942 0.00000000 cts 저항성 제품 767 튜브 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.390 "LX 0.220"W (9.91mm x 5.59mm) 0.093 "(2.36mm) 표면 표면 14-SOIC (0.220 ", 5.59mm 너비) ± 200ppm/° C - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8533.21.0010 48 33 버스 13 - - 14 100MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고