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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
FODM3011R1_NF098 onsemi FODM3011R1_NF098 -
RFQ
ECAD 5635 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 CUR, ur 1 트라이크 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 500 1.2V 60 MA 3750vrms 250 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 10MA -
IL300-X006 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X006 -
RFQ
ECAD 4503 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
HCPL-817-W60E Broadcom Limited HCPL-817-W60E 0.1603
RFQ
ECAD 6725 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCPL-817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
FOD817A300W onsemi FOD817A300W 0.5400
RFQ
ECAD 1383 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) FOD817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 2156-FOD817A300W-OS 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
H11AA3M onsemi H11AA3M -
RFQ
ECAD 6317 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 7500VPK 50% @ 10ma - - 400MV
HS0038M4 Vishay Semiconductor Opto Division HS0038M4 -
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 Vishay to Opto Division - 대부분 쓸모없는 HS003 - 751-HS0038M4 쓸모없는 1,000
HCPL0700V onsemi HCPL0700V -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL07 DC 1 베이스와 베이스와 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 60ma - 7V 1.25V 20 MA 2500VRMS 300% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 1µs, 7µs -
PS9814-2-V-F4-A CEL PS9814-2-V-F4-A -
RFQ
ECAD 3787 0.00000000 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DC 2 오픈 오픈 4.5V ~ 5.5V 8-ssop 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 1,500 25 MA 10Mbps 20ns, 10ns 1.65V 15MA 2500VRMS 2/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP3905(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3905 (TPR, e 1.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP3905 DC 1 태양 태양 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 30µA (유형) - 7V 1.65V 30 MA 3750vrms - - 300µs, 1ms -
PS2801C-1-A CEL PS2801C-1-A -
RFQ
ECAD 1052 0.00000000 NEPOC 조각 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS2801C1A 귀 99 8541.49.8000 50 30ma 5µs, 7µs 80V 1.2V 30 MA 2500VRMS 50% @ 5mA 400% @ 5mA 10µs, 7µs 300MV
H11A4S-TA1 Lite-On Inc. H11A4S-TA1 -
RFQ
ECAD 9721 0.00000000 Lite-On Inc. h11ax 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) H11A4STA1 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma 2.8µs, 4.5µs 30V 1.2V 60 MA 5000VRMS 10% @ 10ma - - 400MV
EL3082 Everlight Electronics Co Ltd EL3082 0.4715
RFQ
ECAD 4091 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL308 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903820000 귀 99 8541.49.8000 65 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 280µA (() 600V/µs 10MA -
EL357NE(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL357NE (TA) -G -
RFQ
ECAD 6447 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL357 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 200% @ 5mA - 200MV
MOC80503SD onsemi MOC80503SD -
RFQ
ECAD 6431 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC805 DC 1 달링턴 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC80503SD-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 150ma - 80V 1.15V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 3.5µs, 95µs -
HCPL-2531-320E Broadcom Limited HCPL-2531-320E 1.4268
RFQ
ECAD 4191 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2531 DC 2 트랜지스터 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 19% @ 16ma 50% @ 16ma 200ns, 600ns -
TCET1102G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1102G 0.5500
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TCET1102 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 6µs, 5µs 300MV
H11B1 Isocom Components 2004 LTD H11B1 0.7200
RFQ
ECAD 338 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 H11B1IS 귀 99 8541.49.8000 65 - - 30V 1.2V 80 MA 5300VRMS 500% @ 1ma - 125µs, 100µs 1V
TLP109(IGM,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM, E) 1.9900
RFQ
ECAD 6766 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비), 5 개의 리드 TLP109 DC 1 트랜지스터 6-5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 125 8ma - 20V 1.64V 20 MA 3750vrms 25% @ 10ma 75% @ 10ma 450ns, 450ns -
FODM3021R1 Fairchild Semiconductor FODM3021R1 0.4600
RFQ
ECAD 8089 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FODM30 BSI, CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 456 1.2V 60 MA 3750vrms 400 v 70 MA 300µA (() 아니요 10V/µS (유형) 15MA -
TLP3062A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3062A (f 1.6100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm), 5 리드 TLP3062 CQC, CUR, ur 1 트라이크 6-DIP 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.49.8000 50 1.15V 50 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 600µA (() 2kv/µs (유형) 10MA -
HCPL-2211#500 Broadcom Limited HCPL-2211#500 -
RFQ
ECAD 9877 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 25 MA 5MBD 30ns, 7ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 5kv/µs, 10kv/µs 300ns, 300ns
CNY17-2X007T Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-2x007t 0.8000
RFQ
ECAD 866 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
HCPL-2631#500 Broadcom Limited HCPL-2631#500 3.0299
RFQ
ECAD 6678 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2631 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 15MA 3750vrms 2/0 10kV/µs 100ns, 100ns
CNY17F-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17F-4X009 0.7100
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 트랜지스터 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
ISP827X Isocom Components 2004 LTD ISP827X 0.8600
RFQ
ECAD 403 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 튜브 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) ISP827 DC 2 트랜지스터 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 800 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
EL815(M)-V Everlight Electronics Co Ltd EL815 (m) -v -
RFQ
ECAD 2964 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL815 DC 1 달링턴 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
HCPL-2502#020 Broadcom Limited HCPL-2502#020 -
RFQ
ECAD 7565 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma 22% @ 16MA 200ns, 600ns -
FOD4108S onsemi FOD4108S 3.7600
RFQ
ECAD 9123 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 FOD4108 CSA, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 1.25V 30 MA 5000VRMS 800 v 500µA 10kV/µs 2MA 60µs
6N139 Lite-On Inc. 6N139 0.2520
RFQ
ECAD 7763 0.00000000 Lite-On Inc. - 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 6N139 DC 1 베이스와 베이스와 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma - 18V 1.1V 20 MA 5000VRMS 500% @ 1.6ma 2600% @ 1.6ma 100ns, 2µs -
IS127 Isocom Components 2004 LTD IS127 0.9200
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 달링턴 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 - 4µs, 3µs 300V 1.2V 50 MA 3750vrms 1000% @ 1ma - - 1.2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고