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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을
SFH615A-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-3X001 0.2798
RFQ
 ECAD 2571 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) SFH615 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 100% @ 10ma 200% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
H11D1VM onsemi H11D1VM 1.0600
RFQ
 ECAD 317 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11D1 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 100ma - 300V 1.15V 80 MA 4170vrms 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
PS2561L2-1-V-F3-A CEL PS2561L2-1-V-F3-A -
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 5µs 80V 1.17V 80 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
EL3032 Everlight Electronics Co Ltd EL3032 0.5071
RFQ
 ECAD 8955 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL303 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903320000 귀 99 8541.49.8000 65 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 250 v 100 MA 280µA (() 예 1kv/µs 10MA -
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BL-TP, SE 0.5100
RFQ
 ECAD 3927 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
HMHA2801AV onsemi HMHA2801AV 0.2194
RFQ
 ECAD 7155 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) HMHA2801 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
MCT2ES1(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd MCT2ES1 (TB) -V -
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT2 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 390717T231 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 3µs, 3µs 80V 1.23V 60 MA 5000VRMS 20% @ 10ma - 3µs, 3µs 400MV
PR36MF51NSLH Sharp Microelectronics pr36mf51nslh -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 날카로운 날카로운 전자 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 - - - pr36mf - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - - - - -
PS2705-1-M-A Renesas Electronics America Inc PS2705-1-MA -
RFQ
 ECAD 9779 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 조각 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2705 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1454 귀 99 8541.49.8000 20 80ma 3µs, 5µs 40V 1.1V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 300MV
SFH618A-3X017T Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-3X017T 1.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH618 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 3.5µs, 5µs 55V 1.1V 60 MA 5300VRMS 100% @ 1ma 200% @ 1ma 6µs, 5.5µs 400MV
ACNV260E-000E Broadcom Limited ACNV260E-000E 12.3800
RFQ
 ECAD 3974 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 구멍을 구멍을 10-DIP (0.512 ", 13.01mm) ACNV260 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 10-DIP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 35 50 MA 10MBD 25ns, 10ns 1.64V 20MA 5000VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
S2S3AD0F SHARP/Socle Technology S2S3AD0F -
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 S2S3 CSA, UL 1 트라이크 4-SMD 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 1.2V 50 MA 3750vrms 600 v 50 MA 3.5MA 아니요 100V/µs 10MA 100µs (최대)
EL817(A)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (A) -VG -
RFQ
 ECAD 3816 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) EL817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
EL357NC-VG Everlight Electronics Co Ltd EL357NC-VG -
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 EL357 DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 3µs, 4µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 200MV
HCPL-2201-360E Broadcom Limited HCPL-2201-360E 1.6870
RFQ
 ECAD 9437 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-2201 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 25 MA 5MBD 30ns, 7ns 1.5V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 300ns, 300ns
PS2561AL-1-V-H-A CEL PS2561AL-1-VHA -
RFQ
 ECAD 4548 0.00000000 셀 NEPOC 튜브 sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
EL0501(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL0501 (TA) 2.7100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL0501 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 19% @ 16ma 50% @ 16ma 800ns, 800ns (최대) -
TLP290(E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (E) -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP290 AC, DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 175 50ma 4µs, 7µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 400% @ 5mA 7µs, 7µs 300MV
H11N2M onsemi H11n2m -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) H11N DC 1 오픈 오픈 4V ~ 15V 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30ma 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
EL3051S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL3051S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 6364 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3051 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903510007 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 5000VRMS 600 v 100 MA 250µA (() 아니요 1kv/µs 15MA -
TLP293(YH-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (YH-TPL, e 0.5800
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 75% @ 500µa 150% @ 500µa 3µs, 3µs 300MV
SFH691AT Vishay Semiconductor Opto Division sfh691at 1.1000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 SFH691 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP (2.54mm) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 300% @ 5mA 5µs, 3µs 300MV
ELW2601S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd ELW2601S (TA) -V 2.0342
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 ELW2601 DC 1 오픈 오픈 7V 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C180000037 귀 99 8541.49.8000 500 50 MA 10Mbps 40ns, 10ns 1.4V 50ma 5000VRMS 1/0 5kV/µs 100ns, 100ns
HMHA2801AV Fairchild Semiconductor HMHA2801AV 1.0000
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 귀 99 8541.49.8000 1 50ma 3µs, 3µs 80V 1.3V (최대) 50 MA 3750vrms 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
K3023P Vishay Semiconductor Opto Division K3023P 2.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) K3023 BSI, CQC, CSA, CUR, UR, VDE 1 트라이크 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 1.3V 80 MA 5300VRMS 400 v 100 MA 200µA (유형) 아니요 10V/µS (유형) 5MA -
TCMT1115 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1115 -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) TCMT1115 DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 3µs, 4µs 70V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA 5µs, 3µs 300MV
HCPL-261A#300 Broadcom Limited HCPL-261A#300 2.2076
RFQ
 ECAD 8596 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 HCPL-261 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 50 MA 10MBD 42ns, 12ns 1.3V 10MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
FOD816S Fairchild Semiconductor FOD816S 1.0000
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 달링턴 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.49.8000 2,000 80ma 60µs, 53µs 35V 1.2V 50 MA 5000VRMS 600% @ 1ma 7500% @ 1ma - 1V
CNY17-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X009 0.2221
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 CNY17 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.39V 60 MA 5000VRMS 160% @ 10ma 320% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
HCPL-354-060E Broadcom Limited HCPL-354-060E 0.2434
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 HCPL-354 AC, DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 50 MA 3750vrms 20% @ 1ma 400% @ 1ma - 200MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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