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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 승인 승인 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재 -홀드 (ih) 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화) 제로 제로 회로 DV/DT (Min) 현재- LED 트리거 (IFT) (최대) 시간을 시간을 등급 자격
ILQ1-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILQ1-X007 2.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ1 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 1.9µs, 1.4µs 50V 1.25V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma 300% @ 10ma 700ns, 1.4µs 400MV
4N33-X001 Vishay Semiconductor Opto Division 4N33-X001 0.2178
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) 4N33 DC 1 베이스와 베이스와 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 100ma - 30V 1.25V 60 MA 5300VRMS 500% @ 10ma - 5µs, 100µs (최대) 1V (유형)
OPI211 TT Electronics/Optek Technology OPI211 -
RFQ
 ECAD 5645 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4-SMD,, 없음 DC 1 트랜지스터 4-SMD - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 - 3µs, 3µs 35V 1.6V (최대) 50 MA 1000VDC 200% @ 10ma - - 300MV
EL3022S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3022S (TA) -V 0.3063
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3022 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903220012 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 MA 5000VRMS 400 v 100 MA 250µA (() 아니요 100v/µs (유형) 10MA -
EL817(S1)(D)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817 (S1) (D) (TA) -V -
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
H11AA4S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11AA4S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 9956 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11aa AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3907171261 귀 99 8541.49.8000 1,000 - 10µs, 10µs (최대) 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 10µs, 10µs (최대) 400MV
ILQ621-X007T Vishay Semiconductor Opto Division ILQ621-X007T 1.4579
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 16-SMD,, 날개 ILQ621 DC 4 트랜지스터 16-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 750 50ma 2µs, 2µs 70V 1.15V 60 MA 5300VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 2.3µs 400MV
ACPL-M49T-560E Broadcom Limited ACPL-M49T-560E 3.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M49 DC 1 트랜지스터 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 8ma - 20V 1.5V 20 MA 4000VRMS 32% @ 10ma 80% @ 10ma 20µs, 20µs (최대) - 자동차 AEC-Q100
EL3082S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd EL3082S1 (TB) -
RFQ
 ECAD 9250 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 EL3082 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 트라이크 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3903820007 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.5V (최대) 60 MA 5000VRMS 800 v 100 MA 280µA (() 예 600V/µs 10MA -
PC367NJ0000F SHARP/Socle Technology PC367NJ0000F 1.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 날카로운/기술 소셜 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -30 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PC367 DC 1 트랜지스터 4- 미니 플랫 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 4µs, 3µs 80V 1.2V 10 MA 3750vrms 100% @ 500µa 500% @ 500µa - 200MV
OPI110A TT Electronics/Optek Technology OPI110A 2.9900
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 축 축, 캔 -4 리드 OPI110 DC 1 트랜지스터 축 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 - - 30V 1.6V (최대) 40 MA 15000VDC 25% @ 10ma - - 400MV
4N37TM onsemi 4N37TM -
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) 4N37 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4N37TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 MA 4170vrms 100% @ 10ma - 2µs, 2µs 300MV
5962-8876904KYA Broadcom Limited 5962-8876904kya 739.2140
RFQ
 ECAD 4755 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-SMD 엉덩이 d 5962-8876904 DC 2 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 20V 8-DIP 조인트 엉덩이 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 15 MA 5MBD 45ns, 10ns 1.3V 8ma 1500VDC 2/0 1kv/µs 350ns, 350ns
TPC816MA C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC816MA C9G -
RFQ
 ECAD 4294 0.00000000 대만 대만 회사 TPC816 튜브 쓸모없는 -30 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 200MV
PS2561AL2-1-H-A Renesas Electronics America Inc PS2561AL2-1-HA -
RFQ
 ECAD 3750 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2561 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1293 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 80% @ 5mA 160% @ 5mA - 300MV
TLP184(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GR-TPR, SE 0.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP184 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 300% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
H11AA2SVM onsemi H11AA2SVM -
RFQ
 ECAD 5460 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11a AC, DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma - 30V 1.17V 60 MA 7500VPK 10% @ 10ma - - 400MV
PS2705A-1-F3-M-A CEL PS2705A-1-F3-MA -
RFQ
 ECAD 8599 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 AC, DC 1 트랜지스터 4-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 3,500 30ma 5µs, 7µs 70V 1.2V 30 MA 3750vrms 50% @ 5mA 150% @ 5mA - 300MV
H11B255S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd H11B255S (TB) -V -
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 H11B2 DC 1 베이스와 베이스와 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) C130000011 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 55V 1.2V 60 MA 5000VRMS 100% @ 10ma - 25µs, 18µs 1V
FOD814ASD onsemi FOD814ASD 0.7500
RFQ
 ECAD 6162 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 FOD814 AC, DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 70V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 1ma 150% @ 1ma - 200MV
5962-87679032A Broadcom Limited 5962-87679032A 103.2529
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 20-Clcc 5962-87679032 DC 2 베이스가있는 베이스가있는 20-LCCC (8.89x8.89) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 8ma - 20V 1.55V 20 MA 1500VDC 9% @ 16ma - 400ns, 1µs -
MOC3062TM onsemi MOC3062TM -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.400 ", 10.16mm) MOC306 ul 1 트라이크 6-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MOC3062TM-NDR 귀 99 8541.49.8000 1,000 1.3V 60 MA 4170vrms 600 v 500µA (() 예 600V/µs 10MA -
MCT5211-X017T Vishay Semiconductor Opto Division MCT5211-X017T -
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MCT52 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.2V 40 MA 5300VRMS 150% @ 1.6ma - 20µs, 20µs 400MV
ACPL-M21L-000E Broadcom Limited ACPL-M21L-000E 3.1400
RFQ
 ECAD 1050 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M21 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 2.7V ~ 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 100 10 MA 5MBD 11ns, 11ns 1.5V 8ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
HCNW2611 Broadcom Limited HCNW2611 3.3570
RFQ
 ECAD 2173 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.400 ", 10.16mm) HCNW2611 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 516-1082-5 귀 99 8541.49.8000 42 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.64V 20MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 100ns, 100ns
TLP358(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 (F) -
RFQ
 ECAD 7437 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 마지막으로 마지막으로 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TLP358 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 - 8-DIP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 50 6 a - - - 20MA 3750vrms - - -
PS9324L2-V-E3-AX CEL PS9324L2-V-E3-AX -
RFQ
 ECAD 9072 0.00000000 셀 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 5.5V 6-Sdip Gull Wing 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PS9324L2-V-E3-AXTR 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 10Mbps 20ns, 5ns 1.55V 25MA 5000VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
EL817(M)(D))-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817 (M) (D)) -VG 0.2295
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) EL817 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 6µs, 8µs 80V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
EL3H7(K)(EB)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (k) (EB) -g -
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비) EL3H7 DC 1 트랜지스터 4-SSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 5µs, 3µs 80V 1.2V 50 MA 3750vrms 160% @ 10ma 320% @ 10ma - 200MV
TLP781F(BL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (BL-LF7, F) -
RFQ
 ECAD 6707 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 TLP781F DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (BL-LF7F) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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