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광신자 (15749)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 채널 채널 출력 출력 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 현재 - 채널 / 출력 데이터 데이터 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 전압- 최대 (출력) 전압- v (vf) (타이핑) 현재 -dc 포워드 (if) (max) 전압 - 분리 입력 -11/사이드 2 일반적인 일반적인 일반적인 모드 모드 (Min) 전파 전파 tplh / tphl (max) 현재 현재 (전송비) 현재 현재 (전송비) 켜기 / 시간 끄기 (타이핑) vce 포화 (포화)
CNY17-1SM Isocom Components 2004 LTD CNY17-1SM 0.2012
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 ECAD 6116 0.00000000 Isocom 요소 구성 2004 Ltd CNY17-1 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 58-CNY17-1SM 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 2µs, 11µs 70V 1.2V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 18µs 400MV
6N137-560E Broadcom Limited 6N137-560E 0.6606
RFQ
 ECAD 7580 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 6N137 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.8V (최대) 20MA 3750vrms 1/0 1kv/µs 75ns, 75ns
ACPL-560KL-300 Broadcom Limited ACPL-560KL-300 523.6525
RFQ
 ECAD 6142 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-CSMD, m 날개 ACPL-560 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 3V ~ 3.6V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 MA 10MBD 20ns, 8ns 1.55V 20MA 1500VDC 1/0 1kv/µs 100ns, 100ns
TLP120(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP120 (TPR, F) -
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 ECAD 1673 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD (4 d), 갈매기 날개 TLP120 AC, DC 1 트랜지스터 6-MFSOP, 4 리드 - rohs 준수 1 (무제한) TLP120 (TPRF) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 50 MA 3750vrms 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
HCPL-7611-500E Broadcom Limited HCPL-7611-500E -
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 ECAD 9577 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 75ns, 75ns
TLP781F(D4-TELS,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp781f (d4-tels, f) -
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 ECAD 7023 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.400 ", 10.16mm) TLP781F DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 1 (무제한) 264-TLP781F (D4-TELSF) 귀 99 8541.49.8000 100 50ma 2µs, 3µs 80V 1.15V 60 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 400MV
EL817S(D)(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL817S (D) (TA) -V -
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 ECAD 6439 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 1,000 50ma 4µs, 3µs 35V 1.2V 60 MA 5000VRMS 300% @ 5mA 600% @ 5mA - 200MV
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR, SE 0.5100
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 4 ℃ TLP184 AC, DC 1 트랜지스터 6-SOP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
HCPL-1930#100 Broadcom Limited HCPL-1930#100 103.2529
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 ECAD 7555 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 16-SMD,, 관절 HCPL-1930 DC 2 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 16 조인트 조인트 엉덩이 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 25 MA 10Mbps 30ns, 24ns - 60ma 1500VDC 2/0 1kv/µs 100ns, 100ns
TLP293(BL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (BL-TPL, e 0.5100
RFQ
 ECAD 7531 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP293 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 200% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
OPIA2210ATUE TT Electronics/Optek Technology OPIA2210ATUE -
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 ECAD 1003 0.00000000 TT Electronics/Optek 기술 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 65 50ma 2µs, 3µs 350V 1.2V 50 MA 5000VRMS 50% @ 5mA 600% @ 5mA - 400MV
HCPL-2502-020E Broadcom Limited HCPL-2502-020E 1.1384
RFQ
 ECAD 7902 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) HCPL-2502 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 8ma - 20V 1.5V 25 MA 5000VRMS 15% @ 16ma 22% @ 16MA 200ns, 600ns -
MOC82043S onsemi MOC82043S -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SMD,, 날개 MOC820 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 6-SMD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 2MA - 400V 1.2V 60 MA 5300VRMS 20% @ 10ma - 5µs, 5µs 400MV
IL300-X017 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X017 2.1314
RFQ
 ECAD 6007 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 IL300 DC 1 태양 태양, 광 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,000 70µA (() 1µs, 1µs 500MV 1.25V 60 MA 5300VRMS - - - -
PS2501AL-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2501AL-1-LA -
RFQ
 ECAD 9439 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 4-SMD,, 날개 PS2501 DC 1 트랜지스터 4-SMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 559-1229 귀 99 8541.49.8000 100 30ma 3µs, 5µs 70V 1.2V 30 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA - 300MV
PVI5050NSPBF Infineon Technologies PVI5050NSPBF 9.3700
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 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 PVI 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개, 4 개의 리드 PVI5050 DC 1 태양 태양 8-smd 다운로드 Rohs3 준수 4 (72 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 50 5µA - 5V - 4000VRMS - - 300µs, 220µs (최대) -
TLP160G(SIEMTPRS,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP160G (SIEMTPRS, f -
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 ECAD 9304 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 TLP160G - 1 (무제한) 264-TLP160G (SIEMTPRSFTR 귀 99 8541.49.8000 3,000
PS9121-V-F3-AX CEL PS9121-V-F3-AX -
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 셀 NEPOC 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ DC 1 오픈 오픈 2.7V ~ 3.6V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,500 25 MA 15Mbps 20ns, 5ns 1.65V 30ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
ACPL-K370-000E Broadcom Limited ACPL-K370-000E 5.2400
RFQ
 ECAD 8374 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.268 ", 6.81mm 너비) ACPL-K370 AC, DC 1 달링턴 8- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 80 30ma 25µs, 0.3µs 20V - 5000VRMS - - 3.7µs, 8.5µs -
SFH617A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH617A-1X001 0.3245
RFQ
 ECAD 3552 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) SFH617 DC 1 트랜지스터 4-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 2µs, 2µs 70V 1.35V 60 MA 5300VRMS 40% @ 10ma 80% @ 10ma 3µs, 2.3µs 400MV
TCDT1122 Vishay Semiconductor Opto Division TCDT1122 0.2179
RFQ
 ECAD 8230 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 6-DIP (0.300 ", 7.62mm) TCDT1122 DC 1 트랜지스터 6-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 50ma - 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 63% @ 10ma 125% @ 10ma - 300MV
SFH6720T Vishay Semiconductor Opto Division SFH6720T -
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 ECAD 4312 0.00000000 Vishay to Opto Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SFH6720 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 2,000 25 MA 5MBD 40ns, 10ns 1.6V 10MA 4000VRMS 1/0 1kv/µs 300ns, 300ns
ACPL-P454-520E Broadcom Limited ACPL-P454-520E 1.4165
RFQ
 ECAD 3475 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.268 ", 6.80mm 너비) ACPL-P454 DC 1 트랜지스터 6- 너무 뻗어 너무 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,000 8ma - 20V 1.5V 25 MA 3750vrms 25% @ 16ma 60% @ 16ma 200ns, 300ns -
HCPL-0708#500 Broadcom Limited HCPL-0708#500 -
RFQ
 ECAD 3140 0.00000000 Broadcom Limited - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HCPL-0708 DC 1 푸시 푸시, 풀 기둥 4.5V ~ 5.5V 키가 8 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 2 MA 15MBD 20ns, 25ns 1.5V 20MA 3750vrms 1/0 10kV/µs 60ns, 60ns
TLP291(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GB-TP, SE 0.6000
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 110 ° C 표면 표면 4- SOIC (0.179 ", 4.55mm 너비) TLP291 DC 1 트랜지스터 4- 자 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs, 3µs 80V 1.25V 50 MA 3750vrms 100% @ 5mA 600% @ 5mA 3µs, 3µs 300MV
TLP732F(D4-BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732F (D4-BL, F) -
RFQ
 ECAD 6804 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 * 튜브 쓸모없는 TLP732 - 1 (무제한) 264-TLP732F (D4-BLF) 귀 99 8541.49.8000 50
K817P9 Vishay Semiconductor Opto Division K817p9 -
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 Vishay to Opto Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 4-DIP (0.300 ", 7.62mm) K817 DC 1 트랜지스터 4-DIP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.49.8000 4,000 50ma 3µs, 4.7µs 70V 1.25V 60 MA 5000VRMS 200% @ 5mA 400% @ 5mA 6µs, 5µs 300MV
ACPL-M61T-560E Broadcom Limited ACPL-M61T-560E 2.3470
RFQ
 ECAD 1685 0.00000000 Broadcom Limited 자동차, AEC-Q100, R²Coupler ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 6-SOIC (0.173 ", 4.40mm 너비), 5 ℃ ACPL-M61 DC 1 오픈 오픈, Schottky는 클램핑했습니다 4.5V ~ 5.5V 5- 자 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1,500 50 MA 10MBD 24ns, 10ns 1.5V 20MA 4000VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
5962-8947702KXA Broadcom Limited 5962-8947702KXA 782.7320
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 ECAD 6381 0.00000000 Broadcom Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 8-smd,, 날개 5962-8947702 AC, DC 1 달링턴 8-DIP 날개 갈매기 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 1 40ma 10µs, 0.5µs 20V - 1500VDC - - 4µs, 8µs -
CNW136S onsemi CNW136S -
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 온세미 - 가방 쓸모없는 - 표면 표면 8-smd,, 날개 CNW13 DC 1 베이스가있는 베이스가있는 8-smd 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.49.8000 40 10MA - 20V - 100 MA 5000VRMS 19% @ 16ma - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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