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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IXDF604SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDF604SIA 2.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDF604 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CLA359 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 4a, 4a 9ns, 8ns
LM5114AMF/S7003109 Texas Instruments LM5114AMF/S7003109 0.8820
RFQ
 ECAD 5249 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 LM5114 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 12.6V SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET - 1.3a, 7.6a 82ns, 12.5ns
IXJ611S1 IXYS IXJ611S1 -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXJ611 - 확인되지 확인되지 - 8-SOIC - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 470 - - - - - -
MIC4429BMM-TR Microchip Technology MIC4429BMM-TR -
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MIC4429 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 6A, 6A 12ns, 13ns
ISL6613BCRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613BCRZ-T -
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
AUIRS2336STR Infineon Technologies auirs2336str -
RFQ
 ECAD 1947 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) AUIRS2336 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 200ma, 350ma 125ns, 50ns 600 v
ISL6614AIRZ Renesas Electronics America Inc ISL6614Airz -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
HIP6601BECBZ Renesas Electronics America Inc HIP6601BECBZ -
RFQ
 ECAD 4100 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 HIP6601 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
MIC4103YM-TR Microchip Technology MIC4103YM-TR 2.2350
RFQ
 ECAD 5020 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4103 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3V, 8V 2A, 3A 10ns, 6ns 118 v
FAN7361M onsemi fan7361m -
RFQ
 ECAD 5973 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) fan7361 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 8,100 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 1V, 3.6V 250ma, 500ma 70ns, 30ns 600 v
NCP81071BMNTXG onsemi NCP81071BMNTXG 1.6800
RFQ
 ECAD 3523 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 NCP81071 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V 8-wdfn (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.2V, 1.8V 5a, 5a 8ns, 8ns
LM5114BSD/NOPB Texas Instruments LM5114BSD/NOPB 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 LM5114 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 12.6V 6- 웨슨 (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.3a, 7.6a 82ns, 12.5ns
IR2104PBF Infineon Technologies IR2104PBF 6.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2104 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 210ma, 360ma 100ns, 50ns 600 v
LM5106SD/NOPB Texas Instruments LM5106SD/NOPB 1.9500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 LM5106 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 14V 10) (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.2A, 1.8A 15ns, 10ns 118 v
ISL83204AIPZ-REN Renesas Electronics America Inc ISL83204AIPZ-REN 4.1100
RFQ
 ECAD 5044 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 ISL83204 확인되지 확인되지 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1
MIC4421AZM Microchip Technology MIC4421AZM 1.7600
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4421 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 576-3510-5 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 3V 9a, 9a 20ns, 24ns
IRS2304PBF International Rectifier IRS2304PBF -
RFQ
 ECAD 9019 0.00000000 국제 국제 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) 비 비 10V ~ 20V 8-DIP - rohs 비준수 공급 공급 정의되지 업체는 2156-IRS2304PBF-600047 1 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.7V, 2.3V 290ma, 600ma 70ns, 35ns 600 v
ADP3654ARHZ-R7 Analog Devices Inc. ADP3654ARHZ-R7 1.2603
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 ADP3654 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4a, 4a 10ns, 10ns
IR21064SPBF International Rectifier IR21064SPBF -
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21064 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
PMC41420AUMA1 Infineon Technologies PMC41420AUMA1 1.7050
RFQ
 ECAD 1204 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 448-PMC41420AUMA1TR 5,000
IRS21851STRPBF Infineon Technologies IRS21851strpbf -
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IRS21851 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 15ns, 15ns 600 v
IX4428NTR IXYS Integrated Circuits Division ix4428ntr 1.2400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IX4428 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 10ns, 8ns
IR2181STRPBF Infineon Technologies IR2181strpbf 4.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2181 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 1.9a, 2.3a 40ns, 20ns 600 v
ISL6613BEIBZ Renesas Electronics America Inc ISL6613BEIBZ -
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
TC4426AEUA Microchip Technology TC4426AEUA 2.4500
RFQ
 ECAD 1385 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) TC4426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4426AEUA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 25ns, 25ns
MIC4422BN Microchip Technology MIC4422BN -
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) MIC4422 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.4V 9a, 9a 20ns, 24ns
IR2112-2PBF Infineon Technologies IR2112-2PBF -
RFQ
 ECAD 7208 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 16-DIP (0.300 ", 7.62mm), 14 개의 리드 IR2112 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 16-PDIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR2112-2pbf 귀 99 8542.39.0001 25 독립적인 높은 높은 또는 쪽 쪽 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
LTC4440ES6-5#TRPBF Analog Devices Inc. LTC4440ES6-5#TRPBF 6.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 LTC4440 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.3V, 1.6V 2.4a, 2.4a 10ns, 7ns 80 v
ADP3630ARMZ-R7 Analog Devices Inc. ADP3630ARMZ-R7 3.0300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) ADP3630 비 비 확인되지 확인되지 9.5V ~ 18V 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 2A, 2A 10ns, 10ns
AUIRS21811STR Infineon Technologies auirs21811str 2.8900
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRS2181 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.5V 1.9a, 2.3a 60ns, 35ns (최대) 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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