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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩)
IR2109S Infineon Technologies IR2109S -
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2109 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR2109S 귀 99 8542.39.0001 95 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
IR4426S Infineon Technologies IR4426S -
RFQ
 ECAD 9973 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR4426 반전 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR4426S 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 2.3a, 3.3a 15ns, 10ns
MIC4468BWM TR Microchip Technology MIC4468BWM TR -
RFQ
 ECAD 8610 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4468 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 4 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.2A, 1.2A 14ns, 13ns
ISL6612BECBZ Intersil ISL6612BECBZ 2.5700
RFQ
 ECAD 870 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
UCC27211DPRR Texas Instruments UCC27211DPRR 0.9945
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 10-wdfn n 패드 UCC27211 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 17V 10) (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.3V, 2.7V 4a, 4a 7.2ns, 5.5ns 120 v
LTC1177CSW-12 Analog Devices Inc. LTC1177CSW-12 -
RFQ
 ECAD 9306 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 대부분 쓸모없는 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) LTC1177C 비 비 확인되지 확인되지 11.4V ~ 12.6V 28 -Soic 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 27 하이 하이 1
IR21094SPBF Infineon Technologies IR21094SPBF 3.3700
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21094 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 55 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
TC1410EOA Microchip Technology TC1410EOA 2.1600
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC1410 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC1410EOA-NDR 귀 99 8542.39.0001 100 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 500ma 25ns, 25ns
UCC27524ADR Texas Instruments UCC27524ADR 1.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27524 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 1V, 2.3V 5a, 5a 7ns, 6ns
UCC27425DRG4 Texas Instruments UCC27425DRG4 -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
FAN3229CMPX onsemi fan3229cmpx -
RFQ
 ECAD 2064 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-wdfn n 패드 FAN3229 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-mlp (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 3A, 3A 12ns, 9ns
IXC611P1 IXYS IXC611P1 -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXC611 - 확인되지 확인되지 - 8-DIP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 450 - - - - - -
ISL6614AIB-T Renesas Electronics America Inc ISL6614AIB-T -
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
MAX5062CASA Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX5062CASA -
RFQ
 ECAD 6278 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 max5062 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 12.6V 8-SOIC-EP - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2A, 2A 65ns, 65ns 125 v
UCC27523DR Texas Instruments UCC27523DR 1.6700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27523 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 1V, 2.3V 5a, 5a 7ns, 6ns
ISL6612IRZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6612IRZ-TR5238 -
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
TC4423MJA Microchip Technology TC4423MJA 42.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-CDIP (0.300 ", 7.62mm) TC4423 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-cerdip 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4423MJA-NDR 귀 99 8542.39.0001 56 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 23ns, 25ns
NCV57080CDR2G onsemi NCV57080CDR2G 2.8100
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NCV57080 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-NCV57080CDR2GTR 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하프 하프 1 IGBT 6V, 14V 8a, 8a 13ns, 13ns
TC1410EPA Microchip Technology TC1410EPA 1.9400
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) TC1410 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC1410EPA-NDR 귀 99 8542.39.0001 60 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2V 500ma, 500ma 25ns, 25ns
TC4425COE713 Microchip Technology TC4425CoE713 2.5900
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) TC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4425COE713-NDR 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 23ns, 25ns
2EDS7165HXUMA1 Infineon Technologies 2EDS7165HXUMA1 4.3900
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) 2EDS7165 비 비 확인되지 확인되지 20V PG-DSO-16-30 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 n-채널, p 채널 MOSFET -, 1.65V 1A, 2A 6.5ns, 4.5ns
UCC27423MDREP Texas Instruments UCC27423MDREP 12.0700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27423 반전 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G, L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 표면 표면 6-XFBGA, WLCSP TCK424 비 비 확인되지 확인되지 2.7V ~ 28V 6-WCSPG (0.8x1.2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 264-TCK424GL3FCT 귀 99 8542.39.0001 5,000 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 0.4V, 1.2V - -
ISL6614CR-T Renesas Electronics America Inc ISL6614CR-T -
RFQ
 ECAD 3842 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
ZL1505ALNNT1 Renesas Electronics America Inc ZL1505ALNNT1 -
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ZL1505 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 7.5V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.7V, 3.4V 3.2A, 3.2A 5.3ns, 4.8ns 30 v
ISL6613BEIBZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6613BEIBZ-T -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL6613 비 비 확인되지 확인되지 7V ~ 13.2V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
SI9912DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9912DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1095 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI9912 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1a, 1a 30ns, 20ns 30 v
ISL6700IRZ-T Renesas Electronics America Inc ISL6700IRZ-T -
RFQ
 ECAD 2608 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 12-vqfn q 패드 ISL6700 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 15V 12-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1.4a, 1.3a 5ns, 5ns 80 v
ISL6614ACR Renesas Electronics America Inc ISL6614ACR -
RFQ
 ECAD 2654 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-vqfn q 패드 ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 16-QFN (4x4) 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
ISL89167FBEAZ Renesas Electronics America Inc ISL89167FBEAZ -
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89167 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ISL89167FBEAZ 귀 99 8542.39.0001 98 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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