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게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) sic 프로그램 가능
IR4427S Infineon Technologies IR4427S -
RFQ
 ECAD 2741 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR4427 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR4427S 귀 99 8542.39.0001 95 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 2.3a, 3.3a 15ns, 10ns
LM5100AM/NOPB National Semiconductor LM5100AM/NOPB 2.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM5100 비 비 9V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 귀 99 8542.39.0001 148 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 2.3v, - 3A, 3A 430ns, 260ns 118 v 확인되지 확인되지
NCP81161MNTBG onsemi NCP81161MNTBG 0.4400
RFQ
 ECAD 6554 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vfdfn 노출 패드 NCP81161 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 13.2V 8-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1V, 2V - 16ns, 11ns 35 v
ISL89164FRTAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89164FRTAZ-T 2.9559
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 ISL89164 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-TDFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
NCP81253BMNTBG onsemi NCP81253BMNTBG 0.9100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TA) 표면 표면 8-vfdfn 노출 패드 NCP81253 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 8-DFN (2x2) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.7V, 3.4V - 16ns, 11ns 35 v
IR2118STR Infineon Technologies ir2118str -
RFQ
 ECAD 2640 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2118 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
IXDE514PI IXYS IXDE514PI -
RFQ
 ECAD 8696 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDE514 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 30V 8-DIP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 1V, 2.5V 14a, 14a 25ns, 22ns
MIC4425CWM Microchip Technology MIC4425CWM -
RFQ
 ECAD 2984 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) MIC4425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 16- 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 47 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 3A, 3A 28ns, 32ns
UCC27424DGNG4 Texas Instruments UCC27424DGNG4 -
RFQ
 ECAD 1145 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC27424 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 80 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
UCC27425P Texas Instruments UCC27425P 1.6000
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) UCC27425 반전, 반전 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
IR2135STR Infineon Technologies IR2135STR -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 125 ° C (TJ) 표면 표면 28-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IR2135 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 28 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 250ma, 500ma 90ns, 40ns 600 v
ISL6614IBZR5238 Renesas Electronics America Inc ISL6614IBZR5238 -
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
ISL6615ACRZ Renesas Electronics America Inc ISL6615ACRZ -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6615 비 비 확인되지 확인되지 6.8V ~ 13.2V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2.5a, 4a 13ns, 10ns 36 v
TC4426EOA713 Microchip Technology TC4426EOA713 1.7800
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 19ns, 19ns
AUIRS2118S Infineon Technologies AUIRS2118S -
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q100 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) AUIRS2118 반전 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001511658 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 290ma, 600ma 75ns, 25ns 600 v
ISL89401ABZ-TK Renesas Electronics America Inc ISL89401ABZ-TK -
RFQ
 ECAD 2016 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL89401 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.4V, 2.2V 1.25A, 1.25A 16ns, 16ns 100 v
TPS2833D Texas Instruments TPS2833D 2.3673
RFQ
 ECAD 3829 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TPS2833 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 2.7a, 2.4a 50ns, 50ns 28 v
2EDN8523RXUMA1 Infineon Technologies 2EDN8523RXUMA1 -
RFQ
 ECAD 4343 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 2EDN8523 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V PG-TSSOP-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.2V, 1.9V 5a, 5a 5.3ns, 4.5ns
LT1166CS8#TRPBF Analog Devices Inc. lt1166cs8#trpbf 4.9050
RFQ
 ECAD 8143 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LT1166 비 비 확인되지 확인되지 - 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하이 하이 2 N- 채널 MOSFET - - -
IXDD408PI IXYS IXDD408PI -
RFQ
 ECAD 7226 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IXDD408 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 25V 8-DIP 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3.5V 8a, 8a 14ns, 15ns
MIC4606-2YTS-T5 Microchip Technology MIC4606-2YTS-T5 -
RFQ
 ECAD 1101 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 16-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MIC4606 비 비 확인되지 확인되지 5.25V ~ 16V 16-TSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 동기 풀 풀 4 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 20ns, 20ns 108 v
MCP14E4T-E/SN Microchip Technology MCP14E4T-E/SN 2.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MCP14E4 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 4a, 4a 15ns, 18ns
LM5109ASDX/NOPB Texas Instruments LM5109ASDX/NOPB 0.7590
RFQ
 ECAD 2454 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 LM5109 비 비 확인되지 확인되지 8V ~ 14V 8-wson (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 4,500 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2.2V 1a, 1a 15ns, 15ns 108 v
MIC4421AZM-TR Microchip Technology MIC4421AZM-TR 1.7600
RFQ
 ECAD 7458 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MIC4421 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 N- 채널 MOSFET 0.8V, 3V 9a, 9a 20ns, 24ns
IR21271S Infineon Technologies IR21271S -
RFQ
 ECAD 3950 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21271 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IR21271S 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
2EDN7523RXUMA1 Infineon Technologies 2EDN7523RXUMA1 1.6400
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 인피온 인피온 EICEDRIVER ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 2EDN7523 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 20V PG-TSSOP-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 5,000 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET - 5a, 5a 5.3ns, 4.5ns
1SD536F2C-XXXX (2)(4)(5) Power Integrations 1SD536F2C-XXXX (2) (4) (5) 382.4300
RFQ
 ECAD 1035 0.00000000 전력 전력 - 대부분 활동적인 - 596-1SD536F2C-XXXX (2) (4) (5) 4
UCD7232RTJR Texas Instruments UCD7232RTJR 0.7920
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 20-wfqfn q 패드 UCD7232 비 비 확인되지 확인되지 4.7V ~ 15V 20-QFN (4x4) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.8V, 2V 4a, 4a 27ns, 21ns
MAX4426ESA+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated MAX4426ESA+ 6.1500
RFQ
 ECAD 6343 0.00000000 아날로그 아날로그 아날로그 inc./maxim 통합 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MAX4426 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -4941-max4426esa+ 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 20ns, 20ns
IRS21956STRPBF Infineon Technologies IRS21956STPBF -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-SOIC (0.295 ", 7.50mm 너비) IRS21956 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 20- 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 SP001546510 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3.5V 500ma, 500ma 25ns, 15ns 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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