SIC
close

게이트 게이트 (7161)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 sic 프로그램 가능 전압 - 공급 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 채널 채널 구동 구동 드라이버 드라이버 게이트 게이트 논리 논리 - vil, vih 현재- 출력 피크 피크 (소스, 싱크) 상승 / 시간 낙하 (타이핑) 높은 높은 전압 - 최대 (부트 스트랩 스트랩) sic 프로그램 가능
IXA531S10 IXYS IXA531S10 -
RFQ
 ECAD 5297 0.00000000 ixys - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 48-tfqfn 노출 패드 IXA531 반전 확인되지 확인되지 8V ~ 35V 48-MLP (7x7) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500 3 상 하프 하프 6 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 600ma, 600ma 125ns, 50ns 650 v
IR4426SPPBF International Rectifier IR4426SPPBF 0.9500
RFQ
 ECAD 665 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR4426 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 적용 적용 수 할 2 (1 년) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.7V 2.3a, 3.3a 15ns, 10ns
IR21084STR Infineon Technologies IR21084STR -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR21084 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 14 -Soic 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.9V 200ma, 350ma 150ns, 50ns 600 v
ISL89160FBEAZ-T Renesas Electronics America Inc ISL89160FBEAZ-T -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 ISL89160 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 16V 8-SOIC-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 N- 채널 MOSFET 1.22V, 2.08V 6A, 6A 20ns, 20ns
UCC37322D Texas Instruments UCC37322D 1.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 텍사스 텍사스 - 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC37322 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 75 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 1.1V, 2.7V 9a, 9a 20ns, 20ns
FAN7083MXSN00037 onsemi FAN7083MXSN00037 -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 fan7083 확인되지 확인되지 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 488-FAN7083MXSN00037TR 쓸모없는 2,500
IR2104STR Infineon Technologies IR2104STR -
RFQ
 ECAD 3947 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2104 비 비 확인되지 확인되지 10V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001533192 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 210ma, 360ma 100ns, 50ns 600 v
HIP6601ACB-T Intersil HIP6601ACB-T 1.0400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 인터 인터 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HIP6601 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 730ma 20ns, 20ns
2SP0115T2C0-12 Power Integrations 2SP0115T2C0-12 105.0000
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 기준 기준 2SP0115 - 확인되지 확인되지 14.5V ~ 15.5V 기준 기준 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 1810-1044 귀 99 8473.30.1180 12 독립적인 하프 하프 2 IGBT - 8a, 15a 5ns, 10ns 1200 v
DRV8304HRHAR Texas Instruments DRV8304HRHAR 2.7300
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 40-vfqfn 노출 패드 DRV8304 비 비 확인되지 확인되지 6V ~ 38V 40-VQFN (6x6) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 3 상 높은 높은 또는 쪽 쪽 3 N- 채널 MOSFET 0.8V, 1.5V 150ma, 300ma 300ns, 150ns
IR2125PBF Infineon Technologies IR2125PBF 4.8600
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2125 비 비 확인되지 확인되지 0V ~ 18V 8-PDIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 하나의 하이 하이 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 2.2V 1.6a, 3.3a 43ns, 26ns 500 v
2SB315A-FF800R17KP4_B2 Power Integrations 2SB315A-FF800R17KP4_B2 -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 전력 전력 스케일 ™ -1 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 기준 기준 2SB315 - 확인되지 확인되지 0V ~ 16V 기준 기준 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8473.30.1180 2 하나의 하프 하프 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET - - -
LM2726MX/NOPB-NS National Semiconductor LM2726MX/NOPB-NS -
RFQ
 ECAD 4748 0.00000000 국가 국가 - 대부분 활동적인 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LM2726 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 7V 8-SOIC - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 0.25V, 2.4V 3.2A, 3.2A 17ns, 12ns 42 v
IXDD404SIA IXYS IXDD404SIA -
RFQ
 ECAD 6201 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDD404 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 94 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.5V 4a, 4a 16ns, 13ns
UCC27424DRG4 Texas Instruments UCC27424DRG4 -
RFQ
 ECAD 7217 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) UCC27424 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 1V, 2V 4a, 4a 20ns, 15ns
LTC1623CS8#TRPBF Analog Devices Inc. LTC1623CS8#TRPBF 3.0600
RFQ
 ECAD 2833 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LTC1623 비 비 확인되지 확인되지 2.7V ~ 5.5V 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하이 하이 2 N- 채널 MOSFET 0.6V, 1.4V - -
IR2110PBF Infineon Technologies IR2110pbf 3.3000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 14-DIP (0.300 ", 7.62mm) IR2110 비 비 확인되지 확인되지 3.3V ~ 20V 14-DIP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 25 독립적인 하프 하프 2 IGBT, N-, MOSFET 6V, 9.5V 2A, 2A 25ns, 17ns 500 v
ISL6612CRZR5238 Intersil ISL6612CRZR5238 1.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 ISL6612 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 10-DFN (3x3) 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8542.39.0001 100 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
TC4404EOA713 Microchip Technology TC4404EOA713 2.9300
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) TC4404 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 TC4404EOA713-NDR 귀 99 8542.39.0001 3,300 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 1.5A, 1.5A 40ns, 40ns (최대)
IR2127SPBF Infineon Technologies IR2127SPBF 3.0800
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IR2127 비 비 확인되지 확인되지 12V ~ 20V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 95 하나의 높은 높은 또는 쪽 쪽 1 IGBT, N-, MOSFET 0.8V, 3V 250ma, 500ma 80ns, 40ns 600 v
LTC7000HMSE#PBF Analog Devices Inc. LTC7000HMSE#PBF 9.9900
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 아날로그 아날로그 Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-TFSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) 노출 패드 LTC7000 비 비 확인되지 확인되지 3.5V ~ 135V 16-MSOP-EP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 37 하나의 하이 하이 1 N- 채널 MOSFET 1.8V, 1.7V - 90ns, 40ns 135 v
ISL6614ACBZA-T Renesas Electronics America Inc ISL6614ACBZA-T -
RFQ
 ECAD 2032 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ISL6614 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 동기 하프 하프 4 N- 채널 MOSFET - 1.25A, 2A 26ns, 18ns 36 v
EL7212CSZ-T7 Renesas Electronics America Inc EL7212CSZ-T7 3.8200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) EL7212 반전 확인되지 확인되지 4.5V ~ 15V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 독립적인 낮은 낮은 2 n-채널, p 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 2A, 2A 7.5ns, 10ns
HIP6601BECB Intersil HIP6601BECB 0.8800
RFQ
 ECAD 928 0.00000000 인터 인터 - 튜브 쓸모없는 0 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 8-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 노출 패드 HIP6601 비 비 확인되지 확인되지 10.8V ~ 13.2v 8-SOIC-EP 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8542.39.0001 98 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET - - 20ns, 20ns 15 v
UC2709DW Unitrode UC2709DW 6.3300
RFQ
 ECAD 655 0.00000000 유니트로 유니트로 * 대부분 활동적인 UC2709 다운로드 귀 99 8542.39.0001 48 확인되지 확인되지
HIP2106AIRZ Renesas Electronics America Inc HIP2106Airz 0.4676
RFQ
 ECAD 2470 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 10-vfdfn 노출 패드 HIP2106 - 확인되지 확인되지 4.5V ~ 5.5V 10-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 동기 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 1.3V, 1.9V -, 4a -
TC4422AVMF713 Microchip Technology TC4422AVMF713 2.3100
RFQ
 ECAD 6229 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-vdfn d 패드 TC4422 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 18V 8-DFN-S (6x5) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,300 하나의 낮은 낮은 1 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 2.4V 10A, 10A 38ns, 33ns
IXDN602SIA IXYS Integrated Circuits Division IXDN602SIA 1.6600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) IXDN602 비 비 확인되지 확인되지 4.5V ~ 35V 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 CLA340 귀 99 8542.39.0001 100 독립적인 낮은 낮은 2 IGBT, N-,, P 채널 MOSFET 0.8V, 3V 2A, 2A 7.5ns, 6.5ns
UCC27322DGNR Texas Instruments UCC27322DGNR 1.4500
RFQ
 ECAD 9065 0.00000000 텍사스 텍사스 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C (TA) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm) 노출 패드 UCC27322 비 비 확인되지 확인되지 4V ~ 15V 8-HVSSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,500 하나의 낮은 낮은 1 n-채널, p 채널 MOSFET 1.1V, 2.7V 9a, 9a 20ns, 20ns
ISL2100AAR3Z-T Renesas Electronics America Inc ISL2100AAR3Z-T 2.4716
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 9-vfdfn 노출 패드 ISL2100 비 비 확인되지 확인되지 9V ~ 14V 9-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 독립적인 하프 하프 2 N- 채널 MOSFET 3.7V, 7.4V 2A, 2A 10ns, 10ns 114 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다