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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JAN2N6298 | 29.8984 |  | 6443 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/540 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-213AA, TO-66-2 | 2N6298 | 64 w | TO-66 (TO-213AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 8 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 2V @ 80MA, 8A | 750 @ 4a, 3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | KSC5042FTU | - | | 2278 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | KSC5042 | 6 w | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 900 v | 100 MA | 10µA (ICBO) | NPN | 5V @ 4MA, 20mA | 30 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BC857SH6327XTSA1 | 0.3900 | | 70 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BC857 | 250MW | PG-SOT363-PO | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (() | 650MV @ 5MA, 100MA | 200 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF904AR, 215 | - | | 4053 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 7 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF904 | 200MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | 10 MA | - | - | 1db | 4 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| IPA65R380C6XKSA1 | 1.6245 | | 7989 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IPA65R380 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | n 채널 | 650 v | 10.6A (TC) | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 710 pf @ 100 v | - | 31W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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| IPT014N10N5ATMA1 | 6.6700 | | 5431 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | 8-Powersfn | MOSFET (금속 (() | PG-HSOF-8-1 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | - | 100 v | 362A | 10V | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| JANS2N2369AUA | 76.1504 | | 2797 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/317 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | 2N2369A | 360 MW | UA | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 400NA | NPN | 450mv @ 10ma, 100ma | 40 @ 10ma, 1v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TK5P60W5, RVQ | 1.3300 | | 1789 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 600 v | 4.5A (TA) | 10V | 990mohm @ 2.3a, 10V | 4.5V @ 230µA | 11.5 nc @ 10 v | ± 30V | 370 pf @ 300 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | TIP47-BP | - | | 6365 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 47 | 2 w | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 250 v | 1 a | 1MA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300ma, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123EKAT146 | 0.3100 | | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DTA123 | 200 MW | smt3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 20 @ 20ma, 5V | 250MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF76132S3st | 0.9800 | | 9 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Ultrafet ™ | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 52 NC @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP68-25/ZLF | - | | 3020 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.35 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934070726135 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 200ma, 2a | 160 @ 500ma, 1V | 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TIP41-S | - | | 8241 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 41 | 2 w | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 40 v | 6 a | 700µA | NPN | 1.5V @ 600MA, 6A | 15 @ 3a, 4v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857cm, 315 | 0.2100 | | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | BC857 | 150 MW | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 100ma | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n6058 | 69.2300 | | 643 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/502 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N6058 | 150 W. | TO-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 12 a | 1MA | npn-달링턴 | 3V @ 120ma, 12a | 1000 @ 6A, 3V | - |
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