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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BUK6218-40C NXP USA Inc. BUK6218-40C -
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.8V @ 1MA 22 nc @ 10 v 1170 pf @ 25 v 60W (TC)
CLF1G0035S-200P Ampleon USA Inc. CLF1G0035S-200p -
RFQ
ECAD 1768 0.00000000 Ampleon USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 공급 공급 정의되지 업체는 영향을받지 영향을받지 2156-CLF1G0035S-200P-1603 1
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated DMP1011LFV-13 0.2761
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP1011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 19A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 12a, 4.5v 1.2V @ 250µA 9.5 nc @ 6 v -6V 913 pf @ 6 v - 2.16W
HGTH12N40E1D Harris Corporation hgth12n40e1d -
RFQ
ECAD 5438 0.00000000 해리스 해리스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC 기준 75 w TO-218 분리 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 109 - 100 ns - 400 v 12 a 17.5 a 3.2V @ 20V, 17.5A - 19 NC -
STU95N4F3 STMicroelectronics STU95N4F3 -
RFQ
ECAD 3599 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA STU95 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 40 v 80A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 10 v ± 20V 2200 pf @ 25 v - 110W (TC)
RM7N600LD Rectron USA RM7N600LD 0.5800
RFQ
ECAD 4789 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N600LD 8541.10.0080 4,000 n 채널 600 v 7A (TC) 10V 580mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 587 pf @ 50 v - 63W (TC)
PHB45NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB45NQ10T, 118 -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHB45 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
STP46NF30 STMicroelectronics STP46NF30 3.7100
RFQ
ECAD 5655 0.00000000 stmicroelectronics Stripfet ™ II 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP46 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13442 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 300 v 42A (TC) 10V 75mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 90 NC @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 25 v - 300W (TC)
IRFR9310 Vishay Siliconix IRFR9310 -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR9310 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR9310 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 400 v 1.8A (TC) 10V 7ohm @ 1.1a, 10V 4V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 20V 270 pf @ 25 v - 50W (TC)
TSM60NB150CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB150CF 5.7259
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 TSM60 MOSFET (금속 (() ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM60NB150CF 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 600 v 24A (TC) 10V 150mohm @ 4.3a, 10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 v ± 30V 1765 pf @ 100 v - 62.5W (TC)
IRF7404TRPBF International Rectifier IRF7404TRPBF 0.4000
RFQ
ECAD 9942 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 104 p 채널 20 v 6.7A (TA) 2.7V, 4.5V 40mohm @ 3.2a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 50 nc @ 4.5 v ± 12V 1500 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
IRFR4104TR Infineon Technologies irfr4104tr -
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 5.5mohm @ 42a, 10V 4V @ 250µA 89 NC @ 10 v ± 20V 2950 pf @ 25 v - 140W (TC)
FQAF90N08 Fairchild Semiconductor FQAF90N08 2.3700
RFQ
ECAD 340 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 80 v 56A (TC) 10V 16mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 25V 3250 pf @ 25 v - 100W (TC)
SIGC14T60NCX1SA6 Infineon Technologies SIGC14T60NCX1SA6 -
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 SIGC14 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1 300V, 15a, 18ohm, 15V NPT 600 v 15 a 45 a 2.5V @ 15V, 15a - 21ns/110ns
SUD50N04-16P-E3 Vishay Siliconix SUD50N04-16P-E3 -
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SUD50 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 9.8A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 15a, 10V 2.2V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 16V 1655 pf @ 20 v - 3.1W (TA), 35.7W (TC)
TIG058E8-TL-H onsemi TIG058E8-TL-H 0.8200
RFQ
ECAD 449 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 TIG058 기준 8- 초 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - - 400 v 150 a 5.6V @ 4V, 100A - -
VS-GT75LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LP120N -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak GT75 543 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 - 1200 v 150 a 2.35V @ 15V, 75A 5 MA 아니요 5.52 NF @ 25 v
PH0930DLSX Nexperia USA Inc. ph0930dlsx -
RFQ
ECAD 4498 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PH0930DLSX 쓸모없는 1
JANSP2N3439L Microchip Technology JANSP2N3439L 270.2400
RFQ
ECAD 7163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/368 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 800MW TO-5AA - 영향을받지 영향을받지 150-JANSP2N3439L 1 350 v 1 a 2µA NPN 500mv @ 4ma, 50ma 40 @ 20MA, 10V -
FF800R12KE7HPSA1 Infineon Technologies FF800R12KE7HPSA1 357.5600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 인피온 인피온 TrenchStop ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 Ag-62mm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 800 a 1.75V @ 15V, 800A 100 µa 아니요 122 NF @ 25 v
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793, NSEIKIF (J. -
RFQ
ECAD 8903 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 2SC4793 2 w TO-220NIS 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µA (ICBO) NPN 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 100ma, 5V 100MHz
GWM120-0075X1-SLSAM IXYS GWM120-0075X1-SLSAM -
RFQ
ECAD 9884 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 17-SMD,, 리드 GWM120 MOSFET (금속 (() - Isoplus-Dil ™ 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 75V 110A 4.9mohm @ 60a, 10V 4V @ 1MA 115NC @ 10V - -
IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA045N10N3GXKSA1 2.8100
RFQ
ECAD 419 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA045 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 64A (TC) 6V, 10V 4.5mohm @ 64a, 10V 3.5V @ 150µA 117 NC @ 10 v ± 20V 8410 pf @ 50 v - 39W (TC)
IRFR2905ZTRPBF Infineon Technologies irfr2905ztrpbf 1.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IRFR2905 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 55 v 42A (TC) 10V 14.5mohm @ 36a, 10V 4V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 20V 1380 pf @ 25 v - 110W (TC)
APTGF50H60T3G Microchip Technology APTGF50H60T3G -
RFQ
ECAD 5377 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 SP3 250 W. 기준 SP3 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 1 전체 전체 인버터 NPT 600 v 65 a 2.45V @ 15V, 50A 250 µA 2.2 NF @ 25 v
IKY50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies IKY50N120CH3XKSA1 13.6700
RFQ
ECAD 3955 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 iky50n120 기준 652 w PG-to247-4 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 600V, 50A, 10ohm, 15V 255 ns - 1200 v 100 a 200a 2.35V @ 15V, 50A 2.3mj (on), 1.9mj (OFF) 235 NC 32ns/296ns
MIXA80W1200TED IXYS Mixa80W1200TED 101.3767
RFQ
ECAD 7638 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 E2 Mixa80 390 W. 기준 E2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6 브레이크가있는 3 인버터 단계 Pt 1200 v 120 a 2.2V @ 15V, 77A 200 µA
YJS7328A Yangjie Technology YJS7328A 0.1760
RFQ
ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS7328AT 귀 99 4,000
NSC1163 Microchip Technology NSC1163 -
RFQ
ECAD 2147 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-NSC1163 1
IRFZ48NSTRRPBF Infineon Technologies irfz48nstrrpbf -
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 55 v 64A (TC) 10V 14mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 81 NC @ 10 v ± 20V 1970 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 130W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고