SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NJVNJD35N04G onsemi njvnjd35n04g -
RFQ
ECAD 2287 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 njvnjd35 45 W. DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 75 350 v 4 a 50µA npn-달링턴 1.5V @ 20MA, 2A 2000 @ 2a, 2v 90MHz
FQN1N50CBU Fairchild Semiconductor fqn1n50cbu -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1,447 n 채널 500 v 380MA (TC) 10V 6ohm @ 190ma, 10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 30V 195 pf @ 25 v - 890MW (TA), 2.08W (TC)
YJJ03G10A Yangjie Technology YJJ03G10A 0.0670
RFQ
ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-yjj03g10atr 귀 99 3,000
SI3443DV Fairchild Semiconductor SI3443DV 0.1700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Hexfet® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (TSOP-6) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,906 p 채널 20 v 4.4A (TA) 2.5V, 4.5V 65mohm @ 4.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 12V 1079 pf @ 10 v - 2W (TA)
SI7905DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 2854 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7905 MOSFET (금속 (() 20.8W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 40V 6A 60mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 30NC @ 10V 880pf @ 20V -
NJVTIP31G onsemi njvtip31g 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 987
APT12057JLL Microsemi Corporation APT12057JLL -
RFQ
ECAD 2549 0.00000000 Microsemi Corporation Power MOS 7® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 APT12057 MOSFET (금속 (() SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 1200 v 19A (TC) 10V 570mohm @ 10a, 10V 5V @ 2.5MA 290 NC @ 10 v ± 30V 6200 pf @ 25 v - 520W (TC)
2N4029 Microchip Technology 2N4029 8.4189
RFQ
ECAD 9046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 2N4029 500MW TO-18 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 100 @ 100ma, 5V -
IRFR91209AR3603 Harris Corporation IRFR91209AR3603 -
RFQ
ECAD 6928 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 IRFR9120 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 499 -
FQD4N20TM Fairchild Semiconductor FQD4N20TM 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1,086 n 채널 200 v 3A (TC) 10V 1.4ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 6.5 NC @ 10 v ± 30V 220 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
IRF820APBF-BE3 Vishay Siliconix IRF820APBF-BE3 1.7300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IRF820 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 1 (무제한) 742-IRF820APBF-BE3 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 2.5A (TC) 3ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 340 pf @ 25 v - 50W (TC)
JANKCDM2N5154 Microchip Technology jankcdm2n5154 -
RFQ
ECAD 6656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/544 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 1 W. TO-39 (TO-205AD) - 영향을받지 영향을받지 150-jankcdm2n5154 100 80 v 2 a 50µA NPN 1.5v @ 500ma, 5a 70 @ 2.5a, 5V -
A2T26H165-24SR3128 NXP USA Inc. A2T26H165-24SR3128 127.1600
RFQ
ECAD 497 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.29.0075 1
SP8M70TB1 Rohm Semiconductor SP8M70TB1 -
RFQ
ECAD 5282 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SP8M7 MOSFET (금속 (() 650MW 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 n 및 p 채널 250V 3A, 2.5A 1.63ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 1MA 5.2NC @ 10V 180pf @ 25V -
FDB86135 onsemi FDB86135 6.7400
RFQ
ECAD 7496 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB861 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 3.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 7295 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 227W (TC)
MMBT7002K-AQ Diotec Semiconductor MMBT7002K-AQ 0.0301
RFQ
ECAD 9514 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2796-MMBT7002K-AQTR 8541.21.0000 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
PSMN2R0-60ES,127 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-60ES, 127 3.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA PSMN2R0 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 120A (TC) 10V 2.2MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 137 NC @ 10 v ± 20V 9997 pf @ 30 v - 338W (TC)
SI6983DQ-T1-E3 Vishay Siliconix SI6983DQ-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) SI6983 MOSFET (금속 (() 830MW 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.6a 24mohm @ 5.4a, 4.5v 1V @ 400µA 30NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
FDS6812A Fairchild Semiconductor FDS6812A 1.0000
RFQ
ECAD 3538 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS68 MOSFET (금속 (() 900MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 1 2 n 채널 (채널) 20V 6.7a 22mohm @ 6.7a, 4.5v 1.5V @ 250µA 19NC @ 4.5V 1082pf @ 10v 논리 논리 게이트
MMBTA13_D87Z onsemi MMBTA13_D87Z -
RFQ
ECAD 2024 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA13 350 MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
SCT4062KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT4062KRHRC15 15.5500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-SCT4062KRHRC15 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 1200 v 26A (TC) 18V 81mohm @ 12a, 18V 4.8V @ 6.45MA 64 NC @ 18 v +21V, -4V 1498 pf @ 800 v - 115W
DMT47M2SFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-13 0.3546
RFQ
ECAD 9283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT47M2SFVWQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 15.4A (TA), 49.1A (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 12.1 NC @ 10 v ± 20V 897 pf @ 20 v - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
BUK9Y12-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y12-40E, 115 0.9300
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 buk9y12 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 52A (TC) 5V 10mohm @ 15a, 10V 2.1v @ 1ma 9.8 nc @ 5 v ± 10V 1423 pf @ 25 v - 65W (TC)
AUIRGPS4067D1 Infineon Technologies AUIRGPS4067D1 -
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AUIRGPS4067 기준 750 w Super-247 ™ (TO-274AA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001512434 귀 99 8541.29.0095 25 400V, 120A, 4.7ohm, 15V 360 ns 도랑 600 v 240 a 360 a 2.05V @ 15V, 120A 8.2mj (on), 2.9mj (OFF) 360 NC 69ns/198ns
ACMSN2312T-HF Comchip Technology ACMSN2312T-HF 0.1435
RFQ
ECAD 9708 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ACMSN2312 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-ACMSN2312T-HFTR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.9A (TA) 31mohm @ 5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 8V 500 pf @ 8 v - 750MW (TA)
IRF634L Vishay Siliconix IRF634L -
RFQ
ECAD 6831 0.00000000 Vishay Siliconix - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA IRF634 MOSFET (금속 (() i2pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) *IRF634L 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 8.1A (TC) 10V 450mohm @ 5.1a, 10V 4V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - -
IRFP250 IXYS IRFP250 -
RFQ
ECAD 5063 0.00000000 ixys - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IRFP25 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 30A (TC) 10V 85mohm @ 18a, 10V 4V @ 250µA 140 NC @ 10 v ± 20V 2970 pf @ 25 v - 190W (TC)
BUK6Y57-60PX Nexperia USA Inc. buk6y57-60px -
RFQ
ECAD 5705 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 MOSFET (금속 (() LFPAK56, POWER-SO8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 p 채널 60 v 23A (TA) 4.5V, 10V 57mohm @ 4.8a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 30 v - 66W (TA)
RN2704,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2704, LF 0.3100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 RN2704 200MW USV 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 200MHz 47kohms 47kohms
RH6P040BHTB1 Rohm Semiconductor RH6P040BHTB1 1.8400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-HSMT (3.2x3) 다운로드 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 846-RH6P040BHTB1CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 6V, 10V 15.6mohm @ 40a, 10V 4V @ 1MA 16.7 NC @ 10 v ± 20V 1080 pf @ 50 v - 59W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고