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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | buk6y57-60px | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | p 채널 | 60 v | 23A (TA) | 4.5V, 10V | 57mohm @ 4.8a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1200 pf @ 30 v | - | 66W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RN2704, LF | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2704 | 200MW | USV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 80 @ 10ma, 5V | 200MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RH6P040BHTB1 | 1.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-HSMT (3.2x3) | 다운로드 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 846-RH6P040BHTB1CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 40A (TC) | 6V, 10V | 15.6mohm @ 40a, 10V | 4V @ 1MA | 16.7 NC @ 10 v | ± 20V | 1080 pf @ 50 v | - | 59W (TC) |
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