SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
STD5NK40ZT4 STMicroelectronics STD5NK40ZT4 0.6123
RFQ
ECAD 9929 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 STD5NK40 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 400 v 3A (TC) 10V 1.8ohm @ 1.5a, 10V 4.5V @ 50µA 17 nc @ 10 v ± 30V 305 pf @ 25 v - 45W (TC)
DMN1032UCP4-7 Diodes Incorporated DMN1032UCP4-7 0.1462
RFQ
ECAD 4164 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA, DSBGA DMN1032 MOSFET (금속 (() x1-dsn1010-4 (유형 b) 다운로드 31-DMN1032UCP4-7 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 12 v 5A (TA) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 1a, 10V 1.2V @ 250µA 3.2 NC @ 4.5 v ± 8V 325 pf @ 6 v - 790MW (TA)
IXKP13N60C5M IXYS IXKP13N60C5M -
RFQ
ECAD 5347 0.00000000 ixys Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IXKP13 MOSFET (금속 (() TO-220ABFP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 6.5A (TC) 10V 300mohm @ 6.6a, 10V 3.5V @ 440µA 30 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 100 v - -
TSM110NB04LCV Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV 0.6661
RFQ
ECAD 6248 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn TSM110 MOSFET (금속 (() 8-PDFN (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-TSM110NB04LCVTR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 40 v 9A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1329 pf @ 20 v - 1.9W (TA), 42W (TC)
IPS70R2K0CEAKMA1 Infineon Technologies IPS70R2K0CEAKMA1 -
RFQ
ECAD 1888 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK IPS70R2 MOSFET (금속 (() PG-to251-3-11 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001471300 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 2ohm @ 1a, 10V 3.5V @ 70µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 163 pf @ 100 v - 42W (TC)
MCH3486-TL-H onsemi MCH3486-TL-H -
RFQ
ECAD 7386 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 MCH34 MOSFET (금속 (() SC-70FL/MCPH3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 2A (TA) 4V, 10V 137mohm @ 1a, 10V - 7 nc @ 10 v ± 20V 310 pf @ 20 v - 1W (TA)
IXTA220N055T IXYS IXTA220N055T -
RFQ
ECAD 3372 0.00000000 ixys Trenchmv ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA220 MOSFET (금속 (() TO-263AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 220A (TC) 10V 4mohm @ 25a, 10V 4V @ 250µA 158 NC @ 10 v ± 20V 7200 pf @ 25 v - 430W (TC)
IRLMS2002GTRPBF Infineon Technologies IRLMS2002GTRPBF -
RFQ
ECAD 6094 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() Micro6 ™ (SOT23-6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 22 nc @ 5 v ± 12V 1310 pf @ 15 v - 2W (TA)
BC807DS,115 Nexperia USA Inc. BC807DS, 115 0.4800
RFQ
ECAD 89 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74, SOT-457 BC807 600MW 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) 2 PNP (() 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 80MHz
IRG7PH35UPBF International Rectifier irg7ph35upbf 2.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 국제 국제 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 210 W. TO-247AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 600V, 20A, 10ohm, 15V 도랑 1200 v 55 a 60 a 2.2V @ 15V, 20A 1.06mj (on), 620µJ (OFF) 130 NC 30ns/160ns
CSD16406Q3 Texas Instruments CSD16406Q3 1.1700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 텍사스 텍사스 Nexfet ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn CSD16406 MOSFET (금속 (() 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 19A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 5.3MOHM @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 8.1 NC @ 4.5 v +16V, -12V 1100 pf @ 12.5 v - 2.7W (TA)
APT24M80S Microchip Technology APT24M80S 11.7000
RFQ
ECAD 4924 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS 8 ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB APT24M80 MOSFET (금속 (() d3pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 800 v 25A (TC) 10V 390mohm @ 12a, 10V 5V @ 1MA 150 nc @ 10 v ± 30V 4595 pf @ 25 v - 625W (TC)
MRF9135LR5 Freescale Semiconductor MRF9135LR5 94.7000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 65 v SOT-957A MRF91 880MHz LDMOS NI-780H-2L - Rohs3 준수 3 (168 시간) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 - 1.1 a 25W 17.8dB - 26 v
DMT10H052LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H052LFDF-7 0.1686
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT10 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT10H052LFDF-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 5A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA 5.4 NC @ 10 v ± 20V 258 pf @ 50 v - 800MW (TA)
R6511END3TL1 Rohm Semiconductor r6511end3tl1 2.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 R6511 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-r6511end3tl1dkr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 650 v 11A (TC) 10V 400mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 320µA 32 NC @ 10 v ± 20V 670 pf @ 25 v - 124W (TC)
MSCSM70AM07T3AG Microchip Technology MSCSM70AM07T3AG 283.3800
RFQ
ECAD 2599 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MSCSM70 실리콘 실리콘 (sic) 988W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-MSCSM70AM07T3AG 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널 다리) 700V 353A (TC) 6.4mohm @ 120a, 20V 2.4V @ 12mA 645NC @ 20V 13500pf @ 700V -
BLF8G22LS-160BVX Ampleon USA Inc. BLF8G22LS-160BVX -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-1244B 2.11GHz ~ 2.17GHz LDMOS CDFM6 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934065901115 쓸모없는 0000.00.0000 1 이중, 소스 일반적인 - 1.3 a 55W 18db - 32 v
MSCSM70XM45CTYZBNMG Microchip Technology MSCSM70XM45CTYZBNMG -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 실리콘 실리콘 (sic) 141W (TC), 292W (TC) - 다운로드 Rohs3 준수 1 6 n 채널 (3 채널 교량) 700V 52A (TC), 110A (TC) 44mohm @ 30a, 20v, 19mohm @ 40a, 20V 2.7v @ 2ma, 2.4v @ 4ma 99NC @ 20V, 215NC @ 20V 2010pf @ 700v, 4500pf @ 700v 실리콘 실리콘 (sic)
MPSA92G onsemi MPSA92G -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA92 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
JAN2N2432AUB Microchip Technology JAN2N2432AUB 217.8806
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 없음 ub - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 30 v 100 MA - NPN - - -
NGTB40N65IHL2WG onsemi ngtb40n65ihl2wg -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NGTB40 기준 300 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 40A, 10ohm, 15V 465 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 160 a 2.2V @ 15V, 40A 360µJ (OFF) 135 NC -/140ns
FZT493ATA Diodes Incorporated FZT493ATA 0.6000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT493 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 250ma, 10V 150MHz
STF26NM60N STMicroelectronics STF26NM60N 7.4000
RFQ
ECAD 9430 0.00000000 stmicroelectronics MDMESH ™ II 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF26 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 50 v - 35W (TC)
PBSS5230T/ZLR Nexperia USA Inc. PBSS5230T/ZLR -
RFQ
ECAD 8781 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 1
JAN2N5684 Microchip Technology JAN2N5684 173.7512
RFQ
ECAD 6458 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/466 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-204AA, TO-3 2N5684 300 w TO-3 (TO-204AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 80 v 50 a 5µA NPN 5V @ 10A, 50A 30 @ 5a, 2v -
NSBC115EPDXV6T1G onsemi NSBC115EPDXV6T1G 0.0698
RFQ
ECAD 7563 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSBC115 357MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 100kohms 100kohms
DXT13003DK-13 Diodes Incorporated DXT13003DK-13 -
RFQ
ECAD 6484 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DXT13003 1.6 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 450 v 1.5 a - NPN 400mv @ 250ma, 1a 16 @ 500ma, 2v 4MHz
KSD471AYTA onsemi KSD471AYTA 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSD471 800MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 120 @ 100MA, 1V 130MHz
MPSA42ZL1G onsemi MPSA42ZL1g -
RFQ
ECAD 5398 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA42 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
CPC3909CTR IXYS Integrated Circuits Division CPC3909CTR 0.4608
RFQ
ECAD 5733 0.00000000 ixys 회로 통합 부서 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C (TA) 표면 표면 TO-243AA CPC3909 MOSFET (금속 (() SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 400 v 300MA (TA) 0V 9ohm @ 300ma, 0v - 15V 고갈 고갈 1.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고