전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD5NK40ZT4 | 0.6123 | ![]() | 9929 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5NK40 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 400 v | 3A (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 305 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN1032UCP4-7 | 0.1462 | ![]() | 4164 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-XFBGA, DSBGA | DMN1032 | MOSFET (금속 (() | x1-dsn1010-4 (유형 b) | 다운로드 | 31-DMN1032UCP4-7 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 12 v | 5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 1a, 10V | 1.2V @ 250µA | 3.2 NC @ 4.5 v | ± 8V | 325 pf @ 6 v | - | 790MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXKP13N60C5M | - | ![]() | 5347 | 0.00000000 | ixys | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | IXKP13 | MOSFET (금속 (() | TO-220ABFP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 6.5A (TC) | 10V | 300mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1100 pf @ 100 v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM110NB04LCV | 0.6661 | ![]() | 6248 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | TSM110 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (3.15x3.1) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM110NB04LCVTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 40 v | 9A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1329 pf @ 20 v | - | 1.9W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPS70R2K0CEAKMA1 | - | ![]() | 1888 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | IPS70R2 | MOSFET (금속 (() | PG-to251-3-11 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001471300 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 4A (TC) | 10V | 2ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 70µA | 7.8 NC @ 10 v | ± 20V | 163 pf @ 100 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH3486-TL-H | - | ![]() | 7386 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | MCH34 | MOSFET (금속 (() | SC-70FL/MCPH3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2A (TA) | 4V, 10V | 137mohm @ 1a, 10V | - | 7 nc @ 10 v | ± 20V | 310 pf @ 20 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
IXTA220N055T | - | ![]() | 3372 | 0.00000000 | ixys | Trenchmv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IXTA220 | MOSFET (금속 (() | TO-263AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 220A (TC) | 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 158 NC @ 10 v | ± 20V | 7200 pf @ 25 v | - | 430W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLMS2002GTRPBF | - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | Micro6 ™ (SOT23-6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.5A (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6.5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 22 nc @ 5 v | ± 12V | 1310 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807DS, 115 | 0.4800 | ![]() | 89 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-74, SOT-457 | BC807 | 600MW | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45V | 500ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (() | 700mv @ 50ma, 500ma | 160 @ 100MA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg7ph35upbf | 2.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | 기준 | 210 W. | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 20A, 10ohm, 15V | 도랑 | 1200 v | 55 a | 60 a | 2.2V @ 15V, 20A | 1.06mj (on), 620µJ (OFF) | 130 NC | 30ns/160ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD16406Q3 | 1.1700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 텍사스 텍사스 | Nexfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | CSD16406 | MOSFET (금속 (() | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 19A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 5.3MOHM @ 20A, 10V | 2.2V @ 250µA | 8.1 NC @ 4.5 v | +16V, -12V | 1100 pf @ 12.5 v | - | 2.7W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT24M80S | 11.7000 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS 8 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | APT24M80 | MOSFET (금속 (() | d3pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 800 v | 25A (TC) | 10V | 390mohm @ 12a, 10V | 5V @ 1MA | 150 nc @ 10 v | ± 30V | 4595 pf @ 25 v | - | 625W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9135LR5 | 94.7000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 프리 프리 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 65 v | SOT-957A | MRF91 | 880MHz | LDMOS | NI-780H-2L | - | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 1.1 a | 25W | 17.8dB | - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT10H052LFDF-7 | 0.1686 | ![]() | 5503 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMT10 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT10H052LFDF-7TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 4a, 10V | 3V @ 250µA | 5.4 NC @ 10 v | ± 20V | 258 pf @ 50 v | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | r6511end3tl1 | 2.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | R6511 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 846-r6511end3tl1dkr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 650 v | 11A (TC) | 10V | 400mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 320µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 670 pf @ 25 v | - | 124W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70AM07T3AG | 283.3800 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | MSCSM70 | 실리콘 실리콘 (sic) | 988W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MSCSM70AM07T3AG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널 다리) | 700V | 353A (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12mA | 645NC @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF8G22LS-160BVX | - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1244B | 2.11GHz ~ 2.17GHz | LDMOS | CDFM6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934065901115 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 이중, 소스 일반적인 | - | 1.3 a | 55W | 18db | - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSCSM70XM45CTYZBNMG | - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 실리콘 실리콘 (sic) | 141W (TC), 292W (TC) | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 | 6 n 채널 (3 채널 교량) | 700V | 52A (TC), 110A (TC) | 44mohm @ 30a, 20v, 19mohm @ 40a, 20V | 2.7v @ 2ma, 2.4v @ 4ma | 99NC @ 20V, 215NC @ 20V | 2010pf @ 700v, 4500pf @ 700v | 실리콘 실리콘 (sic) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA92G | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | MPSA92 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 300 v | 500 MA | 250NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 2ma, 20ma | 25 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N2432AUB | 217.8806 | ![]() | 2021 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | ub | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 v | 100 MA | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ngtb40n65ihl2wg | - | ![]() | 4683 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | NGTB40 | 기준 | 300 w | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 465 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 80 a | 160 a | 2.2V @ 15V, 40A | 360µJ (OFF) | 135 NC | -/140ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
FZT493ATA | 0.6000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | FZT493 | 2 w | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 300 @ 250ma, 10V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF26NM60N | 7.4000 | ![]() | 9430 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ II | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STF26 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 20A (TC) | 10V | 165mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 50 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5230T/ZLR | - | ![]() | 8781 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JAN2N5684 | 173.7512 | ![]() | 6458 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/466 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-204AA, TO-3 | 2N5684 | 300 w | TO-3 (TO-204AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 50 a | 5µA | NPN | 5V @ 10A, 50A | 30 @ 5a, 2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBC115EPDXV6T1G | 0.0698 | ![]() | 7563 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | NSBC115 | 357MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100ma | 500NA | 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | - | 100kohms | 100kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXT13003DK-13 | - | ![]() | 6484 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | DXT13003 | 1.6 w | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 450 v | 1.5 a | - | NPN | 400mv @ 250ma, 1a | 16 @ 500ma, 2v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD471AYTA | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSD471 | 800MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100ma, 1a | 120 @ 100MA, 1V | 130MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA42ZL1g | - | ![]() | 5398 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | MPSA42 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPC3909CTR | 0.4608 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | ixys 회로 통합 부서 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 110 ° C (TA) | 표면 표면 | TO-243AA | CPC3909 | MOSFET (금속 (() | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 400 v | 300MA (TA) | 0V | 9ohm @ 300ma, 0v | - | 15V | 고갈 고갈 | 1.1W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고