SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SQD97N06-6M3L_GE3 Vishay Siliconix SQD97N06-6M3L_GE3 1.6600
RFQ
ECAD 8375 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SQD97 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 97A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 20V 6060 pf @ 25 v - 136W (TC)
2SC6099-E onsemi 2SC6099-E -
RFQ
ECAD 5967 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA 2SC6099 800MW TP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 100 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 165MV @ 100MA, 1A 300 @ 100MA, 5V 300MHz
2SK4101FS-V-H onsemi 2SK4101FS-VH 1.4800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FF600R12KE7BPSA1 Infineon Technologies FF600R12KE7BPSA1 310.8200
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 기준 Ag-62mmhb - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 1.75V @ 15V, 600A 100 µa 아니요 92.3 NF @ 25 v
2SK3221-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3221-AZ 1.8500
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
BCX56,135 Nexperia USA Inc. BCX56,135 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.25 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 180MHz
FGB7N60UNDF onsemi fgb7n60undf -
RFQ
ECAD 9029 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FGB7N60 기준 83 w d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 400V, 7A, 10ohm, 15V 32.3 ns NPT 600 v 14 a 21 a 2.3V @ 15V, 7A 99µJ (on), 104µJ (OFF) 18 NC 5.9ns/32.3ns
FQI8N60CTU onsemi fqi8n60ctu -
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA fqi8n60 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1255 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
RJK0856DPB-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK0856DPB-00#J5 1.4915
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-100, SOT-669 RJK0856 MOSFET (금속 (() LFPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 35A (TA) 10V 8.9mohm @ 17.5a, 10V - 40 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 10 v - 65W (TC)
BF1105R,215 NXP USA Inc. BF1105R, 215 -
RFQ
ECAD 2047 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 7 v 표면 표면 SOT-143R BF110 800MHz MOSFET SOT-143R 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 게이트 게이트 듀얼 30ma - 20dB 1.7dB 5 v
SSM6P15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage ssm6p15fe (te85l, f) 0.4200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SSM6P15 MOSFET (금속 (() 150MW ES6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 100ma 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100µA - 9.1pf @ 3v 논리 논리 게이트
SI4178DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4178DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 6560 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SI4178 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 8.4a, 10V 2.8V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 25V 405 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 5W (TC)
RGT8BM65DTL Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL 2.3300
RFQ
ECAD 1357 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RGT8BM65 기준 62 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 400V, 4A, 50ohm, 15V 40 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 8 a 12 a 2.1V @ 15V, 4A - 13.5 NC 17ns/69ns
FGPF70N30TDTU onsemi fgpf70n30tdtu -
RFQ
ECAD 7458 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF7 기준 49.2 w TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 - 21 ns 도랑 300 v 160 a 1.5V @ 15V, 20A - 125 NC -
C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc. C3M0280090J-TR 6.5900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA C3M0280090 sicfet ((카바이드) TO-263-7 다운로드 rohs 준수 3 (168 시간) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 11A (TC) 15V 360mohm @ 7.5a, 15V 3.5v @ 1.2ma 9.5 nc @ 15 v +18V, -8V 150 pf @ 600 v - 50W (TC)
SI1958DH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3 -
RFQ
ECAD 8468 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SI1958 MOSFET (금속 (() 1.25W SC-70-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 1.3a 205mohm @ 1.3a, 4.5v 1.6V @ 250µA 3.8nc @ 10V 105pf @ 10v 논리 논리 게이트
BSZ0502NSIATMA1 Infineon Technologies BSZ0502NSITMA1 0.6360
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn BSZ0502 MOSFET (금속 (() PG-TSDSON-8-FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 22A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 20V 1600 pf @ 15 v - 2.1W (TA), 43W (TC)
MPS651 Fairchild Semiconductor MPS651 -
RFQ
ECAD 8489 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 2,000 60 v 800 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75MHz
FQPF30N06 Fairchild Semiconductor FQPF30N06 0.5300
RFQ
ECAD 85 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 60 v 21A (TC) 10V 40mohm @ 10.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 945 pf @ 25 v - 39W (TC)
IRF510STRRPBF Vishay Siliconix irf510strrpbf 1.4900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IRF510 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 5.6A (TC) 10V 540mohm @ 3.4a, 10V 4V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 180 pf @ 25 v - 3.7W (TA), 43W (TC)
AUIRFR3504Z Infineon Technologies auirfr3504z -
RFQ
ECAD 3217 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 9MOHM @ 42A, 10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 v ± 20V 1510 pf @ 25 v - 90W (TC)
SI7900AEDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3 0.4998
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 PowerPak® 1212-8 듀얼 SI7900 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerPak® 1212-8 듀얼 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6A 26mohm @ 8.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 16nc @ 4.5v - 논리 논리 게이트
JAN2N3507AU4 Microchip Technology Jan2n3507au4 -
RFQ
ECAD 8022 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/349 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 1 W. U4 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 50 v 1 µA 1µA NPN 1.5V @ 250MA, 2.5A 35 @ 500ma, 1V -
J2A012ZXT/S1AZ312J NXP USA Inc. J2A012ZXT/S1AZ312J -
RFQ
ECAD 1469 0.00000000 NXP USA Inc. * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 J2A0 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 2,500
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7782 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 SI5513 MOSFET (금속 (() 1.1W 1206-8 Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 3.1a, 2.1a 75mohm @ 3.1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 6NC @ 4.5V - 논리 논리 게이트
MMBT5401-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT5401-AU_R1_000A1 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
NTE32 NTE Electronics, Inc NTE32 2.2400
RFQ
ECAD 2257 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 900 MW TO-92L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 2368-NTE32 귀 99 8541.21.0095 1 160 v 1 a 1µA (ICBO) PNP 1.5V @ 50MA, 500MA 100 @ 200ma, 5V 15MHz
2SC3279-L-AP Micro Commercial Co 2SC3279-L-AP -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2SC3279 750 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 1,000 10 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 2a 140 @ 500ma, 1V 150MHz
BLF7G27LS-75P,118 Ampleon USA Inc. BLF7G27LS-75P, 118 -
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 SOT-1121B BLF7G27 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS 가장 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064558118 귀 99 8541.29.0095 100 이중, 소스 일반적인 18a 650 MA 12W 17dB - 28 v
APT20M38SVRG Microchip Technology APT20M38SVRG 14.3500
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MOS V® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA APT20M38 MOSFET (금속 (() D3 [S] 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 200 v 67A (TC) 10V 38mohm @ 500ma, 10V 4V @ 1MA 225 NC @ 10 v ± 30V 6120 pf @ 25 v - 370W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고