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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SQD97N06-6M3L_GE3 | 1.6600 | ![]() | 8375 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD97 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 97A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 125 nc @ 10 v | ± 20V | 6060 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6099-E | - | ![]() | 5967 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | 2SC6099 | 800MW | TP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 500 | 100 v | 2 a | 1µA (ICBO) | NPN | 165MV @ 100MA, 1A | 300 @ 100MA, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK4101FS-VH | 1.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF600R12KE7BPSA1 | 310.8200 | ![]() | 2224 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 기음 | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FF600R12 | 기준 | Ag-62mmhb | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하프 하프 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1200 v | 600 a | 1.75V @ 15V, 600A | 100 µa | 아니요 | 92.3 NF @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3221-AZ | 1.8500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX56,135 | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX56 | 1.25 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fgb7n60undf | - | ![]() | 9029 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FGB7N60 | 기준 | 83 w | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 7A, 10ohm, 15V | 32.3 ns | NPT | 600 v | 14 a | 21 a | 2.3V @ 15V, 7A | 99µJ (on), 104µJ (OFF) | 18 NC | 5.9ns/32.3ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fqi8n60ctu | - | ![]() | 5031 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | fqi8n60 | MOSFET (금속 (() | I2PAK (TO-262) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 7.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.75a, 10V | 4V @ 250µA | 36 nc @ 10 v | ± 30V | 1255 pf @ 25 v | - | 3.13W (TA), 147W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0856DPB-00#J5 | 1.4915 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | RJK0856 | MOSFET (금속 (() | LFPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 35A (TA) | 10V | 8.9mohm @ 17.5a, 10V | - | 40 nc @ 10 v | ± 20V | 3000 pf @ 10 v | - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1105R, 215 | - | ![]() | 2047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 7 v | 표면 표면 | SOT-143R | BF110 | 800MHz | MOSFET | SOT-143R | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 게이트 게이트 듀얼 | 30ma | - | 20dB | 1.7dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ssm6p15fe (te85l, f) | 0.4200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SSM6P15 | MOSFET (금속 (() | 150MW | ES6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 100ma | 12ohm @ 10ma, 4v | 1.7V @ 100µA | - | 9.1pf @ 3v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4178DY-T1-E3 | - | ![]() | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4178 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.4a, 10V | 2.8V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 25V | 405 pf @ 15 v | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT8BM65DTL | 2.3300 | ![]() | 1357 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RGT8BM65 | 기준 | 62 w | TO-252 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 4A, 50ohm, 15V | 40 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 650 v | 8 a | 12 a | 2.1V @ 15V, 4A | - | 13.5 NC | 17ns/69ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fgpf70n30tdtu | - | ![]() | 7458 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FGPF7 | 기준 | 49.2 w | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | - | 21 ns | 도랑 | 300 v | 160 a | 1.5V @ 15V, 20A | - | 125 NC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0280090J-TR | 6.5900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | C3M0280090 | sicfet ((카바이드) | TO-263-7 | 다운로드 | rohs 준수 | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 900 v | 11A (TC) | 15V | 360mohm @ 7.5a, 15V | 3.5v @ 1.2ma | 9.5 nc @ 15 v | +18V, -8V | 150 pf @ 600 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI1958DH-T1-E3 | - | ![]() | 8468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1958 | MOSFET (금속 (() | 1.25W | SC-70-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 1.3a | 205mohm @ 1.3a, 4.5v | 1.6V @ 250µA | 3.8nc @ 10V | 105pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ0502NSITMA1 | 0.6360 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | BSZ0502 | MOSFET (금속 (() | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 22A (TA), 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 20a, 10V | 2V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 2.1W (TA), 43W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPS651 | - | ![]() | 8489 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 v | 800 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200ma, 2a | 75 @ 1a, 2v | 75MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF30N06 | 0.5300 | ![]() | 85 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 60 v | 21A (TC) | 10V | 40mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 25V | 945 pf @ 25 v | - | 39W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irf510strrpbf | 1.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRF510 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 5.6A (TC) | 10V | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 180 pf @ 25 v | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr3504z | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 9MOHM @ 42A, 10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1510 pf @ 25 v | - | 90W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI7900AEDN-T1-GE3 | 0.4998 | ![]() | 2939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 듀얼 | SI7900 | MOSFET (금속 (() | 1.5W | PowerPak® 1212-8 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 20V | 6A | 26mohm @ 8.5a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 16nc @ 4.5v | - | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2n3507au4 | - | ![]() | 8022 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/349 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 없음 | 1 W. | U4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 1 µA | 1µA | NPN | 1.5V @ 250MA, 2.5A | 35 @ 500ma, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A012ZXT/S1AZ312J | - | ![]() | 1469 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | J2A0 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI5513DC-T1-GE3 | - | ![]() | 7782 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | SI5513 | MOSFET (금속 (() | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 3.1a, 2.1a | 75mohm @ 3.1a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 6NC @ 4.5V | - | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5401-AU_R1_000A1 | 0.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5401 | 225 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 150 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTE32 | 2.2400 | ![]() | 2257 | 0.00000000 | NTE Electronics, Inc | - | 가방 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | 900 MW | TO-92L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2368-NTE32 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 160 v | 1 a | 1µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 50MA, 500MA | 100 @ 200ma, 5V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3279-L-AP | - | ![]() | 5233 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | 2SC3279 | 750 MW | To-92 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 10 v | 2 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 2a | 140 @ 500ma, 1V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF7G27LS-75P, 118 | - | ![]() | 8712 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | SOT-1121B | BLF7G27 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | 가장 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934064558118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 이중, 소스 일반적인 | 18a | 650 MA | 12W | 17dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT20M38SVRG | 14.3500 | ![]() | 9107 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MOS V® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-268-3, d³pak (2 리드 + 탭), TO-268AA | APT20M38 | MOSFET (금속 (() | D3 [S] | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 200 v | 67A (TC) | 10V | 38mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 v | ± 30V | 6120 pf @ 25 v | - | 370W (TC) |
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