전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재- ic (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQD40N06-14L_GE3 | 1.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD40 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2105 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPDD60R050G7XTMA1 | 12.2500 | ![]() | 9331 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ G7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 10-powersop op | IPDD60 | MOSFET (금속 (() | PG-HDSOP-10-1 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,700 | n 채널 | 600 v | 47A (TC) | 10V | 50mohm @ 15.9a, 10V | 4V @ 800µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2670 pf @ 400 v | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMNH6065SSDQ-13 | 0.4410 | ![]() | 9009 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMNH6065 | MOSFET (금속 (() | 1.5W (TA) | 도 8- | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMNH6065SSDQ-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 3.8A (TA) | 65mohm @ 3a, 10V | 3V @ 250µA | 11.3NC @ 10V | 446pf @ 30v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI4354DY-T1-GE3 | - | ![]() | 4483 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | SI4354 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9.5A (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 9.5a, 10V | 1.6V @ 250µA | 10.5 nc @ 4.5 v | ± 12V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMG2G75US120 | 55.8100 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 오후 7시 | FMG2 | 445 w | 기준 | 오후 7시 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | - | 1200 v | 75 a | 3V @ 15V, 75A | 3 MA | 아니요 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH35015F | 94.9500 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | 간 | 쟁반 | 쓸모없는 | 84 v | 표면 표면 | 440196 | CGH35015 | 3.3GHz ~ 3.9GHz | 헴 | 440196 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 MA | 15W | 12db | - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgt50a60t1g | - | ![]() | 6919 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP1 | 176 w | 기준 | SP1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 반 반 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB100N06S205ATMA4 | - | ![]() | 8865 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB100 | MOSFET (금속 (() | PG-to263-3-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 55 v | 100A (TC) | 10V | 4.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 5110 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCP099N60E | 6.3300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 온세미 | Superfet® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FCP099 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 99mohm @ 18.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | 114 NC @ 10 v | ± 20V | 3465 pf @ 380 v | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KSD1616ALBU | 0.0700 | ![]() | 490 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 750 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50ma, 1a | 300 @ 100MA, 2V | 160MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TSM240N03CX6 RFG | 0.8800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | TSM240 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 345 pf @ 25 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fcpf21n60nt | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF21 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK12E80W, S1X | 3.6100 | ![]() | 4687 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TK12E80 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 11.5A (TA) | 10V | 450mohm @ 5.8a, 10V | 4V @ 570µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1400 pf @ 300 v | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G22H400-04SR3 | 122.6564 | ![]() | 8801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | A3G22 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2450UFD-7 | 0.3300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-udfn | DMN2450 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1212-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 900MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 600mohm @ 200ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.7 nc @ 4.5 v | ± 12V | 52 pf @ 16 v | - | 400MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJZ594JCTF | 0.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-623F | 100MW | SOT-623F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 3.5pf @ 5V | 20 v | 150 µa @ 5 v | 600 mV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF1K4909096 | 0.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-RF1K4909096-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIGC156T60NR2CX1SA2 | - | ![]() | 7925 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | SIGC156 | 기준 | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 1 | 300V, 200a, 1.5ohm, 15V | NPT | 600 v | 200a | 600 a | 2.5V @ 15V, 200a | - | 180ns/285ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1520-TB-E | 0.5300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Sanyo | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQD8P10TM-F085 | 1.4100 | ![]() | 1665 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FQD8P10 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 6.6A (TC) | 10V | 530mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 30V | 470 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tk3a65d (sta4, q, m) | 1.6100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | π-mosvii | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK3A65 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 650 v | 3A (TA) | 10V | 2.25ohm @ 1.5a, 10V | 4.4V @ 1mA | 11 NC @ 10 v | ± 30V | 540 pf @ 25 v | - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SS9015ABU | 0.0200 | ![]() | 3817 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 450 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2156-SS9015ABU-FS | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 45 v | 100 MA | 50NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 5ma, 100ma | 60 @ 1ma, 5V | 190mhz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-200p | 1.0000 | ![]() | 1919 | 0.00000000 | 로체스터 로체스터 장치, LLC | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 영향을받지 영향을받지 | 2156-CLF1G0035-200P-2156 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXH350N100H4Q2F2SG | - | ![]() | 2153 | 0.00000000 | 온세미 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | NXH350 | 592 w | 기준 | 42-PIM/Q2pack (93x47) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 488-NXH350N100H4Q2F2SG | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 1000 v | 303 a | 1.8V @ 15V, 375A | 1 MA | 예 | 24.146 NF @ 20 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TK17N65W, S1F | 3.8600 | ![]() | 7047 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | dtmosiv | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | TK17N65 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 17.3A (TA) | 10V | 200mohm @ 8.7a, 10V | 3.5V @ 900µA | 45 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 300 v | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRG7U100HF12B | - | ![]() | 5276 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Powir® 62 2 | irg7U | 580 W. | 기준 | Powir® 62 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | - | 1200 v | 200a | 2V @ 15V, 100A | 1 MA | 아니요 | 12.5 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF710 | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IRF710 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 400 v | 2A (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 135 pf @ 25 v | - | 36W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLC3813EB | - | ![]() | 2249 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1061S | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP33A | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 모토로라 | - | 상자 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | 80 W. | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 60 v | 10 a | - | NPN | - | 100 @ 3a, 4v | 3MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고