전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPCP8103-H (TE85LFM | - | ![]() | 9306 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | U-mosiii-h | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-smd,, 리드 | TPCP8103 | MOSFET (금속 (() | PS-8 (2.9x2.4) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 4.8A (TA) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 2.4a, 10V | 2V @ 1mA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 10 v | - | 840MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SKB15N60HSATMA1 | - | ![]() | 3871 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SKB15N | 기준 | 138 w | PG-to263-3-2 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 15a, 23ohm, 15V | 111 ns | NPT | 600 v | 27 a | 60 a | 3.15V @ 15V, 15a | 530µj | 80 NC | 13ns/209ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | skp02n60xksa1 | - | ![]() | 3653 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | skp02n | 기준 | 30 w | PG-to220-3-1 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 400V, 2A, 118ohm, 15V | 130 ns | NPT | 600 v | 6 a | 12 a | 2.4V @ 15V, 2A | 64µj | 14 NC | 20ns/259ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD07N20GBTMA1 | - | ![]() | 1932 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SPD07N | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 7A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | 31.5 nc @ 10 v | ± 20V | 530 pf @ 25 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD30N03S2L07GBTMA1 | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd30n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 30a, 10V | 2V @ 85µA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 2530 pf @ 25 v | - | 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NE3510M04-T2-A | - | ![]() | 5715 | 0.00000000 | 셀 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 4 v | SOT-343F | NE3510 | 4GHz | GAAS HJ-FET | M04 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 97ma | 15 MA | - | 16db | 0.45dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | on5223,118 | - | ![]() | 6876 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | on52 | - | - | D2PAK | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934056465118 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | on5275,135 | - | ![]() | 2230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | on5275 | - | - | SC-73 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934058851135 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOT12N50 | 0.8328 | ![]() | 1922 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | AOT12 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 12A (TC) | 10V | 520mohm @ 6a, 10V | 4.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 v | ± 30V | 1633 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4963NT4G | - | ![]() | 5225 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD49 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 8.1A (TA), 44A (TC) | 4.5V, 10V | 9.6MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 16.2 NC @ 10 v | ± 20V | 1035 pf @ 12 v | - | 1.1W (TA), 35.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTP6410ANG | 3.3800 | ![]() | 119 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NTP6410 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 76A (TC) | 10V | 13mohm @ 76a, 10V | 4V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 188W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOD1N60 | 0.6000 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AOD1 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 1.3A (TC) | 10V | 9ohm @ 650ma, 10V | 4.5V @ 250µA | 8 nc @ 10 v | ± 30V | 160 pf @ 25 v | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AOB416 | - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | AOB41 | MOSFET (금속 (() | TO-263 (D2PAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 6.2A (TA), 45A (TC) | 7V, 10V | 36mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 25V | 1450 pf @ 50 v | - | 2.5W (TA), 150W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8910GTRPBF | - | ![]() | 3321 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | IRF89 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 10A | 13.4mohm @ 10a, 10V | 2.55V @ 250µA | 11nc @ 4.5v | 960pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irg6S320UTRLPBF | - | ![]() | 2929 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | IRG6S320U | 기준 | 114 w | D2PAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | 196V, 12a, 10ohm | 도랑 | 330 v | 50 a | 1.65V @ 15V, 24A | - | 46 NC | 24ns/89ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRGP50B60PD1-EP | - | ![]() | 7894 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | 기준 | 390 W. | TO-247AD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001532834 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 390v, 33a, 3.3ohm, 15v | 42 ns | NPT | 600 v | 75 a | 150 a | 2.85V @ 15V, 50A | 255µJ (on), 375µJ (OFF) | 205 NC | 30ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH5210TR2PBF | - | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 100 v | 10A (TA), 55A (TC) | 14.9mohm @ 33a, 10V | 4V @ 100µa | 59 NC @ 10 v | 2570 pf @ 25 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXBN75N170 | 94.5350 | ![]() | 7777 | 0.00000000 | ixys | Bimosfet ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXBN75 | 625 w | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 1700 v | 145 a | 3.1V @ 15V, 75A | 25 µA | 아니요 | 6.93 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXGX72N60A3H1 | - | ![]() | 2382 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 7 | IXGX72 | 기준 | 540 W. | Plus247 ™ -3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 480V, 50a, 3ohm, 15V | 140 ns | Pt | 600 v | 75 a | 400 a | 1.35V @ 15V, 60A | 1.4mj (on), 3.5mj (OFF) | 230 NC | 31ns/320ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9388PBF | - | ![]() | 4439 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001563814 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 95 | p 채널 | 30 v | 12A (TA) | 10V, 20V | 8.5mohm @ 12a, 20V | 2.4V @ 25µA | 52 NC @ 10 v | ± 25V | 1680 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irfh5010trpbf | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | IRFH5010 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 100 v | 13A (TA), 100A (TC) | 10V | 9mohm @ 50a, 10V | 4V @ 150µA | 98 NC @ 10 v | ± 20V | 4340 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFH7911TRPBF | - | ![]() | 1792 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 18-powervqfn | IRFH7911 | MOSFET (금속 (() | 2.4W, 3.4W | PQFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | SP001577920 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 13a, 28a | 8.6mohm @ 12a, 10V | 2.35V @ 25µA | 12NC @ 4.5V | 1060pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD20NF20 | 2.3200 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Stripfet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD20 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 18A (TC) | 10V | 125mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 940 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP3NK90ZFP | 1.4300 | ![]() | 931 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Supermesh ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | STP3NK90 | MOSFET (금속 (() | TO-220FP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 497-5979-5 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 3A (TC) | 10V | 4.8ohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 50µA | 22.7 NC @ 10 v | ± 30V | 590 pf @ 25 v | - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1020RLRAG | - | ![]() | 2852 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | 2SA1020 | 900 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 50 v | 2 a | 1µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 1a | 70 @ 500ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245A | - | ![]() | 9806 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BF245 | - | JFET | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | n 채널 | 100ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF245B | - | ![]() | 6455 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BF245 | - | JFET | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | n 채널 | 100ma | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF256A | - | ![]() | 6219 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 30 v | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BF256 | 800MHz | JFET | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | n 채널 | 7ma | - | 11db | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR31LT1 | - | ![]() | 7022 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFR31 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 5pf @ 10V | 1 ma @ 10 v | 2.5 V @ 0.5 NA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BS170RL1G | - | ![]() | 2820 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | BS170 | MOSFET (금속 (() | TO-92 (TO-226) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 500MA (TA) | 10V | 5ohm @ 200ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고