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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 전압- v (VT) | 전류- 양극 게이트에서 누출 (igao) | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
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![]() | BC856T, 115 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150 MW | SC-75 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 100ma | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | AON7246E | 0.2162 | ![]() | 2578 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphasgt ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | Aon72 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 13A (TA) | 4.5V, 10V | 13.2mohm @ 13a, 10V | 2.2V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 755 pf @ 30 v | - | 24W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SUP85N03-3M6P-GE3 | - | ![]() | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | sup85 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 22a, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 3535 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 78.1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5616QTC | 0.0945 | ![]() | 1381 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX5616 | 1 W. | SOT-89-3 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-BCX5616QTCTR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | RFP12N10L | 1.2600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | RFP12N10 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | RFP12N10L-NDR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 12A (TC) | 5V | 200mohm @ 12a, 5V | 2V @ 250µA | ± 10V | 900 pf @ 25 v | - | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC546BRL1 | - | ![]() | 1937 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) | BC546 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 65 v | 100 MA | 15NA | NPN | 250mv @ 500µa, 10ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSM2N3440 | 233.7316 | ![]() | 5578 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/368 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 800MW | TO-39 (TO-205AD) | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-JANSM2N3440 | 1 | 250 v | 1 a | 2µA | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 40 @ 20MA, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RM40N40LD | 0.1450 | ![]() | 4107 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM40N40LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 1314 pf @ 15 v | - | 34.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFIS40N10LE | 1.3700 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 해리스 해리스 | * | 대부분 | 활동적인 | RFIS40 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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재고 창고