SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재- ic (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on)
PTFB211501FV1R250XTMA1 Infineon Technologies PTFB211501FV1R250XTMA1 -
RFQ
ECAD 4350 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 표면 표면 2- 플랫 팩, 핀 리드, 플랜지 PTFB211501 2.17GHz LDMOS H-37248-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 250 - 1.2 a 40W 18db - 30 v
FDB12N50FTM Fairchild Semiconductor fdb12n50ftm 0.9500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 * 대부분 활동적인 FDB12N - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 1 -
MRF6V2300NR1 NXP USA Inc. MRF6V2300NR1 -
RFQ
ECAD 7766 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 110 v 표면 표면 TO-270AB MRF6 220MHz LDMOS TO-270 WB-4 다운로드 rohs 비준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 500 - 900 MA 300W 25.5dB - 50 v
2SK2934-92-E Renesas Electronics America Inc 2SK2934-92-E 2.1100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K 107.2000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 유전자 유전자 G3R ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 G3R20 sicfet ((카바이드) TO-247-4 - rohs 준수 1 (무제한) 1242-G3R20MT17K 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1700 v 124A (TC) 15V 26mohm @ 75a, 15V 2.7V @ 15mA 400 nc @ 15 v ± 15V 10187 pf @ 1000 v - 809W (TC)
NVHL027N65S3F onsemi NVHL027N65S3F 21.0200
RFQ
ECAD 270 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 NVHL027 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 75A (TC) 10V 27.4mohm @ 35a, 10V 5V @ 3MA 227 NC @ 10 v ± 30V 7780 pf @ 400 v - 595W (TC)
IRFS38N20DTRRP Infineon Technologies IRFS38N20DTRRP -
RFQ
ECAD 1722 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001565034 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 200 v 43A (TC) 10V 54mohm @ 26a, 10V 5V @ 250µA 91 NC @ 10 v ± 20V 2900 pf @ 25 v - 3.8W (TA), 300W (TC)
2SJ634-E onsemi 2SJ634-E 1.2600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 2SJ634 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 238 -
FGPF4533 Fairchild Semiconductor FGPF4533 0.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FGPF4 기준 28.4 w TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 0000.00.0000 1 - 도랑 330 v 200a 1.8V @ 15V, 50A - 44 NC -
AUIRLL014N Infineon Technologies auirll014n -
RFQ
ECAD 6502 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001520450 귀 99 8541.29.0095 80 n 채널 55 v 2A (TA) 4V, 10V 140mohm @ 2a, 10V 2V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 16V 230 pf @ 25 v - 1W (TA)
IQE030N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQE030N06NM5ATMA1 2.9600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn IQE030N MOSFET (금속 (() PG-TSON-8-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 21A (TA), 137A (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.3V @ 50µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 107W (TC)
IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R030M1HXKSA1 21.6000
RFQ
ECAD 5674 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IMW65R sicfet ((카바이드) PG-to247-3-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 58A (TC) 18V 42mohm @ 29.5a, 18V 5.7v @ 8.8ma 48 NC @ 18 v +20V, -2V 1643 pf @ 400 v - 197W (TC)
IPI60R385CP Infineon Technologies IPI60R385CP 1.0300
RFQ
ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 600 v 9A (TC) 10V 385mohm @ 5.2a, 10V 3.5V @ 340µA 22 nc @ 10 v ± 20V 790 pf @ 100 v - 83W (TC)
MPF4393G onsemi MPF4393G -
RFQ
ECAD 6815 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPF439 350 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 30 v 10pf @ 15V (VGS) 30 v 5 ma @ 15 v 500 mV @ 10 NA 100 옴
F445MR12W1M1B76BPSA1 Infineon Technologies F445MR12W1M1B76BPSA1 -
RFQ
ECAD 1455 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ Coolsic ™ 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F445MR 실리콘 실리콘 (sic) - Ag-Easy1b-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 24 4 n 채널 (채널 교량) 1200V (1.2kv) 25A (TJ) 45mohm @ 25a, 15V 5.55V @ 10MA 62NC @ 15V 1840pf @ 800V -
STP24N60DM2 STMicroelectronics STP24N60DM2 3.5300
RFQ
ECAD 125 0.00000000 stmicroelectronics FDMESH ™ II 플러스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 STP24 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 18A (TC) 10V 200mohm @ 9a, 10V 5V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 25V 1055 pf @ 100 v - 150W (TC)
SI2306BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-BE3 0.5500
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Vishay Siliconix - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 742-si2306bds-t1-be3tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.16a (TA) 4.5V, 10V 47mohm @ 3.5a, 10V 3V @ 250µA 4.5 nc @ 5 v ± 20V 305 pf @ 15 v - 750MW (TA)
IPD60R750E6BTMA1 Infineon Technologies IPD60R750E6BTMA1 -
RFQ
ECAD 6531 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ E6 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 IPD60R MOSFET (금속 (() PG-to252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 5.7A (TC) 10V 750mohm @ 2a, 10V 3.5V @ 170µA 17.2 NC @ 10 v ± 20V 373 PF @ 100 v - 48W (TC)
SH8M12TB1 Rohm Semiconductor SH8M12TB1 0.4439
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) Sh8m12 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 5a, 4.5a 42mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 1mA 4NC @ 5V 250pf @ 10V 논리 논리 게이트
MRF6S27015NR1 Freescale Semiconductor MRF6S27015NR1 30.4400
RFQ
ECAD 325 0.00000000 프리 프리 반도체 - 대부분 활동적인 68 v 표면 표면 TO-270AA 2GHz ~ 2.7GHz LDMOS TO-270-2 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 500 10µA 160 MA 3W 14db - 28 v
BSS138BKT-TP Micro Commercial Co BSS138BKT-TP 0.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 340ma 2.5V, 10V 1.5ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 1.4 NC @ 10 v ± 20V 58 pf @ 30 v - 270MW
DMP2066LSD-13 Diodes Incorporated DMP2066LSD-13 -
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP2066LSD MOSFET (금속 (() 2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 20V 5.8A 40cohm @ 4.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.1nc @ 4.5v 820pf @ 15V 논리 논리 게이트
RS6R035BHTB1 Rohm Semiconductor RS6R035BHTB1 2.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8 시간 다운로드 1 (무제한) 846-RS6R035BHTB1TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 35A (TC) 6V, 10V 41mohm @ 35a, 10V 4V @ 1MA 25 nc @ 10 v ± 20V 1470 pf @ 75 v - 3W (TA), 73W (TC)
FP100R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies FP100R12N3T7B11BPSA1 271.8300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 3 쟁반 활동적인 - - - FP100R12 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 100 a - 아니요
DMP2090UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2090UFDB-13 0.0805
RFQ
ECAD 6424 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2090 MOSFET (금속 (() 790MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2090UFDB-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널 채널) 공통 소스 20V 3.2A (TA) 90mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 6.8nc @ 4.5v 634pf @ 10V -
FF800R17KE3NOSA1 Infineon Technologies FF800R17KE3NOSA1 1.0000
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF800R17 4450 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 2 독립 - 1700 v 2.45V @ 15V, 800A 5 MA 아니요 72 NF @ 25 v
IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies IQE030N06NM5CGATMA1 3.1000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn IQE030N MOSFET (금속 (() PG-TTFN-9-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 21A (TA), 137A (TC) 6V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.3V @ 50µA 49 NC @ 10 v ± 20V 3800 pf @ 30 v - 2.5W (TA), 107W (TC)
IRLR7843CTRPBF Infineon Technologies IRLR7843CTRPBF -
RFQ
ECAD 2871 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 30 v 161A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 4380 pf @ 15 v - 140W (TC)
SPB80N06S2L-06 Infineon Technologies SPB80N06S2L-06 -
RFQ
ECAD 8031 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SPB80N MOSFET (금속 (() PG-to263-3-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 55 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 69a, 10V 2V @ 180µA 150 nc @ 10 v ± 20V 5050 pf @ 25 v - 250W (TC)
PJQ2405-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2405-AU_R1_000A1 0.2576
RFQ
ECAD 8830 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2405 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq2405-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A 1.8V, 4.5V 32mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.9 NC @ 4.5 v ± 8V 1785 pf @ 10 v - 2.8W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고