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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | phd23nq10t, 118 | - | ![]() | 1385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD23 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 23A (TC) | 10V | 70mohm @ 13a, 10V | 4V @ 1MA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 1187 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | phd78nq03lt, 118 | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PhD78 | MOSFET (금속 (() | DPAK | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 75A (TC) | 5V, 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 11 NC @ 4.5 v | ± 20V | 970 pf @ 12 v | - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | phd9nq20t, 118 | - | ![]() | 9520 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | phd9nq20 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 200 v | 8.7A (TC) | 10V | 400mohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 1MA | 24 nc @ 10 v | ± 30V | 959 pf @ 25 v | - | 88W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | phk4nq10t, 518 | - | ![]() | 4658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | phk4n | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | - | 4.5V, 10V | 70mohm @ 4a, 10V | 4V @ 1MA | 22 nc @ 10 v | ± 20V | 880 pf @ 25 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PHP174NQ04LT, 127 | - | ![]() | 2807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PHP17 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 64 NC @ 5 v | ± 15V | 5345 pf @ 25 v | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | phx27nq11t, 127 | - | ![]() | 7638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | phx27 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 110 v | 20.8A (TC) | 10V | 50mohm @ 14a, 10V | 4V @ 1MA | 30 nc @ 10 v | ± 20V | 1240 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | J112,126 | - | ![]() | 2286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | J112 | 400MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 40 v | 6pf @ 10v (VGS) | 40 v | 5 ma @ 15 v | 1 V @ 1 µA | 50 옴 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | pht8n06lt, 135 | - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | pht8 | MOSFET (금속 (() | SC-73 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 55 v | 3.5A (TA) | 5V | 80mohm @ 5a, 5V | 2V @ 1mA | 11.2 NC @ 5 v | ± 13V | 650 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA), 8.3W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7107-40ATC, 118 | - | ![]() | 7844 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 108 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 272W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7107-55ATE, 118 | - | ![]() | 3732 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-5, d²pak (4 리드 + 탭), TO-263BB | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 116 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | 온도 온도 다이오드 | 272W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7225-55A, 118 | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 55 v | 43A (TC) | 10V | 25mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1310 pf @ 25 v | - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7510-100B, 127 | - | ![]() | 2544 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BUK7510 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 6773 pf @ 25 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7520-55A, 127 | - | ![]() | 2486 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 54A (TC) | 10V | 20mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1592 pf @ 25 v | - | 118W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Buk7c06-40aite, 118 | - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | To-263-7, d²pak (6 리드 + 탭) | MOSFET (금속 (() | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 40 v | 75A (TC) | 10V | 6ohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 120 nc @ 10 v | ± 20V | 4300 pf @ 25 v | 현재 현재 | 272W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9540-100A, 127 | - | ![]() | 6316 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 39A (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 48 NC @ 5 v | ± 15V | 3072 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9616-75B, 118 | 1.6900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK9616 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 75 v | 67A (TC) | 5V, 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 35 NC @ 5 v | ± 15V | 4034 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | ixfk64n60p | 22.0900 | ![]() | 1865 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-264-3, TO-264AA | IXFK64 | MOSFET (금속 (() | TO-264AA (IXFK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 64A (TC) | 10V | 96mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 8MA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 12000 pf @ 25 v | - | 1040W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | ixfn64n60p | 36.2800 | ![]() | 7808 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFN64 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 600 v | 50A (TC) | 10V | 96mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 8MA | 200 nc @ 10 v | ± 30V | 12000 pf @ 25 v | - | 700W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IXTV30N50PS | - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | Plus-220SMD | IXTV30 | MOSFET (금속 (() | Plus-220SMD | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 30A (TC) | 10V | 200mohm @ 15a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 4150 pf @ 25 v | - | 460W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ixty3n60p | - | ![]() | 8419 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IXTY3 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 70 | n 채널 | 600 v | 3A (TC) | 10V | 2.9ohm @ 500ma, 10V | 50µA 5.5V | 9.8 nc @ 10 v | ± 30V | 411 pf @ 25 v | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ixti10n60p | - | ![]() | 2539 | 0.00000000 | ixys | Polarhv ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | IXTI10 | MOSFET (금속 (() | TO-262 (I2PAK) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 740mohm @ 5a, 10V | 5V @ 100µa | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1610 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ixfp10n60p | 4.1400 | ![]() | 576 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™, 극성 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | IXFP10 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 740mohm @ 5a, 10V | 5.5V @ 1mA | 32 NC @ 10 v | ± 30V | 1610 pf @ 25 v | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8586 | - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD858 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2480 pf @ 10 v | - | 77W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | fdy4001cz | - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | FDY40 | MOSFET (금속 (() | 446MW | SOT-563F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 및 p 채널 | 20V | 200ma, 150ma | 5ohm @ 200ma, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 1.1NC @ 4.5V | 60pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV61A, 215 | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV61 | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100ma | 2 npn (() 현재 미러 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62B, 235 | 0.5200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV62 | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 100ma | 2 pnp (() 현재 미러 미러 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCV62C, 215 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q100 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 30V | 현재 현재 | 표면 표면 | TO-253-4, TO-253AA | BCV62 | SOT-143B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100ma | 2 pnp (() 현재 미러 미러 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856T, 115 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-75, SOT-416 | BC856 | 150 MW | SC-75 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 100ma | 125 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-35143-TR2G | - | ![]() | 7539 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 5.5 v | SC-82A, SOT-343 | ATF-35143 | 2GHz | Phemt Fet | SOT-343 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 10,000 | 80ma | 15 MA | 10dbm | 18db | 0.4dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5N80K5 | 1.7800 | ![]() | 3167 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | STD5N80 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 800 v | 4A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 2a, 10V | 5V @ 100µa | 5 nc @ 10 v | ± 30V | 177 pf @ 100 v | - | 60W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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